一种金属离子修饰的黑磷及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种金属离子修饰的黑磷及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：将黑磷原料置于金属离子有机溶液中，在0‑50℃温度下浸渍5min‑2h，然后再在保护气体中吹干，制得金属离子修饰的黑磷。本发明专利技术还提供由上述制备方法制得的金属离子修饰的黑磷，以及该金属离子修饰的黑磷在薄膜晶体管材料、电池负极材料、柔性显示材料、发光二极管材料、光开关材料和生物传感器材料中的应用。本发明专利技术提供的金属离子修饰的黑磷，能够利用金属离子在不改变黑磷固有属性的情况下提高黑磷在水和氧气同时存在时的结构和性能的稳定性，增强黑磷的抗氧化能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二维黑磷
，尤其涉及一种金属离子修饰的黑磷及其制备方法与应用。
技术介绍
2014年，二维材料家族迎来了一位新成员—黑磷，它与石墨烯类似地拥有二维单元层状结构，层内每个磷原子与三个相邻的磷原子由共价键连接，形成褶皱蜂窝结构，层间通过范德华力相连。但与石墨烯不同的是，黑磷是一种天然的半导体，其带隙宽度可调、电学性能优越，被认为能够解决石墨烯作为导体所不能解决的问题，有望取代硅，成为半导体工业的核心材料。黑磷的光学性能同其他半导体相比也有巨大优势，它的半导体带隙是直接带隙，即导带底部和价带顶部在同一位置，而传统的硅或硫化钼等都是间接带隙，这意味着黑磷可以和光直接耦合，构筑新一代光电器件。此外，由黑磷自身的褶皱蜂窝结构决定，在其层内的X和Y两个方向的电子传导速度、导热性能、与偏振光的相互作用各不相同，这些各向异性的特性，使得黑磷本身就成为一种可以进行逻辑编写材料。综上，作为一种迄今发现的最薄的直接带隙半导体材料，二维黑磷拥有着电学、光学等方面的卓越性能和广泛应用前景，开展对黑磷光电性能的研究，有望突破光电器件底层材料的壁垒，对我国光电领域的发展产生极大的促进作用。并且，黑磷还在光学器件、传感器、太阳能电池、锂电池、生物医学等多个领域展现出很好的应用前景。虽然，黑磷是众多磷的同素异形体中最稳定的一种，作为一种新型的半导体二维材料具有可调节的带隙、良好的载流子迁移率和极其优秀的光电性质，在光电领域有着巨大的应用前景，但在将黑磷进行实际应用时，还是会受到被氧化的限制，特别是在水和氧气同时存在的条件下。而空气中既含有水分子又含有氧气，黑磷会被氧气缓慢氧化，生成磷的氧化物，进而降解成磷酸盐等，整个氧化过程会破坏黑磷的结构，进而使其原有的优良性质退化，这就意味着，基于黑磷的光电器件是无法在空气中正常工作的。因此，如何解决黑磷易被氧化的问题，维持黑磷在使用时的性能稳定，是黑磷发展的关键问题。为了解决上述黑磷被氧化的问题，研究者们通在黑磷的表面覆盖不同的物质，以实现隔绝空气中的氧气和水，阻止黑磷被氧化。但这类方法的核心思路是的表面覆盖其他的物质，是一种完全的物理密封的方法，并没有从根本上解决黑磷的氧化问题，因此，寻找新的解决方案，从根本上解决黑磷的氧化问题，是黑磷发展的当务之急。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种金属离子修饰的黑磷及其制备方法与应用。该制备方法能从黑磷氧化反应的根本原因入手，利用金属离子提高黑磷的抗氧化能力，提高黑磷在空气中的稳定性。该金属离子修饰的黑磷，能从根本上解决黑磷的氧化问题，增强黑磷的抗氧化能力，具有高稳定性。为了达到前述的专利技术目的，本专利技术提供一种金属离子修饰的黑磷的制备方法，其包括以下步骤：将黑磷原料置于金属离子有机溶液中，在0-50℃温度下浸渍5min-2h，然后再在保护气体中吹干，制得金属离子修饰的黑磷。在上述制备方法中，所述金属离子有机溶液相对于所述黑磷原料是过量的。在上述制备方法中，优选地，所述黑磷原料包括黑磷块材、多层黑磷纳米片、单层黑磷纳米片和黑磷量子点中的一种或几种的组合。在上述制备方法中，所述黑磷块材是指未经剥离的黑磷块体材料。在上述制备方法中，优选地，所述黑磷量子点是指水合粒径小于10nm的黑磷纳米颗粒。在上述制备方法中，优选地，所述金属离子包括Fe3+、Au3+、Ag+、Mg2+和Hg2+中的一种或几种的组合。在上述制备方法中，优选地，配置所述金属离子有机溶液的有机溶剂包括极性溶剂和/或非极性溶剂；所述极性溶剂包括极性质子溶剂和/或极性非质子溶剂。所述非极性溶剂和极性质子溶剂可以为本领域常规选择。在上述制备方法中，优选地，配置所述金属离子有机溶液的有机溶剂为极性非质子溶剂。在上述制备方法中，优选地，所述极性非质子溶剂包括氮甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜和二甲基甲酰胺中的一种或几种的组合。在上述制备方法中，优选地，所述金属离子有机溶液的浓度10-4mol/L-10-6mol/L。在上述制备方法中，优选地，所述浸渍的时间为20min。在上述制备方法中，所述保护气体包括氮气等，但不限于此。在上述制备方法中，优选地，所述金属离子修饰的黑磷的制备方法，具体包括以下步骤：将黑磷块材直接浸泡到金属离子有机溶液中，浸渍5min-2h后取出，然后利用配置所述金属离子有机溶液的有机溶剂进行冲洗，再在保护气体中吹干，制得金属离子修饰的黑磷；或者，将经液相剥离后的多层黑磷纳米片或黑磷量子点直接分散在有机溶剂中，制得黑磷原料有机溶液，再将金属离子有机溶液加入到所述黑磷原料有机溶液中，混合5min-2h，制得金属离子修饰的黑磷，其中，所述有机溶剂为配置所述金属离子有机溶液的有机溶剂；或者，将载有多层黑磷纳米片或单层黑磷纳米片的基片浸泡到金属离子有机溶液中，浸渍5min-2h，然后利用配置所述金属离子有机溶液的有机溶剂进行冲洗，再在保护气体中吹干，制得金属离子修饰的黑磷。在上述制备方法中，进行浸渍的金属离子有机溶液中的金属离子的含量，远大于饱和吸附在黑磷表面的金属离子的含量。在上述制备方法中，所述载有多层黑磷纳米片或单层黑磷纳米片的基片是通过机械剥离后将多层黑磷纳米片或单层黑磷纳米片固定在基片上得到的。通过上述制备方法，将黑磷与金属离子有机溶液接触一定时间，实现金属离子在黑磷表面的吸附，然后用有机溶剂冲洗，最后保护气体中吹干，制得金属离子修饰的黑磷，完成金属离子对黑磷的吸附和保护，提高黑磷的抗氧化能力，从而提高黑磷在空气中的稳定性，该制备方法简单、快捷、有效。本专利技术认为，黑磷之所以在氧气和水同时存在的条件下易与氧气进行反应，是因为在黑磷中的每个磷原子最外层有五个电子，其中三个电子分别与其他三个磷原子成键，除了三个成键的电子，每个磷原子的外层仍有一对孤对电子，该孤对电子易被氧分子夺走，从而造成黑磷的氧化，而这一反应过程在有水的条件下可以生成磷酸根，进而破坏黑磷的固有结构，从片层黑磷的表面由外而内逐步的腐蚀黑磷。现有技术仅仅是将黑磷与空气中的水和氧气隔离，但是并没有从氧化反应的根源(未成键的孤对电子)入手解决黑磷的氧化问题。而本专利技术从孤对电子出发，利用金属离子与磷原子中的孤对电子进行配位结合，从而封闭黑磷中磷原子的孤对电子，使之不能再与氧进行结合，从孤对电子的角度入手，有效地解决了黑磷在空气中被氧化的问题。本专利技术还提供由上述金属离子修饰的黑磷的制备方法制得的金属离子修饰的黑磷。上述金属离子修饰的黑磷，能够利用金属离子在不改变黑磷固有属性的情况下提高黑磷在水和氧气同时存在时的结构和性能的稳定性，增强黑磷的抗氧化能力。本专利技术还提供由上述金属离子修饰的黑磷的制备方法制得的金属离子修饰的黑磷在薄膜晶体管材料、电池负极材料、柔性显示材料、发光二极管材料、光开关材料和生物传感器材料中的应用。在上述应用中，所述薄膜晶体管材料是指用于构筑薄膜晶体管半导体层的材料；所述电池负极材料是指电池中构成负极的原料；所述柔性显示材料是指用于制备柔性显示装置的柔软的、可变型、可弯曲的材料；所述发光二极管材料(LED材料)是指用于构造发光二极管基本结构的半导体材料；所述光开关材料是指可实现光传输线路或集成光路中光信号物理切换或逻辑操作的半导体材料。本专利技术的有益效果：(1)本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属离子修饰的黑磷的制备方法，其包括以下步骤：将黑磷原料置于金属离子有机溶液中，在0‑50℃温度下浸渍5min‑2h，然后再在保护气体中吹干，制得金属离子修饰的黑磷。

【技术特征摘要】
1.一种金属离子修饰的黑磷的制备方法，其包括以下步骤：将黑磷原料置于金属离子有机溶液中，在0-50℃温度下浸渍5min-2h，然后再在保护气体中吹干，制得金属离子修饰的黑磷。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述黑磷原料包括黑磷块材、多层黑磷纳米片、单层黑磷纳米片和黑磷量子点中的一种或几种的组合。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述黑磷量子点是指水合粒径小于10nm的黑磷纳米颗粒。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属离子包括Fe3+、Au3+、Ag+、Mg2+和Hg2+中的一种或几种的组合。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：配置所述金属离子有机溶液的有机溶剂包括极性溶剂和/或非极性溶剂；所述极性溶剂包括极性质子溶剂和/或极性非质子溶剂；优选地，配置所述金属离子有机溶液的有机溶剂为极性非质子溶剂。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述极性非质子溶剂包括氮甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜和二甲基甲酰胺中的一种或几种的组合。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属离子有机溶液的浓度为10-4mol/L-...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻学锋，郭志男，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44