一种LED芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层；该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层；该第二型半导体层上具有第二电极延伸层；该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区；透明绝缘层的端面上具有第一型电极和第二型电极；第一型电极和第二型电极分别通过第一电极连接层和第二电极连接层经该透明绝缘层上设置的第一通孔和第二通孔连接该第一电极延伸层和该第二电极延伸层；本实用新型专利技术优化了电极的设置，降低了芯片工作电压，增大了芯片有效发光面积，提高了芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层；该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层；该第二型半导体层上具有第二电极延伸层；该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区；透明绝缘层的端面上具有第一型电极和第二型电极；第一型电极和第二型电极分别通过第一电极连接层和第二电极连接层经该透明绝缘层上设置的第一通孔和第二通孔连接该第一电极延伸层和该第二电极延伸层；本技术优化了电极的设置，降低了芯片工作电压，增大了芯片有效发光面积，提高了芯片的发光效率。【专利说明】一种LED芯片结构
本技术涉及LED芯片结构。
技术介绍
LED发光二极管具有耗能少，使用寿命长的特点，已广泛应用于各个领域。近期，随着发光二极管照明性能指标的大幅度提高，LED发光二极管在照明领域得到快速的应用和发展。 但是传统氮化镓基发光二极管通常生长在蓝宝石衬底上，在制作电极过程中，特别是制作N型电极时，需要蚀刻一部分的P型半导体层和发光层，然后再把N型电极连接在N型半导体层上，这种传统的结构主要存在问题是P型电极和N型电极不等高，不利于芯片的倒装和贴装，P型电极和N型电极设置较为呆板，不利于芯片结构的多样化设计，同时其在制作N型电极时，需蚀刻掉较多面积的发光层，这样会损失较多发光面积，发光效率较低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种LED芯片结构，其优化了电极的设置，降低了芯片工作电压，且可增大有效发光面积，有效提高芯片的发光效率。 为达到上述目的，本技术的技术方案是:一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层； 该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层； 该第二型半导体层上具有第二电极延伸层； 该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区； 在该透明绝缘层上具有第一通孔和第二通孔，该第一通孔位于该暴露区之透明绝缘层中且连通至该第一电极延伸层，第二通孔连通至该第二电极延伸层； 在该透明绝缘层远离第二型半导体层的端面上具有第一型电极和第二型电极； 该第一通孔中设有第一电极连接层，第一电极连接层连接该第一型电极延伸层与该第一型电极；该第二通孔中设有第二电极连接层，第二电极连接层连接该第二电极延伸层与该第二型电极。 优选该第一型半导体层为N型半导体层，该第二型半导体层为P型半导体层。 进一步改进结构，在该第二型半导体层与该透明绝缘层之间设置一透明电流扩散层，且把该第二电极延伸层连接在透明电流扩散层上。其可有效提高电流的扩展性能。 进一步改进结构，该第一型电极下方之该透明绝缘层中及/或该第二型电极下方之该透明绝缘层中具有一反射层。可以较好把发光层发出的光反射到外部，减少第一型电极和第二型电极对光的阻挡。 优选该第一通孔至少有两个及/或该第二通孔至少有两个。 优选该第一电极延伸层及/或该第二电极延伸层上视为圆形、长条形或环形。 优选一种该第一电极延伸层与该第二电极延伸层的布置方式，该第一电极延伸层与该第二电极延伸层上视为交错排列。 优选另一种该第一电极延伸层与该第二电极延伸层的布置方式，该第一电极延伸层上视为环绕该第二电极延伸层。 优选该透明绝缘层的厚度大于1.2um。通过增大该透明绝缘层的厚度可以增大光线的出射角度，减少电极部分的阻挡，进一步提高光效。 优选该第一型电极和该第二型电极的高度大致相同。有利于倒装和贴装。 优选该第一型电极及/或该第二型电极包括一打线部及一延伸部。以方便制造。 本技术具有以下有益效果: 1、本技术把第一型电极和第二型电极设置在在透明绝缘层远离第二型半导体层的端面上，然后第一型电极通过第一电极连接层和第一电极延伸层连接第一型半导体层，第二型电极通过第二电极连接层和第二电极延伸层连接第二型半导体层，这样就可以方便实现电极的跨接及第一型电极和第二型电极的等高，电极的设置位置非常灵活，第一型电极和第二型电极的设置大为优化；同时其可以减少第二型半导体层和发光层的蚀刻面积，尽可能多的保留发光面积，提高了芯片的发光效率。 2、通过透明绝缘层，把单一平面化的电极设置，变成多层立体化电极设置，改进电流分布的导线设计，也能增加有效发光面积，提高芯片的发光效率。 3、在受限制的芯片面积下和蚀刻同样面积半导体层情况下，由于可以跨接和立体化的电极设置，就可以置入更多金属导线，增加电流扩散面积，达到最大电流扩散效果，利于降低芯片工作电压，增大工作电流，也能提高芯片的发光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术第一种实施例立体图； 图2是图1的俯视图； 图3是图2的A-A剖视图； 图4是本技术第一种实施例隐藏第一电极连接层、第一型电极、第二电极连接层及第二型电极立体图； 图5是本技术第一种实施例隐藏透明绝缘层立体图； 图6是图5的俯视图； 图7是本技术第一种实施例隐藏透明绝缘层且不设置反射层的立体图； 图8是本技术第二种实施例立体图； 图9是本技术第二种实施例隐藏透明绝缘层立体图； 图10是图9的俯视图； 图11是本技术第二种实施例隐藏透明绝缘层且不设置反射层立体图； 图12是本技术第三种实施例立体图； 图13是本技术第三种实施例隐藏透明绝缘层立体图； 图14是图13的俯视图； 图15是本技术第三种实施例隐藏透明绝缘层且不设置反射层立体图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体的实施方式对本技术作进一步详细说明。 本技术实施例一，绘示如图1至图6所示。图1是本技术第一实施例之LED芯片结构立体图，图2为图1的俯视图。一种LED芯片结构，包括衬底10，以及在衬底10上以外延工艺形成之半导体迭层。半导体迭层包括依次堆叠之第一型半导体层1、发光层2和第二型半导体层3，衬底10可为蓝宝石(Sapphire)基板、娃(Silicon)基板、碳化娃(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板、或砷化镓(GaAs)基板。半导体迭层中第一型半导体层1、发光层2和第二型半导体层3之材料系包含至少一种元素选自于由铝(A1)、镓(Ga)、铟(In)、氮⑶、磷(P)、砷(As)及硅(Si) 所构成之群组，例如为AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN等之半导体化合物。发光层2之结构可为单异质结构(single heterostructure ；SH)、双异质结构(double heterostructure ； DH)、双面双异质结构(double-side doubleheterostructure ； DDH)或多重量子井结构(mult1-quantum well structure ； MQW)。第一型半导体层1与第二型半导体层3之电性相异，于本实施例中，该第一型半导体层1为N型半导体层，该第二型半导体层3为P型半导体层。图3为图2沿A-A截面之剖视图，在图3中，半导体迭层中具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，其特征在于：该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层；该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层；该第二型半导体层上具有第二电极延伸层；该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区；在该透明绝缘层上具有第一通孔和第二通孔，该第一通孔位于该暴露区之透明绝缘层中且连通至该第一电极延伸层，第二通孔连通至该第二电极延伸层；在该透明绝缘层远离第二型半导体层的端面上具有第一型电极和第二型电极；该第一通孔中设有第一电极连接层，第一电极连接层连接该第一型电极延伸层与该第一型电极；该第二通孔中设有第二电极连接层，第二电极连接层连接该第二电极延伸层与该第二型电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴哲雄，呂瞻暘，曾晓强，林聪辉，刘建科，白梅英，
申请(专利权)人：晶宇光电厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35