芯片封装及其制造方法和芯片组件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及芯片封装及其制造方法和芯片组件及其制造方法。提供制造芯片封装的方法。所述方法可以包含将至少一个第一芯片用其第二侧电接触到导电载体，所述第一芯片包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。在所述导电载体的至少一部分之上以及在芯片的第一侧的至少一部分之上形成绝缘层。在所述绝缘层之上布置至少一个第二芯片。在所述第一芯片和所述第二芯片之上形成密封材料。穿过所述密封材料形成到所述至少一个第一芯片的至少一个接触以及到所述至少一个第二芯片的至少一个接触的电接触。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例大体上涉及制造芯片封装的方法、芯片封装、制造芯片组件的方法以及芯片组件。
技术介绍
在芯片封装中若干芯片可以并排地或芯片挨芯片被布置在载体上。芯片可以被电耦合到载体。在这样的芯片封装中一个芯片到另一个芯片的电隔离可能对芯片并且大体上对芯片封装的功能性是重要的。芯片可以彼此具有给定的距离和/或可以被隔离材料分离以提供合适的芯片隔离。为了提供更好的隔离，芯片之间距离增加。如，在如包括比如彼此紧挨的两个功率芯片以及经常作为逻辑驱动器部件的集成电路芯片(IC)的DC-DC转换器的电子系统中，功率芯片和IC之间的距离通常相对大。然而，随着芯片之间的距离增加，系统(比如芯片封装)的尺寸增加。进一步地，当使用导电载体(比如引线框架)时，芯片在载体上布置的不精确性和/或在载体和芯片中的一个之间的隔离层的不精确的厚度(比如如果对应的芯片，比如1C，借助于绝缘粘合剂粘附到载体)可能导致下列问题:不均匀量的粘合剂，粘合剂向芯片上的蔓延，和/或粘合剂在载体上不足够的粘附可能导致用于增加粘合层的粘附的额外工艺步骤。进一步地，粘合剂可能在芯片的侧壁处不合适地粘附。这可能在芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造芯片封装的方法，所述方法包括：将至少一个第一芯片用其第二侧电接触到导电载体，所述第一芯片包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；在所述导电载体的至少一部分之上以及在芯片的第一侧的至少一部分之上形成绝缘层；在所述绝缘层之上布置至少一个第二芯片；在所述第一芯片和所述第二芯片之上形成密封材料；并且穿过所述密封材料形成到所述至少一个第一芯片的至少一个接触以及到所述至少一个第二芯片的至少一个接触的电接触。

【技术特征摘要】
2013.09.17 US 14/0285771.一种制造芯片封装的方法，所述方法包括: 将至少一个第一芯片用其第二侧电接触到导电载体，所述第一芯片包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧； 在所述导电载体的至少一部分之上以及在芯片的第一侧的至少一部分之上形成绝缘层； 在所述绝缘层之上布置至少一个第二芯片； 在所述第一芯片和所述第二芯片之上形成密封材料；并且 穿过所述密封材料形成到所述至少一个第一芯片的至少一个接触以及到所述至少一个第二芯片的至少一个接触的电接触。2.依据权利要求1的所述方法，其中所述第二芯片紧挨所述第一芯片布置。3.依据权利要求1的所述方法，其中所述第二芯片被布置在所述第一芯片之上。4.依据权利要求1的所述方法，其中所述绝缘层被形成在所述第一芯片的整个第一侧之上。5.依据权利要求1的所述方法，其中整个第二芯片被布置在所述绝缘层之上。6.依据权利要求1的所述方法，其中所述绝缘层在所述载体之上的厚度和所述绝缘层在所述第一芯片之上的厚度相同或在类似的范围中。7.依据权利要求1的所述方法，其中所述绝缘层由气相淀积形成。8.依据权利要求7的所述方法，其中所述绝缘层由化学气相淀积形成。9.依据权利要求1的所述方法，其中当形成所述绝缘层时，用于形成所述绝缘层的绝缘材料处于其液相。10.依据权利要求1的所述方法，其中所述绝缘材料包括陶瓷、无机类型和聚合物中的至少一个。11.一种芯片封装，包括: 导电载体； 至少一个第一芯片，所述第一芯片包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中其第二侧被电接触到所述导电载体； 绝缘层，在所述导电载体的至少一部分之上并且在芯片的第一侧的至少一部分之上； 至少一个第二芯片，在所述绝缘层之上； 密封材料，在所述第一芯片和所述第二芯片之上；以及 电接触，穿过所述密封材料延伸到所述至少一个第一芯片的至少一个接触并且到所述至少一个第二芯片的至少一个接触。12.依据权利要求11的所述芯片封装，其中所述第二芯片紧挨所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：K侯赛因，FP卡尔茨，J马勒，J弗尔特，R沃姆巴赫尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE