薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法。所述薄膜晶体管包括：基板；依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连。本发明专利技术的薄膜晶体管能够有效增加所述薄膜晶体管的开态电流，且具有较快的开关速度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为一种开关元件被广泛地应用在液晶显示装置等电子装置中。薄膜晶体管由于可以应用在高分辨率(highpixelsperinch，highPPI)的显示设备上而得到广泛地关注。对于薄膜晶体管而言，高的开态电流可以增加所述晶体管的开关速度。为了增加所述薄膜晶体管的开态电流，通常的做法是增加薄膜晶体管中沟道的宽度或者是减小沟道的长度。然而，增大薄膜晶体管中沟道的宽度会降低液晶显示装置的开口率；减小薄膜晶体管的沟道的长度会引起短沟道效应。综上所述，现有技术中薄膜晶体管的开态电流较小，从而导致薄膜晶体管的开关速度较慢。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有较大的开态电流以及较快的开关速度。所述薄膜晶体管包括：基板；依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连。其中，所述薄膜晶体管还包括第一导电部，所述第一导电部用于连接所述源极与所述第一导电层以及连接所述源极与所述第二半导体层，所述第一导电部包括第一凸出部及第一覆盖部，所述第一凸出部的一端与所述第一覆盖部相连，所述第一凸出部收容于所述第一贯孔内以使所述第一凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第一覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第一贯孔，且所述第一覆盖部与所述源极相连。其中，所述薄膜晶体管还包括第二导电部，所述第二导电部用于连接所述漏极与所述第一半导体层以及连接所述漏极与所述第二半导体层，所述第二导电部包括第二凸出部及第二覆盖部，所述第二凸出部的一端与所述第二覆盖部的一端相连，所述第二凸出部收容于所述第二贯孔内以使所述第二凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第二覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第二贯孔，且所述第二覆盖部与所述漏极相连。其中，所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置于所述第一贯孔与所述第一半导体层之间。其中，所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置于所述第二贯孔与所述第一半导体层之间。本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法制备得到的薄膜晶体管具有较大的开态电流以及较快的开关速度。相较于现有技术，在本实施方式的所述薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管包括第一半导体层和第二半导体层这两层半导体层，且所述第一半导体层及所述第二半导体这两层半导体层均与源极及漏极相连，所述第一半导体层充当半导体层的同时也作为所述第二半导体层的栅极。当所述薄膜晶体管工作时，假设所述第一半导体层中的电流为第一电流，所述第二半导体层中的电路为第二电流，则所述薄膜晶体管的开态电流为所述第一电流与所述第二电流的和。本专利技术的薄膜晶体管能够有效增加所述薄膜晶体管的开态电流，因此，所述薄膜晶体管具有较快的开关速度。所述薄膜晶体管的制备方法包括：提供基板；在所述基板的表面依次层叠设置栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层及第二半导体层；覆盖在所述第二半导体层且对应所述第二半导体层两端分别形成源极和漏极；在所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极形成第一贯孔和第二贯孔，以使所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过所述第二贯孔与所述第一半导体层相连。其中，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：形成第一导电部，所述第一导电部包括第一凸出部及第一覆盖部，所述第一凸出部的一端与所述第一覆盖部相连，所述第一凸出部收容于所述第一贯孔内以使所述第一凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第一覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第一贯孔，且所述第一覆盖部与所述源极相连。其中，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：形成第二导电部，所述第二导电部包括第二凸出部及第二覆盖部，所述第二凸出部的一端与所述第二覆盖部的一端相连，所述第二凸出部收容于所述第二贯孔内以使所述第二凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第二覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第二贯孔，且所述第二覆盖部与所述漏极相连。其中，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：形成第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置于所述第一贯孔与所述第一半导体层之间。其中，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：形成第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置于所述第二贯孔与所述第一半导体层之间。相较于现有技术，在本专利技术薄膜晶体管的制备方法制备出来的薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管包括第一半导体层和第二半导体层这两层半导体层，且所述第一半导体层及所述第二半导体这两层半导体层均与源极及漏极相连，所述第一半导体层充当半导体层的同时也作为所述第二半导体层的栅极。当所述薄膜晶体管工作时，假设所述第一半导体层中的电流为第一电流，所述第二半导体层中的电路为第二电流，则所述薄膜晶体管的开态电流为所述第一电流与所述第二电流的和。本专利技术的薄膜晶体管能够有效增加所述薄膜晶体管的开态电流，因此，所述薄膜晶体管具有较快的开关速度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一较佳实施方式的薄膜晶体管的剖面结构示意图。图2为本专利技术一较佳实施方式的薄膜晶体管的制备方法的流程图。图3至图7为本专利技术一较佳实施方式的薄膜晶体管的各个制备流程中对应的薄膜晶体管的剖面图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，图1为本专利技术一较佳实施方式的薄膜晶体管的剖面结构示意图。所述薄膜晶体管100包括基板110，依次层叠设置在所述基板110的表面上的栅极120、栅极绝缘层130、第一半导体层140、蚀刻阻挡层150以及第二半导体层160。所述薄膜晶体管100还包括源极170和漏极180，所述源极170及所述漏极180分别覆盖在所述第二半导体160的两端。所述蚀刻阻挡层150上分别对应所述源极170和所述漏极180设有第一贯孔(viahole)151和第二贯孔152，所述源极170通过所述第一贯孔151与所述第一半导体层140相连，所述漏极180通过所述第二贯孔152与所述第一半导体层140相连。在本实施方式中，所述薄膜晶体管100为底栅极(bottomgate)薄膜晶体管。在本实施方式中，所述基板110为一玻璃基板。可以理解地，在其他实施中，所述基板110并不局限于为玻璃基板，所述基板110也可以为一塑料基板。所述基板110包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板；依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，所述缓冲层设置于是基板的表面上；通过所述缓冲层依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述第一贯孔及所述第二贯孔分别对应所述第一半导体层的两端设置，所述第二半导体层对应所述第一贯孔与所述第二贯孔之间的位置设置，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连；其中，所述第一半导体层充当一半导体层的同时也作为所述第二半导体层的栅极，所述源极及所述漏极均与所述第一半导体层及所述第二半导体层相连，以增加所述薄膜晶体管的开态电流及开关速度。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一导电部，所述第一导电部用于连接所述源极与所述第一导电层以及连接所述源极与所述第二半导体层，所述第一导电部包括第一凸出部及第一覆盖部，所述第一凸出部的一端与所述第一覆盖部相连，所述第一凸出部收容于所述第一贯孔内以使所述第一凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第一覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第一贯孔，且所述第一覆盖部与所述源极相连。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二导电部，所述第二导电部用于连接所述漏极与所述第一半导体层以及连接所述漏极与所述第二半导体层，所述第二导电部包括第二凸出部及第二覆盖部，所述第二凸出部的一端与所述第二覆盖部的一端相连，所述第二凸出部收容于所述第二贯孔内以使所述第二凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第二覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第二贯孔，且所述第二覆盖部与所述漏极相连。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置于所述第一贯孔与所述第一半导体层之间。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置于所述第二贯孔与...

【专利技术属性】
技术研发人员：石龙强，曾志远，李文辉，苏智昱，吕晓文，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44