芯片封装及其制造方法和芯片组件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及芯片封装及其制造方法和芯片组件及其制造方法。提供制造芯片封装的方法。所述方法可以包含将至少一个第一芯片用其第二侧电接触到导电载体，所述第一芯片包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。在所述导电载体的至少一部分之上以及在芯片的第一侧的至少一部分之上形成绝缘层。在所述绝缘层之上布置至少一个第二芯片。在所述第一芯片和所述第二芯片之上形成密封材料。穿过所述密封材料形成到所述至少一个第一芯片的至少一个接触以及到所述至少一个第二芯片的至少一个接触的电接触。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例大体上涉及制造芯片封装的方法、芯片封装、制造芯片组件的方法以及芯片组件。
技术介绍
在芯片封装中若干芯片可以并排地或芯片挨芯片被布置在载体上。芯片可以被电耦合到载体。在这样的芯片封装中一个芯片到另一个芯片的电隔离可能对芯片并且大体上对芯片封装的功能性是重要的。芯片可以彼此具有给定的距离和/或可以被隔离材料分离以提供合适的芯片隔离。为了提供更好的隔离，芯片之间距离增加。如，在如包括比如彼此紧挨的两个功率芯片以及经常作为逻辑驱动器部件的集成电路芯片(IC)的DC-DC转换器的电子系统中，功率芯片和IC之间的距离通常相对大。然而，随着芯片之间的距离增加，系统(比如芯片封装)的尺寸增加。进一步地，当使用导电载体(比如引线框架)时，芯片在载体上布置的不精确性和/或在载体和芯片中的一个之间的隔离层的不精确的厚度(比如如果对应的芯片，比如1C，借助于绝缘粘合剂粘附到载体)可能导致下列问题:不均匀量的粘合剂，粘合剂向芯片上的蔓延，和/或粘合剂在载体上不足够的粘附可能导致用于增加粘合层的粘附的额外工艺步骤。进一步地，粘合剂可能在芯片的侧壁处不合适地粘附。这可能在芯片中的一个比如功率芯片通过扩散焊接被连接到载体时导致问题，因为载体的材料，比如铜，可以扩散穿过芯片的材料，比如硅，并且可以在芯片的侧壁处形成CuSi。这可能导致芯片的电故障。进一步地，在芯片处可能存在焊料溢出(solder-bleed-out)并且粘合剂可能不粘合到焊料溢出。
技术实现思路
制造芯片封装的方法被提供。所述方法可以包含将至少一个第一芯片(第一芯片包含第一侧和与第一侧相对的第二侧)用其第二侧电接触到导电载体。绝缘层被形成在导电载体的至少一部分之上并且被形成在芯片的第一侧的至少一部分之上。至少一个第二芯片被布置在绝缘层之上。密封材料被形成在第一芯片和第二芯片之上。穿过密封材料形成到至少一个第一芯片的至少一个接触以及到至少一个第二芯片的至少一个接触的电接触。 【附图说明】 在附图中，贯穿不同视图，相同的参考标记通常指的是相同的部件。附图不必成比例，而通常将重点放在图解本专利技术的原理。在下列描述中，参考下列附图描述本专利技术的各种实施例，在附图中:图1示出了在用于分别制造第一芯片封装和第二芯片封装的方法期间第一工艺阶段中第一芯片封装和第二芯片封装的实施例；图2示出了在用于分别制造第一芯片封装和第二芯片封装的方法期间第二工艺阶段中第一芯片封装和第二芯片封装的实施例； 图3示出了在用于分别制造第一芯片封装和第二芯片封装的方法期间第三工艺阶段中第一芯片封装和第二芯片封装的实施例；图4示出了在分别制造第一芯片封装和第二芯片封装的方法期间第四工艺阶段中第一芯片封装和第二芯片封装的实施例；图5示出了在用于分别制造第一芯片封装和第二芯片封装的方法期间第五工艺阶段中第一芯片封装和第二芯片封装的实施例；图6示出了在用于分别制造第一芯片封装和第二芯片封装的方法期间第六工艺阶段中第一芯片封装和第二芯片封装的实施例；图7示出了在用于分别制造第一芯片封装和第二芯片封装的方法期间第七工艺阶段中第一芯片封装和第二芯片封装的实施例；并且图8示出了用于制造芯片封装的方法的实施例的流程图。 【具体实施方式】 下列详细的描述参考附图，所述附图通过图解方式示出其中可以实践专利技术的特定细节和实施例。 本文使用词“示范性的”来表示“用作示例、例子、或图解”。本文描述为“示范性的”的任何实施例或设计不必解释为比其它实施例或设计优选或有优势。 关于“在一侧或表面之上”形成的淀积的材料所使用的词“在…之上”本文可以用来表示淀积的材料可以被“直接形成在暗示的侧或表面上”，例如与暗示的侧或表面直接接触。关于“在一侧或表面之上”形成的淀积的材料所使用的词“在…之上”本文可以用来表示淀积的材料可以“间接形成在暗示的侧或表面上”，其中一个或多个额外的层被布置在暗示的侧或表面和淀积的材料之间。 在各种实施例中用于制造芯片封装的方法可以包含将至少一个第一芯片(第一芯片包含第一侧和与第一侧相对的第二侧)用其第二侧电接触到导电载体。绝缘层可以被形成在导电载体的至少一部分之上并且被形成在芯片的第一侧的至少一部分之上。至少一个第二芯片可以被布置在绝缘层之上。密封材料可以被形成在第一芯片和第二芯片之上。穿过密封材料可以形成到至少一个第一芯片的至少一个接触以及到至少一个第二芯片的至少一个接触的电接触。 在第一芯片之上并且在第二芯片之下的绝缘层使能布置第二芯片相对靠近第一芯片并且带有到第一芯片相对小的距离。这可以促成小尺寸芯片封装。绝缘层为用于密封芯片封装的密封材料和/或为用于将第二芯片固定到载体的粘合剂提供合适的接触表面。这分别增加了密封材料和粘合剂的粘合效果。绝缘材料可以被布置以使得第一芯片的侧壁(该侧壁从第一芯片的第一侧延伸到第一芯片的第二侧)被密封，这促成了没有或只有更少的载体材料可以向上蔓延第一芯片的侧壁。这可以促成芯片封装在长的使用期限内合适的功能性。在各种实施例中，可以存在两个、三个或更多每个包含第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一芯片，其中对应的第一芯片用其对应的第二侧电接触到导电载体。 在各种实施例中，第二芯片可以紧挨第一芯片布置。 在各种实施例中，第二芯片可以被布置在第一芯片之上。 在各种实施例中，绝缘层可以被形成在第一芯片的整个第一侧之上。 在各种实施例中，整个第二芯片可以被布置在绝缘层之上。 在各种实施例中，绝缘层在载体之上的厚度以及绝缘层在第一芯片之上的厚度可以是相同的或在相同的范围中，其中所述范围可以由绝缘层中的一个的厚度定义以及由这个厚度与其它绝缘层的厚度的小于比如10%、5%、或1%的偏差定义。 在各种实施例中，绝缘层可以由气相淀积形成。 在各种实施例中，绝缘层可以由化学气相淀积形成。 在各种实施例中，当形成绝缘层时，用于形成绝缘层的绝缘材料可以处于其液相。 在各种实施例中，绝缘材料包含陶瓷和/或聚合物。 在各种实施例中，芯片封装被提供。芯片封装可以包含导电载体。至少一个第一芯片(第一芯片包含第一侧和与第一侧相对的第二侧)可以用其第二侧电接触到导电载体。绝缘层可以被形成在导电载体的至少一部分之上并且被形成在芯片的第一侧的至少一部分之上。至少一个第二芯片可以被布置在绝缘层之上。密封材料可以被形成在第一芯片和第二芯片之上。电接触可以穿过密封材料延伸到至少一个第一芯片的至少一个接触并且延伸到至少一个第二芯片的至少一个接触。在各种实施例中，可以存在两个、三个或更多每个包含第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一芯片，其中对应的第一芯片用其对应的第二侧电接触到导电载体。 在各种实施例中，第二芯片可以紧挨第一芯片布置。 在各种实施例中，第二芯片可以被布置在第一芯片之上。 在各种实施例中，绝缘层可以被形成在第一芯片的整个第一侧之上。 在各种实施例中，整个第二芯片可以被布置在绝缘层之上。 在各种实施例中，绝缘层在载体之上的厚度以及绝缘层在第一芯片之上的厚度可以是相同的、近似相同的或在相同的范围中，其中所述相同的范围可以由绝缘层的厚度中的一个的数量级定义。换句话说，绝缘层的厚度可以具有相同的数量级。 在各种实施例中，绝缘层的材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造芯片封装的方法，所述方法包括：将至少一个第一芯片用其第二侧电接触到导电载体，所述第一芯片包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；在所述导电载体的至少一部分之上以及在芯片的第一侧的至少一部分之上形成绝缘层；在所述绝缘层之上布置至少一个第二芯片；在所述第一芯片和所述第二芯片之上形成密封材料；并且穿过所述密封材料形成到所述至少一个第一芯片的至少一个接触以及到所述至少一个第二芯片的至少一个接触的电接触。

【技术特征摘要】
2013.09.17 US 14/0285771.一种制造芯片封装的方法，所述方法包括: 将至少一个第一芯片用其第二侧电接触到导电载体，所述第一芯片包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧； 在所述导电载体的至少一部分之上以及在芯片的第一侧的至少一部分之上形成绝缘层； 在所述绝缘层之上布置至少一个第二芯片； 在所述第一芯片和所述第二芯片之上形成密封材料；并且 穿过所述密封材料形成到所述至少一个第一芯片的至少一个接触以及到所述至少一个第二芯片的至少一个接触的电接触。2.依据权利要求1的所述方法，其中所述第二芯片紧挨所述第一芯片布置。3.依据权利要求1的所述方法，其中所述第二芯片被布置在所述第一芯片之上。4.依据权利要求1的所述方法，其中所述绝缘层被形成在所述第一芯片的整个第一侧之上。5.依据权利要求1的所述方法，其中整个第二芯片被布置在所述绝缘层之上。6.依据权利要求1的所述方法，其中所述绝缘层在所述载体之上的厚度和所述绝缘层在所述第一芯片之上的厚度相同或在类似的范围中。7.依据权利要求1的所述方法，其中所述绝缘层由气相淀积形成。8.依据权利要求7的所述方法，其中所述绝缘层由化学气相淀积形成。9.依据权利要求1的所述方法，其中当形成所述绝缘层时，用于形成所述绝缘层的绝缘材料处于其液相。10.依据权利要求1的所述方法，其中所述绝缘材料包括陶瓷、无机类型和聚合物中的至少一个。11.一种芯片封装，包括: 导电载体； 至少一个第一芯片，所述第一芯片包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中其第二侧被电接触到所述导电载体； 绝缘层，在所述导电载体的至少一部分之上并且在芯片的第一侧的至少一部分之上； 至少一个第二芯片，在所述绝缘层之上； 密封材料，在所述第一芯片和所述第二芯片之上；以及 电接触，穿过所述密封材料延伸到所述至少一个第一芯片的至少一个接触并且到所述至少一个第二芯片的至少一个接触。12.依据权利要求11的所述芯片封装，其中所述第二芯片紧挨所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：K侯赛因，FP卡尔茨，J马勒，J弗尔特，R沃姆巴赫尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE