曝光显影方法和系统、曝光控制系统技术方案

本发明专利技术提供了一种曝光显影方法和系统，该方法用于在基板大于掩膜板时对基板的曝光显影，包括：利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。采用本发明专利技术提供的曝光显影方法，能够使得低世代生产线生产较大尺寸的彩膜基板，从而提高产线利用率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
曝光显影方法和系统、曝光控制系统
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种曝光显影方法和系统、曝光控制系统。
技术介绍
彩膜基板的生产工艺一般涉及到两次曝光，一次曝光用于形成黑矩阵，二次曝光用于形成各个子像素对应的滤光层以及隔垫物。现有技术一般采用与基板的尺寸一致(或大于基板尺寸)的掩膜板采用双标记对位的方式对基板进行曝光，而一个基板的生产线一旦确定，掩膜板的尺寸一般也是固定的，为了生产更大尺寸的彩膜基板只能更换生产线，生产成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够在基板尺寸大于掩膜板尺寸时对基板进行曝光显影的方法和系统。 为了达到上述目的，本专利技术提供了一种曝光显影方法，该方法用于在基板尺寸大于掩膜板尺寸时对基板的曝光显影，所述方法包括: 利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。 进一步的，所述多个不同区域中的每一个区域均与所述基板的边缘相邻，且在与该区域相邻的基板的边缘制作有对应于该区域的基板对位标记，所述的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记相适应； 所述利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影包括: 步骤S11，根据至少两个基板对位标记确定所述基板相对于所述掩膜板倾斜的角度，并调整所述基板或者所述掩膜板以补正倾斜的角度； 步骤S12，针对所述多个不同区域中的每一个区域，调整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上对应于该区域的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记对准。 进一步的，所述多个不同区域中的每一个区域均与基板的第一侧边缘或者第二侧边缘相邻，且在所述基板的第一侧边缘或者第二侧边缘制作有对应与各个区域的基板对位标记；所述掩膜板的第一侧边缘和第二侧边缘制作有对应的掩膜板对位标记；其中，所述基板的第一侧和所述掩膜板的第一侧对应，所述基板的第二侧和所述掩膜板的第二侧对应，第一侧和第二侧为相对的两侧； 所述步骤S12包括: 对于所述多个不同区域中与基板的第一侧边缘相邻的区域，调整所述基板或者所述掩膜板将该区域对应的基板对位标记与所述掩膜板第一侧的掩膜板对位标记对准；对于与基板的第二侧边缘相邻的区域，调整所述基板或者所述掩膜板将该区域对应的基板对位标记与所述掩膜板第二侧的掩膜板对位标记对准。 进一步的,步骤S12中将基板对位标记与掩膜板对位标记对准包括: 将基板对位标记的中心和掩膜板对位标记的中心对准。 进一步的，所述基板为制作有黑矩阵的基板，所述黑矩阵限定了形成子像素的开口部图形； 所述步骤S12之后，所述步骤SI还包括: 步骤S13，对于所述多个不同区域中与基板的第一侧边缘相邻的区域，识别所述掩膜板第二侧的掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将位于所述掩膜板第二侧边缘的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准；对于所述多个不同区域中与基板的第二侧边缘相邻的区域，识别位于所述掩膜板第一侧边缘的掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将位于所述掩膜板第一侧边缘的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。 进一步的，所述步骤S13中识别掩膜板对位标记所对应的开口部图形，包括: 根据预先存储的开口部图形识别掩膜板对位标记的中心所落入的开口部图形。 进一步的，所述掩膜板对位标记包括一子图形，所述子图形为“田”字形，该“田”字形子图形中十字的交点为掩膜板对位标记的中心，且所述“田”字形子图形大小与开口部图形的大小一致； 所述步骤S13中识别掩膜板对位标记所对应的开口部图形，包括: 识别掩膜板对位标记的“田”字形子图形中十字的交点所对应的开口部图形； 所述步骤S13中将掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准包括: 将掩膜板对位标记的“田”字形子图形与所对应的开口部图形对准。 本专利技术还提供了一种曝光控制系统，包括: 控制模块，用于在需要曝光显影的基板尺寸大于掩膜板尺寸时，调整掩膜板和基板的相对位置，使掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。 进一步的，所述控制模块具体包括: 图像识别子模块，用于获取包含有基板标记和掩膜板标记的图像，并根据获取到的图像识别所述基板上的基板对位标记和所述掩膜板上的掩膜板对位标记； 第一调整子模块，用于根据基板上的至少两个基板对位标记确定所述基板相对于所述掩膜板倾斜的角度，并调整所述基板或者所述掩膜板以补正倾斜的角度； 第二调整子模块，用于针对所述多个不同区域中的每一个区域，调整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上对应于该区域的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记对准。 进一步的，所述图像识别子模块，还用于在所述基板为制作有黑矩阵的基板时，识别位于曝光区域的掩膜板对位标记所对应的开口部图形；所述开口部图形为所述黑矩阵限定的用以形成子像素的图形； 所述控制模块还包括: 第三调整子模块，用于调整位于曝光区域的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。 进一步的，所述图像识别子模块，具体用于根据预先存储的开口部图形识别所述掩膜板对位标记的中心所在的开口部图形。 进一步的，所述掩膜板对位标记包括一子图形，所述子图形为“田”字形，该“田”字形子图形中十字的交点为掩膜板对位标记的中心，且所述“田”字形子图形大小与开口部图形的大小一致； 所述第三调整子模块具体用于识别掩膜板对位标记的“田”字形子图形中十字的交点所对应的开口部图形，并将“田”字形子图形与所对应的开口部图形对准。 本专利技术还提供了一种曝光显影系统，包括上述任一项所述的曝光控制系统。 本专利技术提供的曝光显影方法中，利用掩膜板对基板的多个区域分别进行曝光，多个区域共同拼接为全部需要曝光的区域，这样就能够使用较小的掩膜板对相对较大的基板进行曝光显影。采用本专利技术提供的曝光显影方法，能够使得低世代生产线生产较大尺寸的彩膜基板，从而提高产线利用率，降低生产成本。 【附图说明】 图1a-图1e为采用本专利技术实施例一提供的曝光显影方法对基板曝光的过程中在不同阶段掩膜板与基板的位置关系的示意图； 图2为本专利技术实施例一提供的曝光显影方法的流程示意图； 图3为本专利技术实施例二提供的曝光显影方法中进行第二步曝光时基板与掩膜板的位置关系示意图； 图4为本专利技术实施例三中提供的曝光显影方法的流程示意图； 图5为本专利技术实施例四提供的曝光显影方法的流程示意图； 图6为本专利技术实施例提供的一种可选的掩膜板对位标记的不意图； 图7为图5中的步骤507或者步骤510之后掩膜板对位标记与开口部的位置示意图； 图8为本专利技术实施例五提供的曝光显影方法的流程示意图； 图9为本专利技术实施例提供的曝光控制系统的结构示意图；。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。 本专利技术提供了一种对位曝光方法，该方法中，利用具有较小尺寸的掩膜板依次对具有较大尺寸的基板上的多个不同区域进行曝光显影，从而使用较小尺寸的掩膜板完成对较大尺寸的基板的曝光显影。采用本专利技术提供的对位曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光显影方法，其特征在于，该方法用于在基板尺寸大于掩膜板尺寸时对基板的曝光显影，所述方法包括：利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。

【技术特征摘要】
1.一种曝光显影方法，其特征在于，该方法用于在基板尺寸大于掩膜板尺寸时对基板的曝光显影，所述方法包括: 利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个不同区域中的每一个区域均与所述基板的边缘相邻，且在与该区域相邻的基板的边缘制作有对应于该区域的基板对位标记，所述的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记相适应； 所述利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影包括: 步骤S11，根据至少两个基板对位标记确定所述基板相对于所述掩膜板倾斜的角度，并调整所述基板或者所述掩膜板以补正倾斜的角度； 步骤S12，针对所述多个不同区域中的每一个区域，调整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上对应于该区域的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记对准。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个不同区域中的每一个区域均与基板的第一侧边缘或者第二侧边缘相邻，且在所述基板的第一侧边缘或者第二侧边缘制作有对应与各个区域的基板对位标记；所述掩膜板的第一侧边缘和第二侧边缘制作有对应的掩膜板对位标记；其中，所述基板的第一侧和所述掩膜板的第一侧对应，所述基板的第二侧和所述掩膜板的第二侧对应，第一侧和第二侧为相对的两侧； 所述步骤S12包括: 对于所述多个不同区域中与基板的第一侧边缘相邻的区域，调整所述基板或者所述掩膜板将该区域对应的基板对位标记与所述掩膜板第一侧的掩膜板对位标记对准；对于与基板的第二侧边缘相邻的区域，调整所述基板或者所述掩膜板将该区域对应的基板对位标记与所述掩膜板第二侧的掩膜板对位标记对准。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于， 步骤S12中将基板对位标记与掩膜板对位标记对准包括: 将基板对位标记的中心和掩膜板对位标记的中心对准。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基板为制作有黑矩阵的基板，所述黑矩阵限定了形成子像素的开口部图形； 所述步骤S12之后，所述方法还包括: 步骤S13，对于所述多个不同区域中与基板的第一侧边缘相邻的区域，识别位于所述掩膜板第二侧边缘的掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将位于所述掩膜板第二侧边缘的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准；对于所述多个不同区域中与基板的第二侧边缘相邻的区域，识别位于所述掩膜板第一侧边缘的掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将位于所述掩膜板第一侧边缘的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S13中识别掩膜板...

【专利技术属性】
技术研发人员：余学权，徐先华，刘志，王志强，张伟，成学佩，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34