一种取代苯并菲衍生物类有机发光二极管材料制造技术

技术编号:11402672 阅读:100 留言:0更新日期:2015-05-03 18:54
本发明专利技术公开了一种取代苯并菲衍生物类有机半导体(Ⅰ),由苯并菲衍生物为主核,化学键合连接空穴或电子传输稠合芳杂环。该材料具有优良的耐热性和高效长寿命的发光特性,可应用于有机发光二极管的蓝光主体材料、蓝光发光层、空穴传输层或者电子阻挡层,得到稳定、高效和长寿命的有机发光器件。(Ⅰ)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光材料及其在有机发光器件的应用,尤其是一种兼具高效、长 寿命的有机半导体材料,可应用于有机发光OLED器件,改善器件性能。
技术介绍
有机半导体材料属于新型光电材料,其大规模研究起源于1977年由白川英树,A. Heeger及A. McDiamid共同发现了导电率可达铜水平的掺杂聚乙炔。随后,1987年KodaK 公司的C. Tang等专利技术了有机小分子发光二极管(0LED),和1990年剑桥大学的R. Friend 及A. Holmes专利技术了聚合物发光二极管P-0LED,以及1998年S. Forrest与M. Thomson 专利技术了效率更高的有机磷光发光二极管PH0LED。由于有机半导体材料具有结构易调可获 得品种多样,能带可调,甚至如塑料薄膜加工一样的低成本好处,加上有机半导体在导电薄 膜,静电复印,光伏太阳能电池应用,有机薄膜晶体管逻辑电路,和有机发光OLED平板显示 与照明等众多应用,白川-Heeger-McDiamid三位科学家于2000年获得诺贝尔化学奖。 作为下一代平板显示应用的有机发光二极管,有机光电半导体要求有:1.高发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机化合物,具有如下通式:(Ⅰ)      其特征是所述化合物中的R1,R2为H,F,D,萘基,取代萘基,芘基,取代芘基,菲基,取代菲基,蒽基,取代蒽基,吡啶基,取代吡啶基,噻吩基,取代噻吩基,咔唑基,取代咔唑基;       其特征是所述化合物中的R3~R12及Ar1为碳原子数小于12的烷基,碳原子数小于12的 烷氧基,苯基,取代苯基,萘基,取代萘基,芘基,取代芘基,菲基,取代菲基,蒽基,取代蒽基,吡啶基,取代吡啶基,噻吩基,取代噻吩基,咔唑基,取代咔唑基,芳胺,取代芳胺基;       其特征是所述化合物中的A为一单键,一氧原子,一硫原子,一磷氧原子,一羰基或3‑30碳原子的芳杂环。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李晓常洪海兵
申请(专利权)人:江西冠能光电材料有限公司
类型:发明
国别省市:江西;36

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