MoS2修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极及制备方法和基于该电极的电极体系技术

本发明专利技术公开了基于MoS2修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极、制备该电极的方法和使用该电极的电极体系，MoS2修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极包括硅纳米线阵列和MoS2纳米颗粒簇，MoS2纳米颗粒簇是采用热分解技术将前驱反应物硫代钼酸铵进行高温缺氧焙烧复合于硅纳米线阵列表面，以替代贵金属催化剂来增强硅纳米线阵列体系的光化学析氢性能；由于该电极不需要使用贵金属，成本低廉，能够在工业上大规模使用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
MoS2修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极，其特征在于：包括导电基底和复合在导电基底上的硅纳米线阵列，所述硅纳米线阵列表面复合有MoS2纳米颗粒团簇。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔雷，李艳虹，周明，廖明佳，肖鹏，张云怀，张胜涛，陈刚才，张晟，周志恩，
申请(专利权)人：重庆市环境科学研究院，
类型：发明
国别省市：重庆;85