本发明专利技术提供一种具有优异的蚀刻性的含有(A)透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。作为其解决方法，提供一种透光性导电膜，其含有：(A)含有高分子树脂的透光性支持层、及(B)含有氧化铟的透光性导电层，所述透光性导电层(B)直接或隔着一层上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透光性导电膜及含有透光性导电膜的触摸板
本专利技术涉及透光性导电膜、其制造方法及其用途。
技术介绍
作为搭载于触摸板的透光性导电膜，大多使用下述透光性导电膜，在由聚酯等构 成的透光性支持层的至少一面直接或隔着其它层设置有含有氧化铟的透光性导电层。 将透光性导电膜成形为例如格子状等的电极（所谓形成图案）时，设置透光性导 电膜后，通过化学药品处理仅将规定区域的膜去除，即进行所谓蚀刻处理，结果，形成希望 形状的电极。因此，难以通过蚀刻处理进行蚀刻或容易过度蚀刻的透光性导电膜存在难以 形成为希望形状的图案等问题。 因此，对于搭载于触摸板的透光性导电膜，要求容易通过蚀刻处理成形为希望的 形状这一特性（所谓蚀刻性）优异的透光性导电膜。 迄今为止，尝试通过控制含有氧化铟的透光性导电层的结晶性，提供蚀刻性优异 的透光性导电膜（专利文献1及2)。 专利文献1:日本特开2000-129427号公报 专利文献2:日本专利4269587号公报
技术实现思路
本专利技术的技术问题在于，提供一种具有优异蚀刻性的透光性导电膜，其含有（A) 含有高分子树脂的透光性支持层及（B)含有氧化铟的透光性导电层。 本专利技术人经反复潜心研究，首次发现在利用薄膜法的XRD测定中，聚酯的衍射强 度和氧化铟的衍射强度表现出指定关系的透光性导电膜可以解决所述技术问题。本专利技术基 于该新的见解，进一步通过反复进行各种研究而完成，下面阐述。 第一项： 一种透光性导电膜，包含： (A)含有高分子树脂的透光性支持层；及 (B)含有氧化铟的透光性导电层， 所述透光性导电层（B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层 (A)的至少一面上，其中， 由（Iba -Iba-Q.Q25。V(Iaa -Iaa-Q.Q25。）表示的函数f(a)的平均值为〇.〇8? 5. 00， 式中，a是由amin+nX0. 025°(n= 1、2、3、…）表示的变量， 是在〇. 1〇〇°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到（222)面的峰的 最小入射角， a满足下式⑴及（II)， a彡 〇? 600。? ? ? ?（I) f(a)彡 〇.7Xf(a- 〇? 025。）? ? ? ?（II) Iaa是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自聚酯的2 0 = 26°附近的峰强度， 且， Iba是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的（222)面的峰强度。 第二项： 如第一项所述的透光性导电膜，其中，所述透光性支持层（A)的厚度为20? 200um。 第三项： 如第一或第二项所述的透光性导电膜，其中，所述高分子树脂是聚对苯二甲酸乙 二醇酯或聚碳酸酯。 第四项： 如第一?第三项中任一项所述的透光性导电膜，其中，透光性导电层（B)的厚度 为 15 ?30nm。 第五项： 如第一?第四项中任一项所述的透光性导电膜，其通过在大气中于90?160°C下 加热10?120分钟而得到。 第六项： 如第一?第五项中任一项所述的透光性导电膜，其中，透光性导电层（B)含有将 3?10%的Sn02添加到氧化铟中而得到的氧化铟锡。 第七项： 一种触摸板，其含有第一?第六项中任一项所述的透光性导电膜。 专利技术效果 根据本专利技术，可以提供一种具有优异的蚀刻性，且包含（A)透光性支持层及（B)含 有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。 【附图说明】 图1是表示在透光性支持层（A)的单面邻接设置有透光性导电层（B)的本专利技术的 透光性导电膜的剖面图； 图2是表示在透光性支持层（A)的两面邻接设置有透光性导电层（B)的本专利技术的 透光性导电膜的剖面图； 图3是将源自高分子树脂的衍射强度作为横轴，且将源自氧化铟的衍射强度 作为纵轴时，分别对以相互相差0.025°的连续三种X射线入射角（a-〇.〇25°、a°、 a+0. 025° )分别测定的源自高分子树脂的衍射强度la及源自氧化铟的衍射强度lb进行 标绘而得到的坐标图的一个例子； 图4是函数f(a)的坐标图的一个例子； 图5是表示在透光性支持层（A)的单面依次相互邻接地设置有底涂层（C)及透光 性导电层（B)的本专利技术的透光性导电膜的剖面图； 图6是表示在透光性支持层（A)的两面依次相互邻接地设置有底涂层（C)及透光 性导电层（B)的本专利技术的透光性导电膜的剖面图； 图7是表示在透光性支持层（A)的单面依次相互邻接地设置有硬涂层（D)、底涂层 (C)及透光性导电层⑶的本专利技术的透光性导电膜的剖面图； 图8是表示在透光性支持层（A)的一面依次相互邻接地设置有硬涂层（D)、底涂层 (C)及透光性导电层（B)，在另一面直接设置有另一硬涂层（D)的本专利技术的透光性导电膜的 剖面图； 图9是表示在透光性支持层（A)的两面依次相互邻接地设置有硬涂层（D)、底涂层 (C)及透光性导电层⑶的本专利技术的透光性导电膜的剖面图。 【具体实施方式】 1、透光性导电膜 本专利技术的透光性导电膜包含： (A)含有高分子树脂的透光性支持层；及 (B)含有氧化铟的透光性导电层， 所述透光性导电层（B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层 (A)的至少一面上，其中， 由（Iba - Iba-Q.Q25。v(laa -Iaa-Q.Q25。）表示的函数f(a)的平均值为0.08? 5. 00， 式中，a是由amin+nX0. 025°(n= 1、2、3、? ? ?）表示的变量， 是在〇. 1〇〇°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到（222)面的峰的 最小入射角， a满足下式⑴及（II)， a彡 〇? 600。? ? ? ?（I) f(a)彡 〇.7Xf(a- 〇? 025。）? ? ? ?（II) Iaa是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自高分子树脂的2 0 = 26°附近的 峰强度，且， Iba是在入射角为a的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的（222)面的峰强度。 本专利技术中所谓透光性是指具有使光透过的性质（translucent)。透光性包括 透明（transparent)。所谓透光性是说例如总光线透过率为80%以上，优选85%以上， 更优选87%以上的性质。本专利技术中，总光线透过率是使用雾度仪（日本电色公司制造，商品 名：NDH-2000,或其同等品），基于JIS-K-7105进行测定。 在本说明书中，说到设置于透光性支持层（A) -面的多层中的两层的相对位置关 系时，有时以透光性支持层（A)为基准，将距透光性支持层（A)的距离远的一层称为上层 或位于上方等，将距透光性支持层（A)的距离近的另一层称为下层或位于下方等。 图1表不本专利技术的透光性导电膜的一个实施方式。在该实施方式中，在透光性支 持层（A)的单面上相互邻接地设置透光性导电层（B)。有时将这种透光性导电膜称为单 面透光性导电膜。 图2表不本专利技术的透光性导电膜的另一个实施方式。在该实施方式中，在透光性 支持层（A)的两面上相互邻接地设置透光性导电层（B)。有时将这种透光性导电膜本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种透光性导电膜，其包含：(A)含有高分子树脂的透光性支持层；及(B)含有氧化铟的透光性导电层，所述透光性导电层(B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，由(Ibα－Ibα－0.025°)/(Iaα－Iaα－0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00，式中，α是由αmin+n×0.025°(n＝1、2、3、···)表示的变量，αmin是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到(222)面的峰的最小入射角，α满足下式(I)及(II)，α≤0.600° ····(I)f(α)≥0.7×f(α－0.025°)····(II)Iaα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自聚酯的2θ＝26°附近的峰强度，且，Ibα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的(222)面的峰强度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.06 JP 2012-1743791. 一种透光性导电膜，其包含： (A) 含有高分子树脂的透光性支持层；及 (B) 含有氧化铟的透光性导电层， 所述透光性导电层（B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层（A)的 至少一面上，其中， 由（Iba - Iba _Q.Q25。V(Iaa - Iaa _Q.Q25。）表示的函数 f(a)的平均值为 〇.〇8 ? 5. 00， 式中，a 是由 amin+nX0.025° (n=l、2、3、- ? ?)表示的变量， a _是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到（222)面的峰的最小 入射角， a满足下式（I)及（II)， a 彡 〇? 600。? ? ? ?（I) f(a)彡 〇.7Xf(a - 0.025。）? ? ? ...
【专利技术属性】
技术研发人员：滝泽守雄，泽田石哲郎，武藤胜纪，田中治，中谷康弘，林秀树，
申请(专利权)人：积水纳米涂层科技有限公司，积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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