一种取代苯并菲衍生物类有机发光二极管材料制造技术

本发明专利技术公开了一种取代苯并菲衍生物类有机半导体（Ⅰ），由苯并菲衍生物为主核，化学键合连接空穴或电子传输稠合芳杂环。该材料具有优良的耐热性和高效长寿命的发光特性，可应用于有机发光二极管的蓝光主体材料、蓝光发光层、空穴传输层或者电子阻挡层，得到稳定、高效和长寿命的有机发光器件。（Ⅰ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光材料及其在有机发光器件的应用，尤其是一种兼具高效、长 寿命的有机半导体材料，可应用于有机发光OLED器件，改善器件性能。
技术介绍
有机半导体材料属于新型光电材料，其大规模研究起源于1977年由白川英树，A. Heeger及A. McDiamid共同发现了导电率可达铜水平的掺杂聚乙炔。随后，1987年KodaK 公司的C. Tang等专利技术了有机小分子发光二极管（0LED)，和1990年剑桥大学的R. Friend 及A. Holmes专利技术了聚合物发光二极管P-0LED，以及1998年S. Forrest与M. Thomson 专利技术了效率更高的有机磷光发光二极管PH0LED。由于有机半导体材料具有结构易调可获 得品种多样，能带可调，甚至如塑料薄膜加工一样的低成本好处，加上有机半导体在导电薄 膜，静电复印，光伏太阳能电池应用，有机薄膜晶体管逻辑电路，和有机发光OLED平板显示 与照明等众多应用，白川-Heeger-McDiamid三位科学家于2000年获得诺贝尔化学奖。 作为下一代平板显示应用的有机发光二极管，有机光电半导体要求有：1.高发 光效率；2.优良的电子与空穴稳定性；3.合适的发光颜色；4.优良的成膜加工性。原则 上，大部分共轭性有机分子(包含星射体)，共轭性聚合物，和含有共轭性发色团配体的有机 重金属络合物都有具备电激发光性能，应用在各类发光二极管，如有机小分子发光二极管 (OLED)，聚合物有机发光二极管（POLED)，有机磷光发光二极管（PHOLED)。磷光PHOLED兼用 了单线激发态(荧光)和三线激发态(磷光）的发光机理，显然比小分子OLED及高分子POLED 高得多的发光效率。PHOLED制造技术和出色的PHOLED材料都是实现低功耗OLED显示和照 明所必不可少的。PHOLED的量子效率和发光效率是荧光OLED材料的3-4倍，因此也减少了 产生的热量，增多了OLED显示板的竞争力。这一点提供了使得总体上OLED显示或照明超 越IXD显示以及传统光源的可能。因而，现有高端OLED全色显示器件中或多或少地掺用 了磷光OLED材料。 磷光OLED材料是由含有一定共轭性的有机发光团作为二齿螯合配体，与金属兀 素形成环金属-配合体络合物，在高能光照下(如紫外光激发)或电荷注入（电激发)条件下， 由于环金属-配体电荷转移（MLCT)成为激子，然后回复到基态而导致发光。在OLED器件中 电荷的注入是通过在阳极施加正电压后，从阳极注入空穴，阴极施加负电压后注入电子，分 别经过电子传输层与空穴转输层，同时进入发射层的本体材料中，电子最终进入发光掺杂 剂中的最低末占据分子轨道（LUM0)，空穴进入发光掺杂剂中的最高占有分子轨道（HOMO) 而形成激发态发光掺杂剂分子(激子态)。激子态回复到基态后伴随着发射光能，其发射光 能波长正对应着发光分子掺杂剂的能隙（H0M0-LUM0能级差)。 已有不少报道的重金属有机配合体络合物，受重金属的影响而增强了电子自旋轨 道作用，使得本应较弱的磷光变得很强而呈现优良磷光发射。例如发绿光的三(苯基吡啶） 铱(III)配合络合物，简称为Ir(ppy)3，具有结构式为：【主权项】1. 一种有机化合物，具有如下通式：其特征是所述化合物中的&，馬为H，F，D，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代 菲基，蒽基，取代蒽基，吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基； 其特征是所述化合物中的R3~R12及Ar:为碳原子数小于12的烷基，碳原子数小于12的 烷氧基，苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基， 吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基，芳胺，取代芳胺基； 其特征是所述化合物中的A为一单键，一氧原子，一硫原子，一磷氧原子，一羰基或 3-30碳原子的芳杂环。2. 根据权利要求1所述的有机化合物，其特征是所述的化合物具有式（II)结构：其特征是所述化合物中的&，馬为H，F，D，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代 菲基，蒽基，取代蒽基，吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基； 其特征是所述化合物中的R3~R12及Ar:为碳原子数小于12的烷基，碳原子数小于12的 烷氧基，苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基， 吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基，芳胺，取代芳胺基； 其特征是所述化合物中的A为一单键，一氧原子，一硫原子，一磷氧原子，一羰基或 3-30碳原子的芳杂环。3. 根据权利要求1所述的有机化合物，其特征是所述的化合物具有式（III)结构：其特征是所述化合物中的&，馬为H，F，D，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代 菲基，蒽基，取代蒽基，吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基； 其特征是所述化合物中的R3~R12及Ar:为碳原子数小于12的烷基，碳原子数小于12的 烷氧基，苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基， 吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基，芳胺，取代芳胺基； 其特征是所述化合物中的A为一单键，一氧原子，一硫原子，一磷氧原子，一羰基或 3-30碳原子的芳杂环。4.根据权利要求1或2或3所述的化合物，其特征是所述的化合物的Ari部分选自以 下结构：其中，AW8S碳原子数小于12的烧基或烧氧基，苯基，批陡基;Ar2_7为苯基，蔡基，取代 萘基，菲基，取代菲基等。5.根据权利要求1或2或3或4所述的有机化合物，其特征是所述的化合物中的苯并 菲衍生物与含C1(l-C2(l电负性稠合芳环相连，优选结构为：6.根据权利要求1或2或3或4所述的有机化合物，其特征是所述的化合物中苯并菲 衍生物Ar:至少含有一空穴型芳胺，-N(Ar3-Ar6)2，首选结构为：其特征是所述化合物中的Arn为苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲 基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑 基； 优选结构为：7. -种有机发光二极管，其特征是所述的有机发光二极管由如下部分组成： (a) -个阴极； (b) -个阳极； (c) 一个夹心于阴极和阳极之间的有机半导体发光层，该发光层中含有权利1-4 所 述的化合物。8. 根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征是所述的发光层中的主体材料(重 量百分比>50%)为权利要求1所述化合物，优选为权利要求5所述化合物。9. 根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征是所述的发光层中的掺杂剂(重量 百分比〈50%)为权利要求1-4所述化合物，优选为权利要求6所述化合物。10. 根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征是所述的发光层与空穴注入层之 间含有一电子或者激子阻挡层，由权利要求1所述的化合物组成。【专利摘要】本专利技术公开了一种取代苯并菲衍生物类有机半导体（Ⅰ），由苯并菲衍生物为主核，化学键合连接空穴或电子传输稠合芳杂环。该材料具有优良的耐热性和高效长寿命本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机化合物，具有如下通式：（Ⅰ）      其特征是所述化合物中的R1，R2为H，F，D，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基；       其特征是所述化合物中的R3~R12及Ar1为碳原子数小于12的烷基，碳原子数小于12的 烷氧基，苯基，取代苯基，萘基，取代萘基，芘基，取代芘基，菲基，取代菲基，蒽基，取代蒽基，吡啶基，取代吡啶基，噻吩基，取代噻吩基，咔唑基，取代咔唑基，芳胺，取代芳胺基；       其特征是所述化合物中的A为一单键，一氧原子，一硫原子，一磷氧原子,一羰基或3‑30碳原子的芳杂环。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓常，洪海兵，
申请(专利权)人：江西冠能光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36