固化性硅酮组合物和光学半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种固化性硅酮组合物，其为用于密封、涂布或粘附光学半导体元件的硅氢加成反应固化性硅酮组合物并包含选自除苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物。所述固化性硅酮组合物例如包含(A)每个分子具有至少2个脂族不饱和烃基的有机聚硅氧烷，(B)每个分子具有至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷，(C)选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物，以及(D)硅氢加成反应催化剂。所述固化性硅酮组合物形成具有极佳透明性和耐热冲击性的固化产品，并且利用所述组合物的光学半导体器件具有极佳的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固化性硅酮组合物和光学半导体器件
本专利技术涉及固化性硅酮组合物以及通过使用该组合物制成的光学半导体器件。本专利技术要求于2012年9月7日提交的日本专利申请No.2012-197421的优先权，该专利申请的内容以引用方式并入本文。
技术介绍
由于固化性硅酮组合物形成具有极佳耐候性、耐热性及相似特性且类似橡胶(即，具有硬度、伸长率等)的固化产品，因此将固化性硅酮组合物用作诸如光耦合器、发光二极管、固态图像感测装置等光学半导体器件中的半导体元件的密封剂、保护剂或涂布剂。已提出各种类型的此类固化性硅酮组合物。例如，在日本未经审查的专利申请公布No.2000-198930中提出了一种加成固化型硅酮组合物，其包含每个分子具有至少2个烯基基团的二有机聚硅氧烷、具有树脂结构且具有乙烯基基团的有机聚硅氧烷、每个分子具有至少两个硅键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷，以及硅氢加成反应催化剂。此外，在日本未经审查的专利申请公布No.2005-076003中也提出了一种加成固化型硅酮组合物，其包含具有二苯基硅氧烷单元且每个分子具有至少1个烯基基团的直链有机聚硅氧烷、具有乙烯基基团和苯基基团的支链有机聚硅氧烷、具有二有机氢甲硅烷氧基的有机聚硅氧烷，以及硅氢加成反应催化剂。此外，在日本未经审查的专利申请公布No.2007-327019中提出了一种固化性有机聚硅氧烷组合物，其包含每个分子具有至少2个烯基基团的有机聚硅氧烷，其中全部硅键合的有机基团中的至少20摩尔％为芳基基团；具有硅键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷；每个分子的全部硅键合的有机基团中的至少5摩尔％为烯基基团、全部硅键合的有机基团中的至少5摩尔％为芳基基团、全部硅键合的有机基团中的至少5摩尔％为烷氧基基团且全部硅键合的有机基团中的至少5摩尔％为含环氧基的有机基团的有机聚硅氧烷；以及硅氢加成反应催化剂。另外，在日本未经审查的专利申请公布No.2008-001828中提出了一种固化性有机聚硅氧烷组合物，其包含每个分子具有至少2个烯基基团和至少一个芳基基团的有机聚硅氧烷、每个分子的全部硅键合的有机基团中的至少0.5摩尔％为烯基基团且全部硅键合的有机基团中的至少25摩尔％为芳基基团的有机聚硅氧烷、每个分子具有平均至少两个硅键合的芳基基团以及平均至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷；以及硅氢加成反应催化剂。然而，当使用前述专利文献中提出的固化性硅组合物作为半导体元件的密封树脂时，该固化性硅酮组合物的固化产品具有不良的耐热冲击性。因此，存在诸如由于热冲击而在树脂中快速出现裂痕，尤其是当前述半导体元件为发光二极管时出现诸如不发光的失效的问题。本专利技术的目的是提供一种形成具有极佳透明性和耐热冲击性的固化产品的固化性硅酮组合物，并通过使用该组合物提供一种具有极佳可靠性的光学半导体器件。
技术实现思路
为解决前述问题，本专利技术的专利技术人进行了专门的研究，且本专利技术通过以下发现而实现：通过下述固化性硅酮组合物固化而得的固化产品的耐热冲击性得到了显著的改善，所述固化性硅酮组合物通过将选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物添加至硅氢加成反应固化性硅酮组合物中而获得。本专利技术的固化性硅酮组合物为用于密封、涂布或粘附光学半导体元件的硅氢加成反应固化性硅酮组合物；该固化性硅酮组合物包含选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物。本专利技术的固化性硅酮组合物优选地包含：(A)每个分子具有至少两个脂族不饱和烃基的有机聚硅氧烷；(B)每个分子具有至少两个硅键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷；(C)选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物；以及(D)硅氢加成反应催化剂。在本专利技术的固化性硅酮组合物中，前述组分(A)优选地为由以下平均组成式表示的有机聚硅氧烷：(R1SiO3/2)a(R2R3SiO2/2)b(R4R5R6SiO1/2)c(SiO4/2)d在该式中，R1至R6可为相同或不同类型的单价烃基，所有单价烃基中的0.01摩尔％至50摩尔％为脂族不饱和烃基；“a”、“b”、“c”和“d”表示相应硅氧烷单元的摩尔比且为分别满足以下条件的数：a+b+c+d＝1.0；0≤a≤1.0；0≤b≤1.0；0≤c<0.83；且0≤d<0.50。此外，前述组分(B)优选地为由以下平均组成式表示的有机氢聚硅氧烷：R7eHfSiO[(4-e-f)/2]在该式中，R7为除脂族不饱和烃基以外的经取代或未经取代的单价烃基；且“e”和“f”为分别满足以下条件的数：1.0≤e≤2.0，0.1<f<1.0且1.5≤e+f<2.7。在本专利技术的固化性硅酮组合物中，前述基于三唑的化合物优选地选自N-烷基取代的三唑、N-烷基氨基烷基取代的三唑、烷基取代的苯并三唑、羧基取代的苯并三唑以及硝基取代的苯并三唑。在本专利技术的固化性硅酮组合物中，前述基于三唑的化合物尤其优选地为选自N,N-双(2-乙基己基)-[(1,2,4-三唑-1-基)甲基]胺、甲苯基三唑、羧基苯并三唑和硝基苯并三唑的至少一种类型。此外，前述基于三唑的化合物在固化性硅酮组合物中的含量以质量计优选地为0.01ppm至3％。本专利技术的光学半导体器件通过使用前述固化性硅酮组合物密封、涂布或粘附光学半导体元件而制造。在前述本专利技术的光学半导体器件中，光学半导体元件优选地为发光二极管。本专利技术的效果本专利技术的固化性硅酮组合物的特征为具有极佳透明性并形成具有极佳耐热冲击性的固化产品。另外，本专利技术的光学半导体器件表现出极佳的可靠性。附图说明图1是本专利技术的光学半导体器件的例子的示意性横截面图。具体实施方式下文将详细描述本专利技术的实施例。本专利技术不受以下实施例限制，且可在本专利技术的主旨范围内作出各种类型的修改。[固化性硅酮组合物]本专利技术的固化性硅酮组合物为用于密封、涂布或粘附光学半导体元件的硅氢加成反应固化性硅酮组合物；该固化性硅酮组合物包含选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物。该固化性硅酮组合物由因硅氢加成反应而固化的硅氢加成反应固化性硅酮构成。对于该固化性硅酮组合物无特别限制，只要硅氢加成反应固化性硅酮组合物包含选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物即可。特别地，该固化性硅酮组合物的示例为包含以下部分的至少一种的固化性硅酮组合物：作为组分(A)的每个分子具有至少2个脂族不饱和烃基的有机聚硅氧烷；作为组分(B)的每个分子具有至少两个硅键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷；作为组分(C)的选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物；以及作为组分(D)的硅氢加成反应催化剂。从处理和可加工性的观点看，固化性硅酮组合物优选地在25℃下为液体。固化性硅酮组合物在25℃下的粘度优选地在10mPa·s至1,000,000mPa·s的范围内。若使用该固化性硅酮组合物作为光学半导体元件的密封剂，则在25℃下的粘度优选地在50mPa·s至50,000mPa·s的范围内。通过将固化性硅酮组合物在25℃下的粘度范围设定在前述范围内，可容易地处理该固化性硅酮组合物，且有可能抑制机械强度的降低。当固化性硅酮组合物在25℃下的粘度低于前述范围的下限时，所得固化产品的机械强度有降低的倾向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固化性硅酮组合物，其为用于密封、涂布或粘附光学半导体元件的硅氢加成反应固化性硅酮组合物；所述固化性硅酮组合物包含选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物中的至少一种类型的化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.07 JP 2012-1974211.一种固化性硅酮组合物，其为用于密封、涂布或粘附光学半导体元件的硅氢加成反应固化性硅酮组合物；所述固化性硅酮组合物包含选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物中的至少一种类型的化合物，其中所述基于三唑的化合物为选自以下组成的组的至少一种类型：N,N-双(2-乙基己基)-[(1,2,4-三唑-1-基)甲基]胺、羧基苯并三唑和硝基苯并三唑。2.根据权利要求1所述的固化性硅酮组合物，其中所述固化性硅酮组合物包含：(A)每个分子具有至少两个脂族不饱和烃基的有机聚硅氧烷；(B)每个分子具有至少两个硅键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷；(C)选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物中的至少一种类型的化合物，其中所述基于三唑的化合物为选自以下组成的组的至少一种类型：N,N-双(2-乙基己基)-[(1,2,4-三唑-1-基)甲基]胺、羧基苯并三唑和硝基苯并三唑；以及(D)硅氢加成反应催化剂。3.根据权利要求2所述的固化性硅酮组合物，其中组分(A)为由以下平均组成式表示的有机聚硅氧烷：(R1SiO3/2)a...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本侑典，吉武诚，吉田宏明，中田稔树，平井和夫，
申请(专利权)人：道康宁东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP