有机电致发光器件及其制备方法技术

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由金属氧化物掺杂层，有机电子传输材料掺杂层和金属硫化物掺杂层组成，金属氧化物掺杂层包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的金属硫化物，金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述有机电子传输材料掺杂层包括有机电子传输材料及掺杂在所述有机电子传输材料中的金属，所述金属硫化物掺杂层包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的二氧化钛，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明专利技术还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由金属氧化物掺杂层，有机电子传输材料掺杂层和金属硫化物掺杂层组成，金属氧化物掺杂层包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的金属硫化物，金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述有机电子传输材料掺杂层包括有机电子传输材料及掺杂在所述有机电子传输材料中的金属，所述金属硫化物掺杂层包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的二氧化钛，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本专利技术还提供一种有机电致发光器件的制备方法。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。 传统的有机电致发光器件的阴极一般为银(Ag)、金(Au)等金属，制备后阴极极易渗透到有机层，对有机层造成破坏，电子在阴极附近容易淬灭，从而发光效率较低。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种发光效率较高的。 —种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由金属氧化物掺杂层，有机电子传输材料掺杂层和金属硫化物掺杂层组成，所述金属氧化物掺杂层包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的金属硫化物，所述金属氧化物选自三氧化钥，三氧化钨和五氧化二钒中至少一种，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述有机电子传输材料掺杂层包括有机电子传输材料及掺杂在所述有机电子传输材料中的金属，所述有机电子传输材料选自1，2，4-三唑衍生物、2，2’-(1,3-苯基)二 、2，9- 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并噻吩中至少一种，所述金属选自银、铝、钼和金中至少一种，所述金属硫化物掺杂层包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的二氧化钛，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种。 所述金属氧化物掺杂层中所述金属氧化物与所述金属硫化物的质量比为1:1?5:1,所述有机电子传输材料掺杂层中所述有机电子传输材料与金属的质量比为2:1?5:1，所述金属硫化物掺杂层中所述金属硫化物与所述二氧化钛的掺杂质量比为1:2?5:1。 所述金属氧化物掺杂层厚度为20nm?50nm,所述有机电子传输材料掺杂层厚度为50nm?250nm,所述金属硫化物掺杂层厚度为10nm?200nm。 所述发光层的材料选自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述空穴注入层的材料选自三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种。 所述空穴传输层的材料选自I, 1-二 苯基]环己烷、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基_4，4’ -联苯二胺中的至少一种，所述电子传输层的材料选自4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤: 在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层;及 在电子注入层表面通过热阻蒸镀的方法制备金属氧化物掺杂层，所述金属氧化物掺杂层包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的金属硫化物，所述金属氧化物选自三氧化钥，三氧化鹤和五氧化二 f凡中至少一种，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，接着在所述金属氧化物掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备有机电子传输材料掺杂层，所述有机电子传输材料掺杂层包括有机电子传输材料及掺杂在所述有机电子传输材料中的金属，所述有机电子传输材料选自1，2，4-三唑衍生物、2，2’ -(1，3-苯基)二 、2，9_ 二甲基_4，7-联苯_1，10-邻二氣杂菲和2，8-二 (二苯膦氧基)二苯并噻吩中至少一种，所述金属选自银、铝、钼和金中至少一种，通过电子束蒸镀的方式在所述有机电子传输材料掺杂层表面蒸镀制备所述所述金属硫化物掺杂层，所述金属硫化物掺杂层包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的二氧化钛，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种。 所述金属氧化物掺杂层中所述金属氧化物与所述金属硫化物的质量比为1:1?5:1,所述有机电子传输材料掺杂层中所述有机电子传输材料与金属的质量比为2:1?5:1，所述金属硫化物掺杂层中所述金属硫化物与所述二氧化钛的掺杂质量比为1:2?5:1。 所述第一金属硫化物层厚度为1nm?30nm,所述金属硫化物掺杂层厚度为5nm?50nm,所述第二金属硫化物层厚度为10nm?300nm。 所述热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X KT3Pa?5X 10_5Pa，工作电流为IA?3A,有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s ?10nm/so 所述电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2?lOOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。 上述，通过制备多层结构的阴极结构，该阴极结构层由金属氧化物掺杂层，有机电子传输材料掺杂层和金属硫化物掺杂层组成，金属氧化物为双极性金属氧化物能够起到电子传输的作用，可加强电子传输性能，加入金属硫化物可提高光的透过率，有机电子传输材料掺杂层中的有机电子传输材料具有结晶性，结晶材料与金属进行掺杂，可以使膜层表面形成波纹结构，使垂直发射的光散射，不再垂直，从而不与金属层的自由电子发生偶合，提高光子利用率，金属能够提高有机电致发光器件的导电性，最后制备一层金属硫化物掺杂层，金属硫化物与二氧化钛组成，金属硫化物可以实现光的反射，使向顶部发射的光反射回底部，二氧化钛可以增加光的散射，从而加强反射效率从而提闻发光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图； 图2为一实施方式的有机电致发光器件的阴极结构示意图； 图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对进一步阐明。 请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60及阴极70。 阳极10为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由金属氧化物掺杂层，有机电子传输材料掺杂层和金属硫化物掺杂层组成，所述金属氧化物掺杂层包括金属氧化物及掺杂在所述金属氧化物中的金属硫化物，所述金属氧化物选自三氧化钼，三氧化钨和五氧化二钒中至少一种，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述有机电子传输材料掺杂层包括有机电子传输材料及掺杂在所述有机电子传输材料中的金属，所述有机电子传输材料选自1,2,4‑三唑衍生物、2,2'‑(1,3‑苯基)二[5‑(4‑叔丁基苯基)‑1,3,4‑恶二唑]、2,9‑二甲基‑4,7‑联苯‑1,10‑邻二氮杂菲和2，8‑二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中至少一种，所述金属选自银、铝、铂和金中至少一种，所述金属硫化物掺杂层包括金属硫化物及掺杂在所述金属硫化物中的二氧化钛，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，张娟娟，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44