磁屏蔽装置以及磁屏蔽方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁屏蔽装置以及磁屏蔽方法，通过控制流入磁场梯度而具有优异的磁场测量空间。磁屏蔽装置的特征在于具有：无源屏蔽罩(11)、在无源屏蔽罩的内部被规定的修正对象空间(150)、作为对无源屏蔽罩(11)内的磁场进行修正的作为第一线圈的外部线圈(12A、12B)、第一磁传感器(14A)、与第一磁传感器(14A)相比更靠近无源屏蔽罩(11)的内侧而配置的第二磁传感器(14B)、和控制部(20)，第一磁传感器(14A)和第二磁传感器(14B)测量无源屏蔽罩(11)的磁场梯度，控制部(20)基于第一磁传感器(14A)和第二磁传感器(14B)的测量结果来控制外部线圈(12A、12B)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
在医疗现场中图像诊断被广泛采用。因为图像诊断是非侵入性的，所以给人体带 来的负担少，在检查心脏或脑等对于生命活动而言重要的内脏器官时特别优选采用。 生物体的内脏器官因神经元的活动而始终产生微弱的电流，通过测量由该电流所 产生的磁场，可以了解内脏器官的状态。 具体而言，以生物体为起因的磁场极其微弱，为0. 1皮特斯拉（1X1(T13T)程度至 10皮特斯拉（lXKrnT)程度。 检测这种磁场并使之图像化的手法之一有磁场源描绘。例如，记录由于心脏的活 动而形成的磁场的方法，作为心磁图法（Magnetocardiography:MCG)而被公知。此外，测 量并记录由于脑的活动而形成的磁场的方法，作为脑磁图法（Magnetoencephalography: MEG)而被公知。 另一方面，地磁等的外部磁场例如为10微特斯拉（1X1(T5T)程度至100微特斯拉 (1X1(T4T)程度，与由脑或心脏产生的磁场相比，具有10万倍以上的大小。因而，在高灵敏 度的磁场测量中，这样的外部磁场将成为噪声。 即，为了检测来自生物体的微弱磁场，在使用了高灵敏度的磁场测量装置的基础 上，需要阻断成为噪声的外部磁场，为了阻断外部磁场而需要使用磁屏蔽装置。而且，作为 遮蔽外部磁场的磁屏蔽装置，例如已知专利文献1至8所记载的技术。 根据专利文献1至8所记载的技术，生成抵消磁场以使磁屏蔽装置的内部的作为 控制对象的空间（配置磁场测量装置的空间）的磁场变为最小、或者生成抵消磁场以使向 磁屏蔽装置的开口部等流入的流入磁场变为最小。 然而，在专利文献1至8所记载的技术中，存在着难以在磁屏蔽罩的内部创建磁场 梯度极弱的环境的课题。具体而言，在现有技术中，虽然能减轻来自外部的磁场，但是却未 考虑磁屏蔽罩所具有的磁化分量等，因此存在着磁屏蔽罩的内部的磁场状态产生梯度的课 题。 专利文献1 :日本特开平6-167583号公报 专利文献2 :日本特开2002-94280号公报 专利文献3 :日本特开2002-257914号公报 专利文献4 :日本特开2005-294537号公报 专利文献5 :日本特开2007-129049号公报 专利文献6 :日本特开2008-282983号公报 专利文献7 :日本特开2009-175067号公报 专利文献8 :日本专利第4377566号公报
技术实现思路
本专利技术正是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，可以作为以下的形态或者 应用例来实现。 应用例1 本应用例所涉及的磁屏蔽装置的特征在于，具有：无源屏蔽罩、在所述无源屏蔽罩 内被规定的修正对象空间、对所述无源屏蔽罩内的磁场进行修正的第一线圈、第一磁传感 器、与所述第一磁传感器相比更靠近所述无源屏蔽罩的内侧而配置的第二磁传感器、和控 制部，所述第一磁传感器和所述第二磁传感器测量所述无源屏蔽罩内的磁场梯度，所述控 制部基于所述第一磁传感器和所述第二磁传感器的测量结果来控制所述第一线圈。 根据该构成，由第一磁传感器和第二磁传感器测量各自的磁场强度，从而来测量 无源屏蔽罩的内部的磁场梯度。基于磁场梯度的测量值，控制部估计修正对象空间中的最 大的磁场梯度。进而，控制部调整第一线圈的电流量，以使修正对象空间中的最大的磁场梯 度成为给定阈值以下。通过使修正对象空间中的磁场梯度为给定阈值以下，从而在修正对 象空间中可以提供以磁场梯度极弱的状态来进行磁场测量的空间。 应用例2 根据本应用例所涉及的磁屏蔽装置，优选所述控制部控制所述第一线圈以使所述 磁场梯度成为阈值以下。 根据该构成，通过使磁场梯度为给定阈值以下，从而即便在比第一磁传感器更靠 近无源屏蔽罩的内部的修正对象空间内，也能够设为给定阈值以下的磁场梯度。 即，在修正对象空间中可以提供以磁场梯度极弱的状态来进行磁场测量的空间。 应用例3 根据本应用例所涉及的磁屏蔽装置，优选所述第一磁传感器和所述第二磁传感器 测量沿着第一方向的磁场梯度，所述第一线圈的轴沿着所述第一方向。 根据该构成，由第一磁传感器和第二磁传感器测量的磁场梯度的方向、和第一线 圈的轴方向相同。由此，通过控制第一线圈的电流量，能够容易地进行磁场梯度的调整。 应用例4 根据本应用例所涉及的磁屏蔽装置，优选所述无源屏蔽罩具有开口部，在将所述 开口部在所述第一方向上的坐标设为原点、将沿着所述第一方向从所述开口部朝向所述无 源屏蔽罩的内部的方向设为所述第一方向的正方向时，所述第一磁传感器在所述第一方向 上被配置在：所述开口部的与所述第一方向正交的投影截面的面积的平方根的_〇. 5倍至 1.0倍的范围内。 根据该构成，能够提高第一磁传感器的配置的自由度，即便在还具有开口部的无 源屏蔽罩的修正对象空间中也能够设为给定阈值以下的磁场梯度。 应用例5 根据本应用例所涉及的磁屏蔽装置，优选所述第二磁传感器在所述第一方向上被 配置在：所述开口部的与所述第一方向正交的投影截面的面积的平方根的〇倍至1. 〇倍的 范围内，所述第二磁传感器在所述第一方向上的坐标比所述第一磁传感器在所述第一方向 上的坐标大。 根据该构成，能够提高第二磁传感器的配置的自由度，即便在还具有开口部的无 源屏蔽罩的修正对象空间中也能够设为给定阈值以下的磁场梯度。 应用例6 根据本应用例所涉及的磁屏蔽装置，优选所述修正对象空间在所述第一方向上的 坐标比所述第一磁传感器在所述第一方向上的坐标大。 根据该构成，即便在无源屏蔽罩的修正对象空间中也能够设为给定阈值以下的磁 场梯度。 应用例7 根据本应用例所涉及的磁屏蔽装置，优选在所述无源屏蔽罩的内部还具备对所述 修正对象空间的磁场强度进行调整的第二线圈。 根据该构成，通过调整第二线圈的电流量，可以将修正对象空间的磁场强度调整 为给定值。即，在修正对象空间中可以提供以磁场强度更弱的状态来进行磁场测量的磁场 测量空间。 应用例8 本应用例所涉及的磁屏蔽方法的特征在于，包括：第一工序，测量无源屏蔽罩内的 磁场梯度；第二工序，基于所述第一工序而将所述磁场梯度设为给定阈值以下；第三工序， 测量所述无源屏蔽罩内的磁场强度；和第四工序，将所述磁场强度设为给定阈值以下。 根据该方法，能够在无源屏蔽罩的修正对象空间中设为给定阈值以下的磁场梯 度。此外，可以将修正对象空间的磁场强度调整为给定值。即，可以将修正对象空间设为以 磁场梯度极弱的状态来进行磁场测量的磁场测量空间。 【附图说明】 图1是磁屏蔽装置的概观立体图。 图2是磁屏蔽装置的包括控制部在内的概观图。 图3是表示控制电路的构成的一例的图。 图4是磁屏蔽装置的动作流程图。 图5是磁屏蔽装置的磁场强度的分布图。 图6是表示了第二配置例的磁屏蔽装置的概观图。 图7是表示了第三配置例的磁屏蔽装置的概观图。 图8是表示了第四配置例的磁屏蔽装置的概观图。 图9是表示了第五配置例的磁屏蔽装置的概观图。 【具体实施方式】 以下，关于使本专利技术具体化的实施方式，使用附图来进行说明。另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁屏蔽装置，其特征在于，具有：无源屏蔽罩；在所述无源屏蔽罩的内部被规定的修正对象空间；对所述无源屏蔽罩内的磁场进行修正的第一线圈；第一磁传感器；与所述第一磁传感器相比更靠近所述无源屏蔽罩的内侧而配置的第二磁传感器；和控制部，所述第一磁传感器和所述第二磁传感器测量所述无源屏蔽罩内的磁场梯度，所述控制部基于所述第一磁传感器和所述第二磁传感器的测量结果来控制所述第一线圈。

【技术特征摘要】
2013.09.11 JP 2013-188097;2014.06.20 JP 2014-127001. 一种磁屏蔽装置，其特征在于，具有： 无源屏蔽罩； 在所述无源屏蔽罩的内部被规定的修正对象空间； 对所述无源屏蔽罩内的磁场进行修正的第一线圈； 第一磁传感器； 与所述第一磁传感器相比更靠近所述无源屏蔽罩的内侧而配置的第二磁传感器；和 控制部， 所述第一磁传感器和所述第二磁传感器测量所述无源屏蔽罩内的磁场梯度， 所述控制部基于所述第一磁传感器和所述第二磁传感器的测量结果来控制所述第一 线圈。2. 根据权利要求1所述的磁屏蔽装置，其特征在于， 所述控制部控制所述第一线圈以使所述磁场梯度成为阈值以下。3. 根据权利要求1或2所述的磁屏蔽装置，其特征在于， 所述第一磁传感器和所述第二磁传感器测量沿着第一方向的磁场梯度， 所述第一线圈的轴沿着所述第一方向。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的磁屏蔽装置，其特征在于， 所述无源屏蔽罩具有开口部， 在将所述开口部在所述第一方向上的坐标设为原点、将沿着...

【专利技术属性】
技术研发人员：保刈龙治，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP