温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，包括以下步骤：步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层；步骤二，在第一护层上形成第二护层；步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二护层...
该专利属于上海芯亮电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯亮电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。