电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列技术

本发明专利技术公开了一种电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列，涉及电致变色技术，解决了现有电致变色显示器件中，阴极材料及阳极材料容易被密封材料污染，且在制备该器件时对位过程的工艺难度大等问题。本发明专利技术实施例中，由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度，形成了具有缺口的抽屉状导槽；又由于超出的高度与阴极薄膜的厚度相同，且抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配，因此可利用抽屉原理，用简单的方法保证阳极材料完全密封，简化了对位过程的工艺难度，且阻挡条及高出的三面外墙封住了阴极薄膜的侧边，避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列本申请是针对申请日为2011年5月23日，申请号为201110134847.5，专利技术名称为“电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列”的中国专利申请提出的分案申请。
本专利技术涉及电致变色技术，尤其涉及电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列。
技术介绍
电致变色显示器件(Electro chromic Device，简称为EO))广泛应用于便携式电子设备中，如个人数字处理器、电纸书等。它具有启动电压低、能耗少、开路后显示的图案可存储一定时间而不需要能耗、费用小、易于制造、对比度好、视角宽等优点。现有电致变色显示器件的结构如图1所示，在具有第一 ITO (氧化铟锡)薄膜12的第一基材11的该第一 ITO薄膜12上形成有微格阵列13，每个微格内填充有阳极材料14，该阳极材料14包括电解质及能实现离子存储功能的材料。微格阵列13上依次覆盖有阴极薄膜15、第二 ITO薄膜16及第二基材17，其中，阴极薄膜15为电致变色材料层。现有电致变色显示器件工作时，在两个ITO薄膜之间加上一定的电压，阴极薄膜15的电致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致变色显示器件，包括：在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料，所述微格阵列中每个微格内填充有阳极材料，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料，其特征在于，所述阴极薄膜的至少一个侧边具有阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中，且所述阻挡条对应于所述缺口...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：渠路，李文波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11