一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，包括n型电极、氮化物外延层和p型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所述p型电极上；其中，所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的氮化物外延层；所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片包括SiC衬底、石墨烯层及所述氮化物外延层，所述石墨烯层附着在所述SiC衬底上，所述氮化物外延层附着在所述石墨烯层上。由于石墨烯层的加入，使得氮化物外延层与石墨烯之间存在着较弱的分子键相连接，为之后氮化物外延层与SiC衬底的分离提供了条件。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片
本技术涉及一种基于Sic衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，属于LED光电子 器件的制造
。
技术介绍
使用氮化物

【技术保护点】
一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：包括n型电极、氮化物外延层和p型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所述p型电极上；其中，所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的氮化物外延层；所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片包括SiC衬底、石墨烯层及所述氮化物外延层，所述石墨烯层附着在所述SiC衬底上，所述氮化物外延层附着在所述石墨烯层上。

【技术特征摘要】
1. 一种基于Sic衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：包括n型电极、氮化物 外延层和P型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所 述P型电极上；其中， 所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的氮化物外延层； 所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片包括SiC衬底、石墨稀层及所述氮化物外延层， 所述石墨烯层附着在所述SiC衬底上，所述氮化物外延层附着在所述石墨烯层上。2. 根据权利要求1所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所 述氮化物外延层包括n型缓冲层、n型电子注入层、有源层和p型空穴注入层，所述n型电 子注入层及所述有源层位于所述n型缓冲层和p型空穴注入层之间，且所述n型缓冲层、n 型电子注入层、有源层和P型空穴注入层依次相连接； 在所述基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片上，所述n型电极附着在所述n型缓 冲层上，所述P型空穴注入层附着在所述P型电极上； 在所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片上，所述n型缓冲层附着在所述石墨烯层上。3. 根据权利要求2所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所 述n型缓冲层包括至少一个n型缓冲层子层，所述n型缓冲层子层由氮化物AIJnyGamN 中的至少一种构成，其中，〇<x，y< l，x+y< 1 ;每个所述n型缓冲层子层分别进行n型掺 杂；所述n型掺杂的掺杂浓度相同或不同，且所述n型掺杂的掺杂元素为Si、Ge和Sn中的 至少一种。4. 根据权利要求2所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所 述n型电子注入层包括至少一个n型子层，所述n型子层由氮化物AlJriyGahiN中的至少 一种构成，其中，〇 < X，y < 1，x+y < 1 ;每个所述n型子层分别进行n型掺杂；每个所述n 型子层的n型掺杂的掺杂浓度相同或不同，且所述n型掺杂的掺杂元素为Si、Ge和Sn中...

【专利技术属性】
技术研发人员：马亮，李金权，裴晓将，刘素娟，胡兵，
申请(专利权)人：北京中科天顺信息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11