离子测量装置及其石墨层制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种离子测量装置及其石墨层，离子测量装置适用于离子植入机的离子束的测量，并包括：永磁铁凹槽，具有一开口；石墨层，设置于开口处，在石墨层中具有一缝隙，使离子束经缝隙、开口进入永磁铁凹槽内，缝隙加长到偏斜的被测离子束也能穿过该缝隙而进入永磁铁凹槽内的程度。本发明专利技术还公开一种石墨层，其是由上、下、左、右边框围成一缝隙所构成，上边框或/和下边框为电荷感应装置，电荷感应装置与电流计电连接。由于本发明专利技术加长石墨层中的缝隙，或/和在石墨层上增设电荷感应装置，可避免植入的离子束脱离离子测量装置的测量区域，而且还能及时得知离子束植入有误的状况，从而提高的测量质量且降低了被植入的产品的报废率。

【技术实现步骤摘要】
离子测量装置及其石墨层
本专利技术涉及一种离子测量装置，尤其是涉及一种离子测量装置中的石墨层。
技术介绍
目前离子植入机的离子束的测量系统已经广泛使用，而其离子植入机的植入离子剂量的量测是提高离子植入产品质量的重要步骤。请详见图1A、图1B，图1A是现有的离子测量装置示意图；图1B是图1A所示的离子测量装置中的石墨层示意图。现有的离子测量装置10包括有：永磁铁凹槽11，在该永磁铁凹槽11内可产生磁场，干扰离子植入机出来的离子，将其中的电子排斥在该磁场以外，而该离子中的正电子则被允许进入到该磁场，在该永磁铁凹槽11的底部外接一个接地的电子计量器14，该正电子会吸引来自大地的电子进行电价中和，而该电子计量器14通过计算所通过的电子数量推算出进入该永磁铁凹槽11内部植入的离子数。该离子测量装置还包括有一用于保护的石墨层1，设置于该永磁铁凹槽11的开口111处，该石墨层1中间留有缝隙12，以使离子植入机出来的离子束D穿过而进入该永磁铁凹槽11内。由于离子植入机(未显示)出来的离子束并非正好从该石墨层中间的缝隙12穿过，如：可能偏上D1或偏下D2，这样，一部分的离子会被该石墨层1的上边框或下边本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子测量装置，适用于一离子植入机的离子束的测量，其中该离子测量装置包括：永磁铁凹槽，具有一开口；石墨层，设置于该开口处，在该石墨层中具有一缝隙，使该离子束经该缝隙、该开口进入该永磁铁凹槽内，其中该缝隙加长到偏斜的被测离子束也能穿过该缝隙而进入该永磁铁凹槽内的程度。

【技术特征摘要】
1.一种离子测量装置，适用于一离子植入机的离子束的测量，其中该离子测量装置包括：永磁铁凹槽，具有一开口；石墨层，设置于该开口处，在该石墨层中具有一缝隙，该缝隙的长度为15-20cm，以使该离子束以及偏斜的被测离子束均经该缝隙、该开口进入该永磁铁凹槽内，该石墨层是由上、下、左、右边框所构成，且该上、下、左、右边框围绕该缝隙，该上边框或/和该下边框为电荷感应装置，该电荷感应装置与一电流计电连接。2.如权利要求1所述的离子测量装置，其中，在该电荷感应装置与该左、右边框之间设有绝缘陶瓷。3.一种用于离子测量装置的石墨层，该离子测量装置适用于一离子植入机的离子束的测量，其中，在该石墨层上具有一缝隙，该缝隙的长度为15-20cm，用于被...

【专利技术属性】
技术研发人员：王智权，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32