一种用于除去单晶硅片表面有机物的漂洗液及清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种用于除去单晶硅片表面有机物的漂洗液及清洗方法，其中漂洗液包括体积分数如下的组分：双氧水：2.30份-4.5份；氢氧化钾：0.20份-1.15份；纯水：94.35份-97.5份，双氧水的质量百分数为30％，氢氧化钾的质量百分数为45％，纯水为18M纯水。清洗方法包括如下步骤：(1)自来水冲洗；(2)乳酸溶液浸泡；(3)自来水漂洗；4)纯水超声波预清洗；(5)清洗液超声波清洗；(6)纯水超声波漂洗；(7)漂洗液漂洗；(8)纯水漂洗；(9)提拉后烘干。本发明专利技术可以有效去除单晶硅片表面残留的有机物，提高单晶硅片表面洁净度，有效降低单晶硅片清洗的不合格率和单晶硅片制绒后的不良占比，提高单晶硅片的质量，增强产品的市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于除去单晶硅片表面有机物的漂洗液，其特征在于，其包括如下体积份数的组分：双氧水：2.3份‑4.5份；氢氧化钾：0.20份‑1.15份；纯水：94.35份‑97.5份，其中所述双氧水的质量百分比浓度为30％，所述氢氧化钾的质量百分比浓度为45％，所述纯水为18M纯水。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，危晨，赵越，王蕾，谭丽娜，王岩，徐强，赵存凤，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古;15