一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。使用本发明专利技术能够降低沉积温度、简化工艺。本发明专利技术首先将基底加热至250℃～350℃并保温，然后采用磁控溅射或多元共蒸发法制备CIGS光吸收层薄膜，同时对基底照射光子能量范围为1.2eV～6.2eV的光束，最终生成铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜。本发明专利技术实现了CIGS薄膜的一步低温沉积，简化工艺，适合工业化生产，特别适合用于卷绕制备柔性CIGS薄膜太阳电池。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及表面工程
，具体涉及一种铜铟镓砸(CIGS)薄膜太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。
技术介绍
随着空间、近空间飞行器以及地面军事智能化装备的发展，其能源供给系统对太阳电池提出了诸多新的要求，如:轻质、高效、强的抗辐射能力等。柔性CIGS薄膜太阳电池以其高效、强的空间抗辐射性与整体的稳定性成为最有潜力应用于空间技术的电池之一。CIGS吸收层的制备技术在整个电池的制备过程中起着决定性的作用。CIGS吸收层的制备有多种工艺技术和方法，最常用的有Cu、In、Ga、Se多元三步共蒸发法、CuInGa合金薄膜预溅射后砸化法。其中多元三步共蒸发法要求在薄膜沉积过程中必需保持砸量充足，同时基底温度必需保持在400°C?600°C。后砸化法制备CIGS薄膜必需经过砸化工艺，砸化温度在550°C左右。以上两类方法制备CIGS薄膜时基底都要承受400°C?600°C的高温，以保证薄膜中完整的砸化，使薄膜具有好的成分和组织结构，因此，多用于硬性基底而不适用于柔性基底，400°C?600°C的高温要高于聚酰亚胺等柔性基底的耐受温度，因此低温生长CIGS薄膜成为必要的发展方向。另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜制备方法，其特征在于，将基底加热至250℃～350℃并保温，然后采用磁控溅射或多元共蒸发法制备CIGS光吸收层薄膜，同时对基底照射光子能量范围为1.2eV～6.2eV的光束，最终生成铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王金晓，冯煜东，王艺，王志民，赵慨，速小梅，王虎，杨淼，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃;62