半导体制程中铝硅接面的实时监测方法技术
【技术实现步骤摘要】
半导体制程中铝硅接面的实时监测方法
本专利技术涉及一种铝硅接面的实时监测方法，具体地，涉及一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法。
技术介绍
传统电性测试或破坏性分析才可监测工艺上铝硅接面异常，这样会造成产品的损坏，增加成本，另外如果没有电性测试或破坏性分析则不能发现铝硅接面异常。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其可以在半导体制程中及时发现铝硅接面异常，降低成本。根据本专利技术的一个方面，提供一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层；步骤二，在第一护层上形成第二护层；步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中；步骤四，根据第一护层和金属层之间的连接面的表面情况识别出制程、机台是否正常。优选地，所述衬底的材料为硅。优选地，所述金属层的材料是铝。优选地，所述第一护层的材料为非晶硅。优选地，所述第二护层的材料为氮化硅或氮氧化硅。优选地，所述第一护层和金属层之间的连接面为铝硅接面。与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：本专利技术可以在半导体制程中及时发现铝硅接面异常，降低成本和因工艺异常所造成的损失，另外不需要电性测试或破坏性分析就能发现铝硅接面异常，更准、更快地在线上将不正常的机台立刻检验出，避免继续生产产品造成更大的损失。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为形成第一护层后的结构...
【技术保护点】
一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层；步骤二，在第一护层上形成第二护层；步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中；步骤四，根据第一护层和金属层之间的连接面的表面情况识别出制程、机台是否正常。
【技术特征摘要】
1.一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层；步骤二，在第一护层上形成第二护层；步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中；步骤四，根据第一护层和金属层之间的连接面的表面情况识别出制程和机台是否正常；所述金属层的材...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖奇泊，陈俊峰，周雯，
申请(专利权)人：上海芯亮电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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