一种有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，所述封装层包括至少一个封装单元，所述封装单元包括依次叠层设置的氮氧化硅阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层，所述氮氧化硅阻挡层的材质为氮氧化硅化合物，所述第一无机阻挡层的材质为ⅢA族金属的氧化物，所述第二无机阻挡层的材质为ⅣB族金属的氧化物。该有机电致发光器件采用多层材料层交替封装，致密性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，从而显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明专利技术还提供了该有机电致发光器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，所述封装层包括至少一个封装单元，所述封装单元包括依次叠层设置的氮氧化硅阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层，所述氮氧化硅阻挡层的材质为氮氧化硅化合物，所述第一无机阻挡层的材质为ⅢA族金属的氧化物，所述第二无机阻挡层的材质为ⅣB族金属的氧化物。该有机电致发光器件采用多层材料层交替封装，致密性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，从而显著地提高有机电致发光器件的寿命。本专利技术还提供了该有机电致发光器件的制备方法。【专利说明】
本专利技术涉及有机电致发光器件，具体涉及。
技术介绍
有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在透明阳极和阴极层之间夹有多层有机材料薄膜(空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子输送层和电子注入层)，当电极间施加一定的电压后，发光层就会发光。近年来，有 机电致发光器件由于本身制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压以及 节能环保等特点已经在全色显示、背光源和照明等领域受到了广泛关注，并被认为是最有 可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。 目前，有机电致发光器件存在寿命较短的问题，这主要是因为有机材料薄膜很疏 松，易被空气中的水汽和氧气等成分渗入后迅速发生老化。在实际工作时，阴极层被腐蚀 10%就会严重影响器件的工作。因此，有必要提供一种能够有效阻隔水氧渗透的有机电致 发光器件的封装方法。
技术实现思路
为克服上述现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种有机电致发光器件及其制备方 法。该有机电致发光器件的封装层采用氮氧化硅阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡 层交替叠层封装，致密性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，从而显著 地提高有机电致发光器件的寿命。本专利技术方法适用于以导电玻璃为基板制备的有机电致发 光器件，也适用于以塑料或金属为基底制备的柔性有机电致发光器件。本专利技术方法尤其适 用于封装柔性有机电致发光器件。 -方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发 光功能层、阴极层和封装层，所述封装层包括至少一个封装单元，所述封装单元包括依次叠 层设置的氮氧化硅阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层，所述氮氧化硅阻挡层的材 质为氮氧化硅化合物，所述第一无机阻挡层的材质为III A族金属的氧化物，所述第二无机 阻挡层的材质为IV B族金属的氧化物。 优选地，所述III A族金属的氧化物为三氧化二硼（B203)、三氧化二铝（A120 3)、三氧 化二镓（Ga203)、三氧化二铟（ln203)或三氧化二铊（T1 203)，所述IV B族金属的氧化物为二氧 化钛（Ti02)、二氧化锆（Zr02)或二氧化铪（Hf02)。 优选地，所述氮氧化娃阻挡层的厚度为150nm?200nm，所述第一无机阻挡层的厚 度均为15nm?20nm，所述第二无机阻挡层的厚度均为15nm?20nm。 优选地，所述封装层重复设置3?5次。 优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子 传输层和电子注入层。 优选地，所述阳极基板为导电玻璃基板或导电塑料或金属薄膜基板。 空穴注入层采用行业内常用材料，优选为N，N' -二苯基-N，N' -(1-萘 基）_1，1'-联苯-4,4'_二胺（NPB)掺杂M〇03 (三氧化钥）。 空穴传输层采用行业内常用材料，优选为4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺 (TCTA)。 发光层采用行业内常用材料，优选为1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)掺杂三（2-苯基吡啶）合铱（Ir (ppy) 3)。 电子传输层采用行业内常用材料，优选为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。 电子注入层采用行业内常用材料，优选为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)掺 杂叠氮化铯（CsN3)。 阴极层可以为非透明金属阴极层(铝、银、金等)，也可以为透明阴极层（介质层夹 杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等)。 优选地，阴极层的材质为铝、银或金。 优选地，阴极层为氧化铟锡（ITO) /Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS形成的夹层结构。 所述第一、二无机阻挡层的材质分别为III A族金属的氧化物和IV B族金属的氧化 物，结构致密，能够有效地阻隔水氧渗透进入器件内部；所述氮氧化硅阻挡层的材质为氮氧 化硅化合物（SiOxNy，其中 0? 01 < x 彡 1. 5,0. 01 < y 彡 1. 3,0. 5 < x+y < 2. 5)，该氮氧化 硅阻挡层内应力小，对氧化物有很好的缓冲作用，此外，该层平整度好，有利于氧化物在其 上成膜，且抗腐蚀能力强，能进一步延长水、氧渗透路径，总之，所述第一、二无机阻挡层和 所述氮氧化硅阻挡层能协同地有效阻挡外界水汽和氧气对有机电致发光器件的侵蚀，从而 延长器件寿命。 另一方面，本专利技术提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤： (1)在洁净的导电基板上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基板； 采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上制备发光功能层和阴极层； (2)在阴极层上制备封装层，所述封装层包括至少一个封装单元，所述封装单元的 制备方法如下： (a)氮氧化硅阻挡层的制作： 采用等离子体增强化学气相沉积法在所述阴极层表面沉积氮氧化硅阻挡层，所述 氮氧化硅阻挡层的材质为氮氧化硅化合物，在所述沉积氮氧化硅阻挡层的过程中，沉积温 度为40?60°C，采用的气源为六甲基二硅胺（HMDS)、氨气（NH3)氧气（02)和氩气（Ar)，其 中，所述六甲基二娃胺的流量为6?14sccm，所述氨气的流量为2?80sccm，所述氧气的流 量为2?18sccm，所述氦气的流量为70?18sccm ; (b)第一无机阻挡层的制作： 通过原子层沉积的方法在所述氮氧化硅阻挡层上沉积第一无机阻挡层，所述第一 无机阻挡层的材质为III A族金属的氧化物，在所述沉积第一无机阻挡层的过程中，沉积温 度为40?60°C，采用的前驱体为III A族金属的三甲基化合物和水蒸气，所述III A族金属的 三甲基化合物和水蒸气的注入时间皆为10?20ms，两者之间间隔注入惰性气体，所述惰性 气体的注入时间为5?10s，所述IIIA族金属的三甲基化合物、水蒸气和惰性气体的的流量 皆为10?20sccm ; (c)第二无机阻挡层的制作： 通过原子层沉积的方法在所述第一无机阻挡层上沉积第二无机阻挡层，得到有机 电致发光器件，其中，所述第二无机阻挡层的材质为IV B族金属的氧化物，在所述沉积第二 无机阻挡层的过程中，沉积温度为40?60°C，采用的前驱体为IV B族金属的四（二甲基胺 基)化合物和水蒸气，所述IV B族金属的四（二甲基胺基)化合物和水蒸气的注入时间分别为 0. 2?Is和20?40ms，两者之间间隔注入惰性气体，所述惰性气体的注入时间为5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，其特征在于，所述封装层包括至少一个封装单元，所述封装单元包括依次叠层设置的氮氧化硅阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层，所述氮氧化硅阻挡层的材质为氮氧化硅化合物，所述第一无机阻挡层的材质为ⅢA族金属的氧化物，所述第二无机阻挡层的材质为ⅣB族金属的氧化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，钟铁涛，王平，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44