本实用新型专利技术公开一种发光二极管平板支架、支架单元及发光二极管器件，其中发光二极管平板支架包括金属基板和半包封所述金属基板的绝缘体，其特征在于：所述绝缘体包括覆盖于金属基板上表面的壳体和填充于金属基板之间的连接体，所述壳体包括M×N个阵列排布的大通孔和(M+1)×(N+1)个阵列排布的小通孔，其中M,N≥1，所述大通孔被所述小通孔包围，所述大通孔底部是金属基板以及填充于金属基板之间的连接体，构成了芯片安放部和电性连接部，所述小通孔底部是金属基板，构成了支架电极。
【技术实现步骤摘要】
发光二极管平板支架、支架单元及发光二极管器件
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种发光二极管平板支架、支架单元及发光二极管器件。
技术介绍
发光二极管(LED)光源具有高效率、长寿命、不含Hg等有害物质的优点。随着LED技术的迅猛发展，LED的亮度、寿命等性能都得到了极大的提升，使得LED的应用领域越来越广泛，从路灯等室外照明到装饰灯等室内照明，均纷纷使用或更换成LED作为光源。 目前采用蚀刻成型的EMC (Epoxy Molding Compound)支架,封装厂封装后都是采用底部测试的方式，这种测试方式封装厂需要投入昂贵的测试设备，而且效率低，所以现在对于蚀刻成型的EMC支架各厂家都在寻找合适可行的侧面测试方法，以便节省制造成本和初次设备投入。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种可以进行侧面测试且使用现有设备的发光二极管平板支架、支架单元及发光二极管器件。 本技术是通过以下技术方案实现的: 一种发光二极管平板支架，包括金属基板和半包封所述金属基板的绝缘体，其特征在于:所述绝缘体包括覆盖于金属基板上表面的壳体和填充于金属基板之间的连接体，所述壳体包括MXN个阵列排布的大通孔和(M+1)X(N+1)个阵列排布的小通孔，其中M1N^ I,所述大通孔被所述小通孔包围，所述大通孔底部是金属基板以及填充于金属基板之间的连接体，构成了芯片安放部和电性连接部，所述小通孔底部是金属基板，构成了支架电极。 优选地，所述金属基板为电性引线框架。 优选地,所述壳体为EMC材料的绝缘体。 优选地，相邻两个所述小通孔的中心距离大于大通孔的直径。 优选地,所述小通孔的直径为0.2mm到0.8mm之间。 [0011 ] 一种支架单元，包括金属基板和半包封所述金属基板的绝缘体，其特征在于:所述金属基板为电性引线框架；所述绝缘体包括覆盖于金属基板上表面的壳体和填充于电性引线框架之间的连接体；所述壳体包括大通孔和小缺口 ；所述大通孔被四个小缺口包围，所述大通孔底部是电性引线框架以及填充于电性引线框架之间的连接体，构成了芯片安放部和电性连接部，所述小缺口底部是金属基板，在远离大通孔的一侧直接与外界相通，构成了支架电极；所述小缺口与小通孔有重叠的区域。 优选地，所述小缺口的形状是弧形或多边形。 优选地,所述小缺口的深度为0.3mm到0.5mm之间，所述小缺口的底部是金属基板，构成测试部。 一种发光二极管器件，包括所述支架单元、设置在所述支架单元上的LED芯片以及设置在所述壳体上的支架电极，以及在所述金属基板上封装成型的封装胶体。 优选地，所述封装体为环氧树脂或硅胶。 相对于现有技术，本技术的一种发光二极管平板支架、支架单元及发光二极管器件通过壳体四个小缺口底部金属作为测试部，从而实现对支架单元实现侧面测试，提高了生产效率，降低了生产制造成本。 为了能更清晰的理解本技术，以下将结合【附图说明】阐述本技术的【具体实施方式】。 【附图说明】 图1为本技术的一种发光二极管平板支架的示意图； 图2为本技术的一种支架单元的示意图； 图3为本技术的一种发光二极管器件的结构示意图。 【具体实施方式】 为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 实施例一 如图1所示，本技术提供的一种发光二极管平板支架10，包括金属基板I和半包封所述金属基板I的绝缘体。所述金属基板I为电性引线框架。所述绝缘体包括覆盖于金属基板上表面的壳体2和填充于电性引线框架之间的连接体。所述壳体2包括MXN个阵列排布的大通孔和(M+l) X (N+1)个阵列排布的小通孔，其中M，N彡I。每个大通孔被四个小通孔包围。所述大通孔底部是电性引线框架以及填充于电性引线框架之间的连接体，构成了芯片安放部和电性连接部。所述小通孔底部是金属基板1，构成了支架电极3。相邻两个所述小通孔在中心的距离大于大通孔的直径。所述小通孔的直径为0.2mm到0.8mm之间。本实施例提供的一种发光二极管平板支架，可以通过切割工艺，形成至少一个MXN，其中M，N > I个支架单元。 其中，所述金属基板I可由金属铜、或金属铝、或铜合金、或铝合金等导电金属材料制成。 其中，所述壳体2为EMC (epoxy molding compound)材料的绝缘体,本实施例中，所述EMC为白色，不限于本实施例。 实施例二 本技术还提供一种支架单元20，其由所述实施例一的一种发光二极管平板支架切割而成。如图2所示，所述支架单元20包括金属基板I和半包封所述金属基板的绝缘体，所述金属基板I为电性引线框架。所述绝缘体包括覆盖于金属基板I上表面的壳体2和填充于电性引线框架之间的连接体。所述壳体2包括大通孔和小缺口，所述大通孔被四个小缺口包围。所述大通孔底部是电性引线框架以及填充于电性引线框架之间的连接体，构成了芯片安放部和电性连接部。所述小缺口底部是金属基板I，在远离大通孔的一侧直接与外界相通，构成了支架电极3。所述小缺口的形状是弧形或多边形，本实例优选弧形，不限于本实施例。所述小缺口与小通孔有重叠的区域。所述支架电极是金属基板I的上表面露于露于壳体2之外形成的，即支架电极3是裸露于壳体之外。 所述四个小缺口深度为0.3mm到0.5 mm之间,所述小缺口底部是金属基板,构成测试部，所述设置在壳体2四个小缺口上的至少两个电极用来电连接LED芯片。本实施例提供的一种支架单元结构，通过壳体四个小缺口底部金属作为测试部，从而实现对支架单元实现侧面测试，提高了生产效率，降低了生产制造成本。 实施例三 如图3所示，本实施例还提供一种发光二极管器件30，其由所述实施例二的一种支架单元制造而成，包括支架单元20、设置在该支架单元20上的LED芯片4、设置于所述壳体上的支架电极，以及在金属基板上封装成型的封装胶体5，在其他实施例中，LED芯片为倒装芯片，即可以省去导线。 [0031 ] 其中，所述LED芯片4为紫外光芯片、蓝光芯片、绿光芯片或红光芯片中的一种，优选为氮化镓基蓝光芯片。 其中，封装胶体5为环氧树脂或硅胶，本实施例中优选为环氧树脂，但不限于本技术实施例。 本技术并不局限于上述实施方式，如果对本技术的各种改动或变形不脱离本技术的精神和范围，倘若这些改动和变形属于本技术的权利要求和等同技术范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变形。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管平板支架，包括金属基板和半包封所述金属基板的绝缘体，其特征在于：所述绝缘体包括覆盖于金属基板上表面的壳体和填充于金属基板之间的连接体，所述壳体包括M×N个阵列排布的大通孔和(M+1)×(N+1)个阵列排布的小通孔，其中M,N≥1，所述大通孔被所述小通孔包围，所述大通孔底部是金属基板以及填充于金属基板之间的连接体，构成了芯片安放部和电性连接部，所述小通孔底部是金属基板，构成了支架电极。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管平板支架，包括金属基板和半包封所述金属基板的绝缘体，其特征在于:所述绝缘体包括覆盖于金属基板上表面的壳体和填充于金属基板之间的连接体，所述壳体包括MXN个阵列排布的大通孔和(M+1)X(N+1)个阵列排布的小通孔，其中M1N^ 1，所述大通孔被所述小通孔包围，所述大通孔底部是金属基板以及填充于金属基板之间的连接体，构成了芯片安放部和电性连接部，所述小通孔底部是金属基板，构成了支架电极。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管平板支架，其特征在于:所述金属基板为电性引线框架。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管平板支架，其特征在于:所述壳体为EMC材料的绝缘体。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管平板支架，其特征在于:相邻两个所述小通孔的中心距离大于大通孔的直径。5.根据权利要求1所述的一种发光二极管平板支架，其特征在于:所述小通孔的直径为0.2mm到0.8mm之间。6.一种支架单元，其由权利要求1所述的一种发光二极管平板支架切割而成，包括金属基板和半包封所述金...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘发波，潘利兵，李正凯，吴铭超，李军政，张家鹏，岑锦升，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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