电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列技术

本发明专利技术公开了一种电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列，涉及电致变色技术，解决了现有电致变色显示器件中，阴极材料及阳极材料容易被密封材料污染，且在制备该器件时对位过程的工艺难度大等问题。本发明专利技术实施例中，由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度，形成了具有缺口的抽屉状导槽；又由于超出的高度与阴极薄膜的厚度相同，且抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配，因此可利用抽屉原理，用简单的方法保证阳极材料完全密封，简化了对位过程的工艺难度，且阻挡条及高出的三面外墙封住了阴极薄膜的侧边，避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列本申请是针对申请日为2011年5月23日，申请号为201110134847.5，专利技术名称为“电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列”的中国专利申请提出的分案申请。
本专利技术涉及电致变色技术，尤其涉及电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列。
技术介绍
电致变色显示器件(Electro chromic Device，简称为EO))广泛应用于便携式电子设备中，如个人数字处理器、电纸书等。它具有启动电压低、能耗少、开路后显示的图案可存储一定时间而不需要能耗、费用小、易于制造、对比度好、视角宽等优点。现有电致变色显示器件的结构如图1所示，在具有第一 ITO (氧化铟锡)薄膜12的第一基材11的该第一 ITO薄膜12上形成有微格阵列13，每个微格内填充有阳极材料14，该阳极材料14包括电解质及能实现离子存储功能的材料。微格阵列13上依次覆盖有阴极薄膜15、第二 ITO薄膜16及第二基材17，其中，阴极薄膜15为电致变色材料层。现有电致变色显示器件工作时，在两个ITO薄膜之间加上一定的电压，阴极薄膜15的电致变色材料在电压作用下发生氧化/还原反应，使其颜色发生变化或恢复初始颜色；而电解质由导电材料组成，用于提供氧化/还原反应所需的离子；能实现离子存储功能的材料在电致变色材料发生氧化还原反应时储存相应的反离子，使得整个体系保持电荷平衡。制造图1所示的现有电致变色显示器件的方法包括如下步骤。步骤1、制备阴极部分。在第二基材17上形成第二 ITO薄膜16后，将阴极材料涂敷在第二 ITO薄膜16上，然后烘干，形成阴极薄膜15。步骤2、制备阳极部分。在第一基材11上形成第一 ITO薄膜12后，在第一 ITO薄膜12上涂敷一层辐射固化材料，通过光掩膜版将其光照固化然后将未曝光的部分洗掉，得到微格阵列13，然后采用刮涂或者灌装的方式将阳极材料14灌入微格阵列13。微格阵列13外周尺寸与阴极薄膜15外周尺寸相同。步骤3、贴合。使阴极薄膜15与微格阵列13对准后，将阴极部分与阳极部分对位、贴合形成盒状结构，阴极薄膜15覆盖在微格阵列13上。步骤4、封装。在盒状结构周边涂覆密封材料，以将该盒状结构周边密封，使得阴极薄膜15及阳极材料14不外露。在制造上述电致变色显示器件的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:在贴合步骤中，因为需要进行阴极薄膜与微杯阵列的精确对位，若对位不准，液态的阳极材料就会流出，导致产品的良率下降，使得对位过程具有较高的工艺难度；在封装步骤中，由于阴极薄膜的侧边从盒状结构的侧边露出，会直接与密封材料接触，因此会导致阴极材料被密封材料污染，且如果存在上述对位不准，会导致密封材料与露出的阳极材料接触，而污染阳极材料。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列，可防止该器件的阴极材料及阳极材料被密封材料污染，并能在制备该器件时，降低对位过程的工艺难度。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:一种电致变色显示器件，包括:在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料，所述微格阵列中每个微格内填充有阳极材料，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料；所述阴极薄膜的至少一个侧边具有阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中，且所述阻挡条对应于所述缺口的位置。一种电致变色显示器件的制备方法，包括:在第一导电基材上形成阴极薄膜；在所述阴极薄膜的至少一个侧边形成阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；在第二导电基材上形成微格阵列，所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格阵列中微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配；在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料；使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另一侧边对准所述抽屉状导槽的缺口，将所述阴极薄膜推入所述抽屉状导槽内，以使所述第一、二导电基材、所述阴极薄膜与所述微格阵列扣合成盒状结构；用密封材料封装所述盒状结构。一种电致变色显示器件的阴极结构，包括阴极薄膜，还包括阻挡条，所述阻挡条形成在所述阴极薄膜的至少一个侧边，且所述阻挡条在垂直于所述阴极薄膜的方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同。一种电致变色显示器件的微格阵列，具有多个高度相同的微格，所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽。本专利技术实施例提供的电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列中，由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺口的抽屉状导槽，未超出微格的那面外墙对应缺口的位置，且外墙超出的高度与阴极薄膜的厚度相同，抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阴极薄膜及第一导电基材能将阳极材料完全密封。且扣合过程利用了抽屉原理，用简单的方法保证了阳极材料完全密封，简化了对位过程的工艺难度。另外，由于阻挡条对应于抽屉状导槽上缺口的位置，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阻挡条能封住阴极薄膜的一条侧边，而微格阵列高出的三面外墙封住了阴极薄膜其它三条侧边，不会使阴极薄膜从盒状结构的侧边露出，因此，密封材料不会接触到阴极、阳极材料，也就避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有电致变色显示器件的剖面图；图2为本专利技术电致变色显示器件中阴极部分的立体图；图3为本专利技术电致变色显示器件中阳极部分的立体图；图4为本专利技术电致变色显示器件阴极部分与阳极部分扣合过程的剖面图。【具体实施方式】本专利技术实施例提供一种电致变色显示器件，包括:在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料，所述微格阵列中每个微格内填充有阳极材料，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料；所述阴极薄膜的至少一个侧边具有阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中，且所述阻挡条对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致变色显示器件，包括：在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料，所述微格阵列中每个微格内填充有阳极材料，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料，其特征在于，所述阴极薄膜的至少一个侧边具有阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中，且所述阻挡条对应于所述缺口的位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：渠路，李文波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11