本发明专利技术属于作物脱毒种苗繁育技术领域,特别涉及一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置及繁育方法，包括地面和电线，所述装置主要设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连。该装置简单、温度易调控、使脱毒种苗受热均匀，解决了冬季低温条件下脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢的问题，缩短培育时间，提高脱毒苗成活率，可运用于多种作物冬季脱毒种苗的繁育。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于作物脱毒种苗繁育
,特别涉及，包括地面和电线，所述装置主要设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连。该装置简单、温度易调控、使脱毒种苗受热均匀，解决了冬季低温条件下脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢的问题，缩短培育时间，提高脱毒苗成活率，可运用于多种作物冬季脱毒种苗的繁育。【专利说明】
本专利技术属于作物脱毒种苗繁育
，特别涉及。
技术介绍
农作物经过几代种植，品质一般都不同程度的退化，在马铃薯、蔬菜、果树、草莓、花卉等农作物上表现得尤为突出，其品质衰退的原因主要是植物病毒的浸染。为获得高产和优良品质，生产中就必须使用无病毒种苗。 目前，农业科技工作者利用生物技术措施，从感染病毒的植株中获得了无病毒种植的苗木材料。如马铃薯植株的顶端分生组织很少或没有病毒，采用顶端分生组织培养技术得到无病毒植株，即脱毒马铃薯种苗，脱毒苗结出的薯块即原原种，繁殖更多的无病毒种薯，供生产中大面积推广使用，产量提高30%_50%。脱毒苗技术现在也运用到了花卉、果树、魔芋等农业生产中，从而生产出优质无毒花卉球种、无病毒果树苗木等。 但冬季气温过低，大部分作物脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢，无法实现周年生产，脱毒种苗不能快速增殖，严重影响种薯(苗)供给。据统计，目前马铃薯脱毒种薯的占有率仅占30%，市场前景十分广阔。因此，需要在现有方法的基础上解决低温对作物脱毒种苗繁育的影响，以实现周年生产，在单位时间内繁育出更多的脱毒种苗应用到生产中，带来更多的社会经济效益、减少资源的浪费。
技术实现思路
为了解决以上技术问题，本专利技术提供，该装置简单、温度易调控、使脱毒种苗受热均匀，解决了冬季低温条件下(T ( 10°C)脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢的问题，缩短培育时间，提高脱毒苗成活率，可运用于多种作物冬季脱毒种苗的繁育。 解决以上技术问题的本专利技术中的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，包括地面和电线，其特征在于:所述装置设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连；拱棚设有棚架和薄膜，棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上；温度控制器、温度传感器件设置于拱棚中。 地布可抑制各种杂草的生长，且具有适度的渗透性，再铺上1cm厚的栽培基质，栽培基质可为蛭石:珍珠岩=2:1的混合物，温度传感器可插入苗床中部的栽培基质中。所述温度控制器的电压为220v+10%，输出功率为220vX10A，温度控制为0_50°C。 所述装置中的苗床温度15-25°c。 所述苗床长X宽=14.5X1.5m。 所述棚架长X宽X高=14.5 X 1.5 X 0.5m，弧度1.9m，使用过程中棚架可以扣在苗床上。 所述地布为聚乙烯地布。 所述薄膜透光率大于80%、厚度为6丝、幅宽大于2m的聚乙烯薄膜。 本专利技术中的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的繁育方法，包括下述步骤:(1)将一层地布A放于地面上，加热电线以一定图形铺设于地布A上形成加热层，再在加热层上铺上一层地布B，然后将栽培基质平铺在地布B上；将温度控制器放在地布旁，温度传感器件一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连，步骤(I)中的加热线与温度控制器相连；(2)苗床消毒:用杀菌剂恶霉灵600-800倍液喷施床面；(3)扦插苗准备:用生根液NAA20PPM、广谱性杀菌剂易保800倍液浸泡脱毒试管苗15min ;(杀菌剂、生根液可从市场上购买。)(4)打开温度控制器电源加热升温，苗床温度控制在15-25°C；(5)扦插脱毒试管苗，密度为300-650株/m2，浇定根水，将棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上形成拱棚，温度控制器、温度传感器件放置于拱棚中，温度控制在15_25°C，湿度控制在70%-80% ；(6)定期浇水和营养液，苗期当白天拱棚内湿度>80%，可揭开拱棚薄膜两端透气，夜间再盖严保温，以保证植株生长旺盛；(7)当扦插苗长至1cm时，可移栽扩繁或剪尖再次扦插，实现脱毒种苗在冬季低温条件下(T< 10°C)增殖扩繁。 本专利技术中加热电线铺设在地布A上形成的图形可为蛇形分布，使加热均匀和稳定。 本专利技术通过对苗床进行加热处理，可控制苗床温度15_25°C，利于作物脱毒种苗的生长，解决了冬季低温条件下(T ( 10°C)脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢的问题，攻克了冬季繁育脱毒种苗的技术难关，特别适用于多种作物冬季脱毒种苗的繁育。 运用本专利技术中的装置及繁育方法，脱毒苗培育成苗时间缩短15天以上，成活率提闻80%以上。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术中苗床加热层蛇形分布示意图其中，1.加热电线2.地布A 【具体实施方式】 下面结合【具体实施方式】对本专利技术作进一步的详细描述。 但不应将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于下述实施例。 实施例1 一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，包括地面和电线，所述装置还设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连；拱棚设有棚架和薄膜，棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上；温度控制器、温度传感器件设置于拱棚中。 地布为聚乙烯地布，温度控制器的电压为220v+10%,输出功率为220vX 10A,温度控制为0-50°C，苗床长X宽=14.5X1.5m，棚架长X宽X高=14.5X1.5X0.5m，弧度1.9m，薄膜透光率>80%、厚度为6丝、幅宽大于2m的聚乙烯薄膜，加热电线铺设在地布A上形成的图形可为蛇形分布，使加热均匀和稳定。 地布可抑制各种杂草的生长，且具有适度的渗透性，再铺上1cm厚的栽培基质，栽培基质可为蛭石:珍珠岩=2:1的混合物，温度传感器可插入苗床中部的栽培基质中。 实施例2一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，包括地面和电线，所述装置还设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连；拱棚设有棚架和薄膜，棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上；温度控本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，包括地面和电线，其特征在于：所述装置设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连；拱棚设有棚架和薄膜，棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上；温度控制器、温度传感器件设置于拱棚中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：桑有顺，冯焱，陈涛，汤云川，王波，李倩，淳俊，黄敏，彭慧，郑光跃，张林，张先德，郑跃翔，骆松华，刘锋，
申请(专利权)人：成都市农林科学院，
类型：发明
国别省市：四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。