用于处理芯片的方法技术

提供了用于处理芯片的方法。该方法可包括：提供具有前侧和背侧的芯片；以及通过从芯片的前侧将孔形成到芯片中来在芯片的背侧上形成取向标记，所述孔形成取向标记。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例涉及。
技术介绍
在芯片的各种制造过程期间，取向标记可能例如对使用用于在载体上进行定位的取向标记将单块化芯片放置在载体上是关键的。特别是，对于在任何处理步骤期间只有芯片的裸背侧是可见的情况，背侧具有取向标记对于随后的处理步骤可能是必要的。 非常小的芯片规模封装(CSP)的取向标记一般对于例如在具有小于1 mm2的产品尺寸的硅封装中的二极管和/或晶体管可能是有挑战性的，因为在这样的产品尺寸的情况下，单个晶片一般包含多于50，000和甚至高达600，000个单元。芯片规模封装(CSP)有或没有焊料隆起焊盘，其中到应用的互连由有或没有焊料沉积物的扁平焊料焊盘制造。目前，通常在各种制造过程期间通过两种公知的方法——激光背侧标记和背侧结构化——来提供芯片的取向标记。
技术实现思路
提供了。该方法可包括:提供具有前侧和背侧的芯片；以及通过从芯片的前侧将孔形成到芯片中来在芯片的背侧上形成取向标记，孔形成取向标记。 【附图说明】 在附图中，相同的参考符号通常指的是遍及不同的视图的相同的部件。附图不一定是按比例的，相反通常将重点放在说明本专利技术的原理上。在下面的描述中，参考下面的附图描述了本专利技术的各种实施例，其中:图1图示根据各种实施例的方法；图2图示根据各种实施例的方法；图3图示根据各种实施例的方法；图4图示根据各种实施例的方法；图5图示根据各种实施例的芯片布置的实施例的底视图；图6图示根据各种实施例的芯片布置的在图5中所示的实施例的横截面视图；图7图示根据各种实施例的芯片布置的实施例的底视图；图8图示根据各种实施例的芯片布置的实施例的底视图；图9图示根据各种实施例的芯片布置的各种实施例的顶视图；图10图示根据各种实施例的芯片布置的实施例的顶视图；以及图11图示根据各种实施例的芯片布置的实施例的底视图。 【具体实施方式】 下面的详细描述指的是通过例证示出可实践本专利技术的特定细节和实施例的附图。 词“示例性”在本文用来意指“用作示例、实例或例证”。在本文被描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被理解为超过其它实施例或设计的优选的或有利的。 关于“在”侧面或表面“之上”形成的沉积的材料所使用的词“在…之上”在本文可用来意指沉积的材料可“直接在”暗指的侧面或表面上形成，例如与暗指的侧面或表面直接接触。关于“在”侧面或表面“之上”形成的沉积的材料所使用的词“在…之上”在本文可用来意指沉积的材料可“间接地在”暗指的侧面或表面上形成，其中一个或多个附加的层被布置在暗指的侧面或表面和沉积的材料之间。 各种实施例例证地组合蚀刻和/或等离子体蚀刻(也被称为等离子体切割)的工艺(以便通过例如蚀刻在单元之间的切缝来分离整个晶片的单元)以及在芯片区域内的蚀刻区域的附加的蚀刻和/或等离子体蚀刻工艺(以便在一个公共工艺中得到在每一个单元上的至少一个取向标记)。换句话说，可在一个公共工艺中执行芯片的切割和标记。 通过举例，可指示产品取向以在各种随后的工艺(例如粘胶带工艺)期间防止产品(例如单个芯片)的错误取向，以确保产品以正确的取向被放置到带式载体中。通常在芯片规模封装(CSP)的粘胶带工艺期间，封装必须被放置到具有将被制造有如所指的标准拾取和放置装备的面向下的焊盘侧的带式载体中，且因此一旦产品在常规工艺中被放置到带式载体中，就没有可见的产品取向标记。 图1示出根据各种实施例的100。100可包括在102中提供具有前侧和背侧的芯片以及在104中通过从芯片的前侧将孔形成到芯片中来在芯片的背侧上形成取向标记，其中孔可形成取向标记。 方法100还可包括:通过从芯片的前侧将孔形成到芯片中来在芯片的背侧上形成取向标记，其中孔可形成取向标记，且其中从芯片的前侧将孔形成到芯片中可包括从芯片的前侧开始将孔形成到芯片中。 芯片可以是裸芯片，其中芯片或裸芯片也可分别被称为管芯或裸管芯。在本文中，术语“裸芯片”或“裸管芯”分别指定可能还没有被封装的芯片和管芯。换句话说，裸芯片或裸管芯可以在本文中所公开的方法的处理期间被解除封装，其中这样的组装也可被称为芯片规模封装(CSP)。 在各种实施例中，可通过从芯片的前侧将一个或多个孔形成到芯片中来在(裸)芯片的背侧上形成取向标记，其中一个或多个孔可形成取向标记。通过举例，可通过从芯片的前侧将一个或多个孔(例如多个孔)形成到芯片中来在芯片的背侧上来形成取向标记，其中一个或多个孔(例如多个孔)可形成取向标记。 在各种实施例中，可通过从芯片的前侧将一个或多个孔形成到芯片中来在芯片的背侧上形成一个或多个取向标记，其中一个或多个孔可形成一个或多个取向标记。举例来说，可通过从芯片的前侧将一个或多个孔形成到芯片中来在芯片的背侧上形成一个或多个取向标记(例如多个取向标记)，其中一个或多个孔可形成一个或多个取向标记(例如多个取向标记)。 在各种实施例中，可通过从一个或多个芯片的前侧将一个或多个孔形成到一个或多个芯片中来在一个或多个芯片的背侧上形成一个或多个取向标记，其中一个或多个孔可形成一个或多个取向标记。举例来说，可通过从多个芯片中的一个或多个芯片的前侧将一个或多个孔形成到多个芯片中的一个或多个芯片中(例如多个芯片中的每一个芯片中)来在多个芯片中的一个或多个芯片的背侧上(例如在多个芯片中的每一个芯片的背侧上)形成一个或多个取向标记(例如多个取向标记)，其中一个或多个孔可形成一个或多个取向标记(例如多个取向标记)。 至少一个芯片可具有前侧、背侧和一个或多个侧壁，其中至少一个芯片的前侧面向第一方向，而至少一个芯片的背侧面向与第一方向相反的第二方向。至少一个芯片的前侧也可被称为芯片的顶侧或第一侧。前侧可以是至少一个芯片的一侧，一个或多个电子结构和/或一个或多个结构元件可通过一个或多个前面的工艺和/或可通过一个或多个随后的工艺在该侧上形成。至少一个芯片的背侧也可被称为底侧或第二侧。背侧可以是可基本上没有一个或多个电子结构或电子部件和/或结构元件的至少一个芯片的一侧。 至少一个芯片可具有覆盖区，其可以是几何形状的组中的至少一个，其中该组可包括正方形、矩形、圆形、三角形、六边形、多边形等，或可由其组成。 至少一个芯片可具有覆盖区，其中覆盖区可以是至少一个芯片的前侧和/或背侧的覆盖区，并可在从大约0.2 mm2到大约20 mm2的范围内，或可以在从大约0.01 mm2到大约10 mm2的范围内，或可以在从大约0.1 mm2到大约1 mm2的范围内，或可以在从大约0.1mm2到大约0.2 mm2的范围内，或可以在从大约0.01 mm2到大约0.1 mm2的范围内。 至少一个芯片的前侧可以是一个或多个电子结构和/或结构元件可通过一个或多个工艺，例如通过一个或多个前段制程(FE0L)工艺(例如层沉积、图案化、掺杂或热处理等)形成的那侧。至少一个电子结构和/或结构元件可以是或包括电子结构和/或结构元件的组中的至少一个，其中该组可包括二极管、晶体管、双极结晶体管、场效应晶体管、电阻器、电容器、电感器、晶闸管、功率晶体管、功率金属氧化物半导体(M0S)晶体管、功率双极晶体管、功率场效应晶体管、功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)、M0S控制的晶闸管、硅控整流器、功率肖特基二极管、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理芯片的方法，该方法包括：提供具有前侧和背侧的芯片；通过从所述芯片的所述前侧将孔形成到所述芯片中来在所述芯片的所述背侧上形成取向标记，所述孔形成所述取向标记。

【技术特征摘要】
2013.09.20 US 14/0322231.一种用于处理芯片的方法，该方法包括: 提供具有前侧和背侧的芯片； 通过从所述芯片的所述前侧将孔形成到所述芯片中来在所述芯片的所述背侧上形成取向标记，所述孔形成所述取向标记。2.权利要求1所述的方法， 其中通过蚀刻来形成所述孔。3.权利要求2所述的方法， 其中通过等离子体蚀刻来形成所述孔。4.权利要求1所述的方法， 其中从所述芯片的所述前侧将所述孔形成到所述芯片中包括从所述芯片的所述前侧开始将所述孔形成到所述芯片中。5.权利要求1所述的方法， 其中所述至少一个孔被形成为具有几何主体形状的组中的至少一个的几何主体形状，所述组由下列项组成: 长方体； 圆柱体； 立方体； 棱柱体；以及 抛物体。6.权利要求1所述的方法， 其中从所述芯片的所述前侧形成到所述芯片中的所述至少一个孔的覆盖区在从大约20 9 III2到大约10，000 9 02的范围内。7.一种用于处理芯片的方法，所述方法包括: 提供具有前侧和背侧的芯片； 通过将至少从所述芯片的前侧延伸到所述芯片的所述背侧的凹槽形成到所述芯片中来在所述芯片的所述背侧上形成取向标记，所述凹槽形成所述取向标记。8.权利要求7所述的方法， 其中所述凹槽沿着所述芯片的至少一个边缘从所述前侧被形成到所述芯片中。9.权利要求7所述的方法， 其中通过蚀刻来形成所述凹槽。10.权利要求9所述的方法， 其中通过等离子体蚀刻来形成所述凹槽。11.权利要求7所述的方法， 其中所述至少一个凹槽被形成为...

【专利技术属性】
技术研发人员：S马滕斯，R派希尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE