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本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。使用本发明能够降低沉积温度、简化工艺。本发明首先将基底加热至250℃～350℃并保温，然后采用磁控溅射或多元共蒸发法制备CIGS光吸收层薄膜，同时对基底照射光子能量范围为1.2eV...
该专利属于兰州空间技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过兰州空间技术物理研究所授权不得商用。

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