【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种基于高压工艺的静电保护环。
技术介绍
不同物质的接触、分离或相互摩擦，即可产生静电。例如在生产过程中的挤压、切割、搬运、搅拌和过滤以及生活中的行走、起立、脱衣服等，都会产生静电。可见，静电在我们的日常生活中可以说是无处不在，我们的身上和周围就带有很高的静电电压，几千伏甚至几万伏。这些静电对一些ESDS（静电敏感元件），直接可以使其失去本身应有的正常性能，甚至完全丧失正常功能。静电保护结构一直是集成电路工艺制造中的难点，静电电流的随意性和对电路最薄弱处的破坏加大了集成电路的设计难度，保护环是用于集成电路制造领域中常用的一种结构，用于将引脚上的静电电流从地线或者电源线引走，为增大电流通路，保护环的各层之间的连接孔通常会尽可能布满，但在保护环的拐角处，由于尖角区域电力线集中，因此很容易在拐角处发生击穿。
技术实现思路
为克服现有技术在保护环拐角处易击穿的技术缺陷，本专利技术提供一种基于高压工艺的静电保护环。本专利技术所述一种基于高压工艺的静电保护环，包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔，其特征在于，在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。 具体的，所述第一物理层和第二物理层均为金属层。具体的，所述第一物理层为金属层，第二物理层为多晶硅或阱。 具体的，所述第一物理层为阱，第二物理层为衬底。优选的，所述多个孔的大小和孔之间的间距符合最小设计规则。具体的，所述孔的直径为0.2微米。采用本专利技术所...
【技术保护点】
一种基于高压工艺的静电保护环，包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔，其特征在于，在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。
【技术特征摘要】
1.一种基于高压工艺的静电保护环，包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔，其特征在于，在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。
2.一种如权利要求1所述的基于高压工艺的静电保护环，其特征在于，所述第一物理层和第二物理层均为金属层。
3.一种如权利要求1所述的基于高压工艺的静电保护环，其特征在于，所述第一物理层为金属层，第二...
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