基于亲疏水交替表面的浸没流场密封方法技术

本发明专利技术公开了一种基于亲疏水交替表面的浸没流场密封方法。包括两级亲疏水密封：第一级亲疏水密封位于浸没单元的回收流道与浸没单元外缘边界之间，且靠近回收流道；第二级亲疏水密封位于浸没单第一级亲疏水密封的疏水环和浸没单元外缘边界之间，靠近浸没单元外缘边界。采用两级亲疏水密封，对流场边界处发生外溢的浸没液体和独立的泄漏液滴均能很好的进行密封；不存在气流不均匀、压力集中、前进弯月面卷吸气泡等问题，并能减少由气密封引入的系统振动；同时可以降低气密封方法在整体流场密封中所占比例，在保证曝光质量的前提下，提高光刻机的扫描速度，进而提高光刻系统的产能；本发明专利技术可直接用在现有的光刻机上，简化系统结构，降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于亲疏水交替表面的浸没流场密封方法，其特征在于：在浸没式光刻系统中投影透镜组(1)和待曝光硅片衬底(3)之间的浸没单元(2)的下表面进行浸没流场密封的方法，包括第一级亲疏水密封(4)以及第二级亲疏水密封(5)，其中：1)第一级亲疏水密封(4)位于浸没单元(2)的回收流道(2B)与浸没单元外缘边界(2C)之间，第一级亲疏水密封(4)靠近回收流道(2B)；2)第二级亲疏水密封(5)位于浸没单元(2)第一级亲疏水密封(4)的疏水环(4B)和浸没单元外缘边界(2C)之间，第二级亲疏水密封(5)靠近浸没单元外缘边界(2C)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅新，黄瑶，胡亮，陈文昱，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33