一种可调单层电容制造技术

本发明专利技术公开了一种可调单层电容，其特征是，包括主电容、位于所述主电容周围的电容调试块和连接所述主电容与电容调试块的键合线；所述电容调试块设置有若干个电容调试块。本发明专利技术所达到的有益效果：在主电容旁设置多个电容调试块，可以方便更改单层电容的容值。当所需电容值大于主电容的值时，可以利用键合线将电容调试块与主电容连接，就可以实现增加单片电容容值的功能。极大的减少了微波器件与模块调试所需的工时，而且结构简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】
—种可调单层电容
本专利技术涉及一种可调单层电容，属于微波器件
。
技术介绍
单层电容是微波器件和微波模组中常用的电容元器件，通常用键合线与其他器件连接以实现射频匹配与过滤电源杂波的功能。在微波器件与模块的调试中需要经常改变单层电容的容值。之前主要是替换单层电容，非常耗费工时。
技术实现思路
为解决现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种可以实现增加单片电容容值功能的单层电容。 为了实现上述目标，本专利技术采用如下的技术方案:一种可调单层电容，其特征是，包括主电容、位于所述主电容周围的电容调试块和连接所述主电容与电容调试块的键合线；所述电容调试块设置有若干个电容调试块。 前述的一种可调单层电容，其特征是，所述电容调试块的容值均不相等。 前述的一种可调单层电容，其特征是，所述键合线一端连接在主电容上，另一端用于与合适的所述电容调试块相连接。 本专利技术所达到的有益效果:在主电容旁设置多个电容调试块，可以方便更改单层电容的容值。当所需电容值大于主电容的值时，可以利用键合线将电容调试块与主电容连接，就可以实现增加单片电容容值的功能。极大的减少了微波器件与模块调试所需的工时，而且结构简单，成本低。 【附图说明】 图1是本装置的结构示意图。 图中附图标记的含义:1-主电容，2-电容调试块，3-键合线。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。 本专利技术设计的单层电容，包括主电容1、电容调试块2和键合线3。如图1，电容调试块2分布在主电容I的周围。电容调试块2电容调试块设置有若干个电容调试块2。所有电容调试块2的容值均不相等，以便于增加容值时的选择，不过也可以对较为常用的电容调试块2多设置一个以备用。主电容I和电容调试块2均设置有与键合线3相匹配的连接孔。 键合线3—端连接在主电容I上，另一端用于与合适的电容调试块2相连接。这样就可以实现增加单片电容容值的功能。极大的减少了微波器件与模块调试所需的工时，而且结构简单，成本低。 以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调单层电容，其特征是，包括主电容、位于所述主电容周围的电容调试块和连接所述主电容与电容调试块的键合线；所述电容调试块设置有若干个电容调试块。

【技术特征摘要】
1.一种可调单层电容，其特征是，包括主电容、位于所述主电容周围的电容调试块和连接所述主电容与电容调试块的键合线；所述电容调试块设置有若干个电容调试块。2.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：多新中，陈强，任春岭，张复才，沈美根，
申请(专利权)人：江苏博普电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32