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本发明公开了一种用于除去单晶硅片表面有机物的漂洗液及清洗方法，其中漂洗液包括体积分数如下的组分：双氧水：2.30份-4.5份；氢氧化钾：0.20份-1.15份；纯水：94.35份-97.5份，双氧水的质量百分数为30％，氢氧化钾的质量百分数...该专利属于内蒙古中环光伏材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过内蒙古中环光伏材料有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种用于除去单晶硅片表面有机物的漂洗液及清洗方法，其中漂洗液包括体积分数如下的组分：双氧水：2.30份-4.5份；氢氧化钾：0.20份-1.15份；纯水：94.35份-97.5份，双氧水的质量百分数为30％，氢氧化钾的质量百分数...