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电子攻丝器制造技术

技术编号:11242252 阅读:102 留言:0更新日期:2015-04-01 15:58
一种电子攻丝器,包括带动攻丝器动作的电动机、三相电源、电动机正转控制电路和电动机反转控制电路,所述的电动机正转控制电路采用第一继电器控制实现包括带有第一继电器的第一继电器控制电路、由第一继电器的常开触点控制的第一双向可控硅和第二双向可控硅,所述的第一继电器控制电路包括为供电电源、启动开关、第二电容、第三电容、深度可调电阻、第一MOS晶体管、逐级连接于供电电源正负极之间的一级三极管、二级三极管和三级三极管.采用上述方案的攻丝器,其通过第一继电器实现攻丝器的攻丝动作,在攻好一个孔后台钻会自动停止并退出,省电、省力,且攻丝的深度可通过深度可调电阻调整,实现了自动化加工,极大的提高了劳动效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种电子攻丝器,包括带动攻丝器动作的电动机、三相电源、电动机正转控制电路和电动机反转控制电路,所述的电动机正转控制电路采用第一继电器控制实现包括带有第一继电器的第一继电器控制电路、由第一继电器的常开触点控制的第一双向可控硅和第二双向可控硅,所述的第一继电器控制电路包括为供电电源、启动开关、第二电容、第三电容、深度可调电阻、第一MOS晶体管、逐级连接于供电电源正负极之间的一级三极管、二级三极管和三级三极管.采用上述方案的攻丝器,其通过第一继电器实现攻丝器的攻丝动作,在攻好一个孔后台钻会自动停止并退出,省电、省力,且攻丝的深度可通过深度可调电阻调整,实现了自动化加工,极大的提高了劳动效率。【专利说明】 电子攻丝器
本技术涉及一种对工件的攻丝技术,尤其设计电子攻丝器的控制电路。
技术介绍
工业生产中,通常采用攻丝机加工工件的螺纹。攻丝机包括攻丝器和台钻,一般的攻丝器在启动电动机电源后,电路接通带动攻丝器的台钻旋转,加工过程中,操作人员往往是在不停机的情况下安装工件,飞旋的台钻会带来一定的安全隐患,且攻丝深度不可调由人工把握。
技术实现思路
本技术的目的在于针对已有技术存在的缺陷,提供一种操作安全、生产效率高的电子攻丝器。 为达到上述目的,本技术采用下述技术方案:一种电子攻丝器,包括带动攻丝器动作的电动机、三相电源、电动机正转控制电路和电动机反转控制电路,所述的电动机正转控制电路采用第一继电器控制实现包括带有第一继电器的第一继电器控制电路、由第一继电器的常开触点控制的第一双向可控硅和第二双向可控硅,第一继电器常开触点置于第一双向可控硅和第二双向可控硅控制端上,第一双向可控硅和第二双向可控硅分别连接在为电动机供电的三相电源N相和L相上,所述的第一继电器控制电路包括为供电电源、启动开关、第二电容、第三电容、深度可调电阻、第一 MOS晶体管、逐级连接于供电电源正负极之间的一级三极管、二级三极管和三级三极管,由第二电容、第五单向二极管正向串联而成第一充放支路,由第三电容、第六单向二极管正向串联而成第二充放支路,第一充放支路并联第二充放支路后串接启动开关再接于供电电源正负极之间,所述的一级三极管基极连接第一充放支路的第二电容,二级三极管的基极与一级三极管的集电极相连接,三级三极管的基极通过第一 MOS晶体管连接于二级三极管的集电极,即第一 MOS晶体管的栅极连接二级三极管的集电极,第一 MOS晶体管的源极连接三级三极管的基极,第一 MOS晶体管的漏极连接第二充放支路的第三电容,深度可调电阻的两端分别接于供电电源和三级三极管的基极,三级三极管的发射极通过第一继电器连接在供电电源上;所述的电动机反转控制电路采用第二继电器控制实现,电动机反转控制电路包括带有第二继电器的第二继电器控制电路、由第二继电器的常开触点控制的第三双向可控硅和第四双向可控硅,第二继电器的常开触点置于第三双向可控硅和第四双向可控硅控制端上,第三双向可控硅和第四双向可控硅分别连接在为电动机供电三相电源N相和L相上,所述的第二继电器控制电路包括第四电容、第五电容、第二 MOS晶体管、逐级连接于供电电源正负极之间的四级三极管、五级三极管和六级三极管,由第四电容、第七单向二极管正向串联而成第三充放支路,由第五电容、第八单向二极管正向串联而成第四充放支路,第三充放支路和第四充放支路相互并联在供电电源和第一继电器控制电路三级三极管的发射极之间,所述的四级三极管基极连接第三充放支路的第四电容,五级三极管的基极与四级三极管的集电极相连接,六级三极管的基极通过第二 MOS晶体管连接于五级三极管的集电极,即第二 MOS晶体管的栅极连接五级三极管的集电极,第二MOS晶体管的源极连接六级三极管的基极,第二MOS晶体管的漏极接于第四充放支路的第五电容上,六级三极管的发射极通过第二继电器连接供电电源。 作为一种改进:所述逐级连接于供电电源正负极之间的一级三极管、二级三极管、三级三极管、四级三极管、五级三极管和六级三极管可采用PNP三极管,所述第一继电器控制电路的第一 MOS晶体管以及第二继电器控制电路的第二 MOS晶体管均为NMOS晶体管,所述的一级三极管基极接于第一充放支路的第二电容负极,所述连接在二级三极管基极与一级三极管集电极之间的第一 MOS晶体管漏极接于第二充放支路的第三电容负极上,深度可调电阻的两端分别接于供电电源正极和三级三极管的基极上,三级三极管的发射极通过第一继电器连接供电电源正极;所述的第三充放支路和第四充放支路相互并联在电源正极和第一继电器控制电路的三级三极管的发射极上,所述的四级三极管基极接于第三充放支路的第四电容负极,所述连接在六级三极管基极与五级三极管的集电极之间的第二 MOS晶体管漏极接于第四充放支路的第五电容负极上,六级三极管的发射极通过第二继电器连接供电电源正极。 所述的电动机反转控制电路的第二继电器控制电路还可包括一作为攻丝功能和钻孔功能切换用的切换开关,切换开关的一端连接第一继电器控制电路的三级三极管的发射极上,另一端与供电电源负极连接。 所述的电动机正转控制电路的第一继电器控制电路以及电动机反转控制电路的第二继电器控制电路上还设有安全保护电路,其包括第三继电器、第六电容、正向连接于第一继电器与第三三极管发射极之间的第九单向二极管、两逐级连接于供电电源正负极之间的第七三极管和第八三极管,所述第七三极管的基极连接于第三三极管的发射极上,第七三极管的发射极通过第六电容连接在供电电源正极上,第八三极管的基极与第七三极管的发射极相连接,第八三极管的发射极通过第三继电器连接供电电源正极,第三继电器的常闭触点置于启动开关和切换开关与供电电源负极相接端上,切换开关的另一端连接在第一继电器与第九单向二极管的相接处即第九单向二极管正极端,使得安全保护电路的第三继电器可隔断启动开关和切换开关的作用。 作为一种改进:所述的深度可调电阻在串联安全电阻后接于供电电源正极和三级三极管基极之间。 作为一种改进:所述逐级连接于供电电源正负极之间的一级三极管、二级三极管、三级三极管、四级三极管、五级三极管和六级三极管还可采用NPN三极管,所述第一继电器控制电路的第一 MOS晶体管以及第二继电器控制电路的第二 MOS晶体管均为PMOS晶体管;所述的一级三极管基极接于第一充放支路的第二电容正极,所述连接在二级三极管基极与一级三极管集电极之间的第一 MOS晶体管漏极接于第二充放支路的第三电容正极上,深度可调电阻的两端分别接于供电电源负极和三级三极管的基极上,三级三极管的发射极通过第一继电器连接供电电源负极;所述的第三充放支路和第四充放支路相互并联在电源负极和第一继电器控制电路的三级三极管的发射极上,所述的四级三极管基极接于第三充放支路的第四电容正极,所述连接在六级三极管基极与五级三极管的集电极之间的第二 MOS晶体管漏极接于第四充放支路的第五电容正极上,六级三极管的发射极通过第二继电器连接供电电源负极。 作为一种改进:所述的电动机反转控制电路的第二继电器控制电路还可包括一作为攻丝功能和钻孔功能切换用的切换开关,切换开关的一端连接第一继电器控制电路的三级三极管的发射极上,另一端与供电电源负极连接。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子攻丝器,其特征在于:包括带动攻丝器动作的电动机(M)、三相电源、电动机正转控制电路和电动机反转控制电路,所述的电动机正转控制电路采用第一继电器(KT1)控制实现包括带有第一继电器(KT1)的第一继电器(KT1)控制电路、由第一继电器(KT1)的常开触点控制的第一双向可控硅(SCR1)和第二双向可控硅(SCR2),第一继电器(KT1)常开触点置于第一双向可控硅(SCR1)和第二双向可控硅(SCR2)控制端上,第一双向可控硅(SCR1)和第二双向可控硅(SCR2)分别连接在为电动机供电的三相电源N相和L相上,所述的第一继电器(KT1)控制电路包括为供电电源、启动开关(K1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、深度可调电阻(R8)、第一MOS晶体管(VT1)、逐级连接于供电电源正负极之间的一级三极管(T1)、二级三极管(T2)和三级三极管(T3),由第二电容(C2)、第五单向二极管(D5)正向串联而成第一充放支路,由第三电容(C3)、第六单向二极管(D6)正向串联而成第二充放支路,第一充放支路并联第二充放支路后串接启动开关(K1)再接于供电电源正负极之间,所述的一级三极管(T1)基极连接第一充放支路的第二电容(C2),二级三极管(T2)的基极与一级三极管(T1)的集电极相连接,三级三极管(T3)的基极通过第一MOS晶体管(VT1)连接于二级三极管(T2)的集电极,即第一MOS晶体管(VT1)的栅极连接二级三极管(T2)的集电极,第一MOS晶体管(VT1)的源极连接三级三极管(T3)的基极,第一MOS晶体管(VT1)的漏极连接第二充放支路的第三电容(C3),深度可调电阻(R8)的两端分别接于供电电源和三级三极管(T3)的基极,三级三极管(T3)的发射极通过第一继电器(KT1)连接在供电电源上;所述的电动机反转控制电路采用第二继电器(KT2)控制实现,电动机反转控制电路包括带有第二继电器(KT2)的第二继电器(KT2)控制电路、由第二继电器(KT2)的常开触点控制的第三 双向可控硅(SCR3)和第四双向可控硅(SCR4),第二继电器(KT2)的常开触点置于第三双向可控硅(SCR3)和第四双向可控硅(SCR4)控制端上,第三双向可控硅(SCR3)和第四双向可控硅(SCR4)分别连接在为电动机供电三相电源N相和L相上,所述的第二继电器(KT2)控制电路包括第四电容(C4)、第五电容(C5)、第二MOS晶体管(VT2)、逐级连接于供电电源正负极之间的四级三极管(T4)、五级三极管(T5)和六级三极管(T6),由第四电容(C4)、第七单向二极管(D7)正向串联而成第三充放支路,由第五电容(C5)、第八单向二极管(D8)正向串联而成第四充放支路,第三充放支路和第四充放支路相互并联在供电电源和第一继电器(KT1)控制电路三级三极管(T3)的发射极之间,所述的四级三极管(T4)基极连接第三充放支路的第四电容(C4),五级三极管(T5)的基极与四级三极管(T4)的集电极相连接,六级三极管(T6)的基极通过第二MOS晶体管(VT2)连接于五级三极管(T5)的集电极,即第二MOS晶体管(VT2)的栅极连接五级三极管(T5)的集电极,第二MOS晶体管(VT2)的源极连接六级三极管(T6)的基极,第二MOS晶体管(VT2)的漏极接于第四充放支路的第五电容(C5)上,六级三极管(T6)的发射极通过第二继电器(KT2)连接供电电源。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王伟庭
申请(专利权)人:王伟庭
类型:新型
国别省市:浙江;33

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