用于处理晶片的方法和晶片结构技术
【技术实现步骤摘要】
用于处理晶片的方法和晶片结构
各种实施例总地涉及用于处理晶片的方法，并且涉及晶片结构。
技术介绍
可将例如模版印刷或丝网印刷等的印刷方法用于半导体技术，以在晶片上例如在晶片背面上制作层。然而，使用当前的方法，难以制作薄于大约25μm的层。当前的制作方法在层均匀性上具有较大变化。在各种常规方法中，使用例如丝网印刷、模版印刷或旋涂等技术对晶片的背面进行涂覆。通过模版印刷，难以在晶片的整个区域上获得均匀的涂覆厚度。材料在晶片上的这种不均匀排布可导致在晶片内形成额外的应力线，其可在划片期间导致晶片破裂，尤其在晶片极薄时。模版厚度可确定或限制沉积层的厚度，并且使用当前的技术，可能的最薄模版约为25μm。通过旋涂，可用给定材料覆盖整个晶片，但是旋涂比前述工艺慢得多，并且产生大量的废料。
技术实现思路
根据本公开的一个或多个实施例，提供一种用于处理晶片的方法。所述方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及，通过使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据本公开的一个或多个实施例，提供一种晶片结构...
【技术保护点】
一种用于处理晶片的方法，包括：从所述晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。
【技术特征摘要】
2013.10.09 US 14/049,3401.一种用于处理晶片的方法，包括：从所述晶片的背面的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中，以便根据所述结构的高度来控制印刷期间所述材料的厚度；从所述晶片去除在所述边缘区处的所述结构，使得印刷的所述材料保留在所述晶片的内部部分中；以及在印刷的所述材料保留在所述晶片的内部部分中的情况下从所述晶片去除所述结构之后，对所述晶片进行分离，其中所述晶片为半导体晶片。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述结构为被布置成至少部分地包围所述晶片的内部部分的环结构。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述环结构封闭所述晶片的内部部分。4.如权利要求2所述的方法，其中，所述环结构为圆形环结构。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述结构为Taiko环结构。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述结构具有小于或等于25μm的高度。7.如权利要求1所述的方法，其中，从所述晶片的内部部分去除晶片材料包括从所述晶片的内部部分研磨晶片材料。8.如权利要求1所述的方法，其中，从所述晶片的内部部分去除晶片材料包括从所述晶片的背面的内部部分去除晶片材料。9.如权利要求1所述的方法，其中，以小于或等于25μm的材料厚度印刷所述印刷的材料。10.如权利要求1所述的方法，其中，所述印刷的材料包括环氧树脂材料。11.如权利要求10所述的方法，其中，所述环氧树脂材料包括金属。12.如权利要求1所述的方法，其中，所述印刷的材料包括金属。13.一种晶片结构，包括：晶片；形成于所述晶片的一面上的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分，并且所述结构包括上表面；以及位于所述晶片的内部部分中的印刷的材料，所述印刷的材料位于除用于所述晶片的分离的划片区域之外的区域中；其中，所述印刷的材料的上表面与所述结构的上表面彼此齐平，其中所述晶片为半导体晶片。14.如权利要求13所述的晶片结构，其中，所述结构为至少部分地包围所述晶片的内部部分的环结构。15.如权利要求14所述的晶片结构，其中，所述环结构封闭所述晶片的内部部分。16.如权利要求14所述的晶片结构，其中，所述环结构为圆形环结构。17.如权利要求14所述的晶片结构，其中，所述结构为Taiko环结构。18.如权利要求13所述的晶片结构，其中，所述结构具有小于或等于25μm的高度。19.如权利要求13所述的晶片结构，其中，所述结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·R·耶杜拉，K·H·加瑟，S·韦勒特，K·迈尔，F·J·桑托斯罗德里奎兹，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：无
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