【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供一种用于抛光硅晶片的化学机械抛光组合物，其含有：水；任选的磨料；如通式(I)所示的阳离子；如通式(II)所示的哌嗪或哌嗪衍生物；季铵化合物；所述化学机械抛光组合物的pH为9-12。还提供制备和使用化学机械抛光组合物的方法。【专利说明】用于抛光枯晶片的化学机械抛光组合物及相关方法 本专利技术一般涉及化学机械抛光领域。具体地，本专利技术涉及一种化学机械抛光组合 物W及对娃晶片进行化学机械抛光的方法。 用于半导体工业的娃晶片，通常需要非常高度的表面光洁度（surface pe计ection)，才可被用于器件制造。该娃晶片的表面通过用抛光浆料化学机械抛光晶片表 面来制备。抛光浆料通常由含有亚微米级磨粒浓度的组合物组成。用抛光浆料浸浴或淋洗 娃晶片，同时联合使用按压在娃晶片表面上并旋转的抛光垫，从而将抛光浆料中的磨粒在 负荷下按压在娃晶片的表面上。抛光垫的横向移动导致抛光浆料中的磨粒移动跨过娃晶片 表面，从而使娃晶片表面的材料磨损或体积去除。理想情况下，该样的工艺选择性去除凸出 的表面形态，从而当该工艺完成后，得到直至最细小的细节都完美的平坦表面。 通常在工业...
【技术保护点】
一种用于抛光硅晶片的化学机械抛光组合物，其含有：水；任选的磨料；如通式(I)所示的阳离子：其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1‑10烷基、C1‑10芳基、C1‑10芳基烷基和C1‑10烷基芳基；以及如通式(II)所示的哌嗪或哌嗪衍生物其中R5选自下组：氢、C1‑10烷基、C1‑10芳基、C1‑10芳基烷基和C1‑10烷基芳基；以及选自下组的季铵化合物：氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四异丙基铵、氢氧化四环丙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化四异丁基铵、氢氧化四叔丁基铵、氢氧化四仲丁基铵、氢氧化四环丁基铵、氢氧化四戊基铵、氢氧化四环戊基铵、氢氧化...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：板井康行，N·K·奔达，河井奈绪子，中野裕之，羽场真一，太田庆治，松下隆幸，寺本匡志，中岛咲子，户田智之，吉田光一，L·M·库克，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，霓塔哈斯株式会社，
类型：发明
国别省市：美国;US
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