【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种智能温控式单晶硅清洗装置。
技术介绍
晶体硅作为太阳能电池的主要原料，在推动世界光伏产业的发展中起到了举足轻重的作用。在硅片生产过程中，硅片表面的污染物来源主要有:加工器械带来的污染，加工液的污染、环境污染、操作人员带来的污染以及加工过程中硅片表面发生化学反应产生的污染等。随着太阳能工业的发展，对硅片表面洁净度的要求也越来越高，这在一定程度上促进了硅片清洗技术的发展，也促进了人们对硅片清洗工艺的研宄。当前，湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，但是该技术设备条件要求高，使用成本高，不利于广泛推广应用。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术公开一种智能温控式单晶硅清洗装置，包括依次设置的第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽以及烘干箱，所述第二水槽以及第三水槽内设置有温度感应器和加热器，每个加热器上分别连接一温度显示板，所述第二水槽以及第三水槽上分别设置水循环装置。优选地，所述水循环装置包括冷水循环管和贮水槽，所述冷水循环管与贮水槽相连接。优选地，所述第二水槽以及第三水槽内加有清洗用的药剂。本技术的有益效果是所述智能温控式单晶硅清洗装置能够自动调整水槽内的温度，通过用户预先设定的温度值，温度传感器会实时感应并显示出槽内的温度，一旦超出温度设定值就会加入冷水，从而及时降低温度，满足使用需要，提高清洗效果，且还设置烘干箱，清洗完毕后即进行烘干，进一步提高清洗质量。【附图说明】图1是本技术所述智能温控式单晶硅清洗装置的结构示意图。图中，1-第一水槽；2-第二水槽；3_第三水槽；4_第四水槽；5_第五水槽；6-烘干箱；7_冷...
【技术保护点】
一种智能温控式单晶硅清洗装置，其特征在于：包括依次设置的第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽以及烘干箱，所述第二水槽以及第三水槽内设置有温度感应器和加热器，每个加热器上分别连接一温度显示板，所述第二水槽以及第三水槽上分别设置水循环装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张忠安，
申请(专利权)人：江西豪安能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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