一种锰钴铜体系非线性负温度系数厚膜电子浆料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种锰钴铜体系非线性负温度系数(NTC)厚膜电子浆料的制备方法，包括以下步骤：①将下述化合物按摩尔组分比混合：乙酸锰1.1～1.85，硝酸钴0.5～0.95，硫酸铜0.6～0.9；②根据配方配置浓度一定的反应前含锰钴铜离子的水溶液，然后在一定温度和搅拌速度下加入碳酸钾溶液共沉淀；③沉淀物用去离子水反复清洗并过滤烘干后，在一定温度下加热分解生成NTC陶瓷前驱物；④将NTC陶瓷前驱物与一定比例的玻璃粉进行高速球磨混合；⑤加入一定量的有机载体轧制成浆料。本发明专利技术不仅可研制出超低方阻的NTC浆料配方，烧结后室温电阻率在5～50Ω.cm之间，应用该浆料制备的NTC器件阻值可低至1～5Ω，B值在2000K以上，本发明专利技术所提供的技术方案对低阻厚膜NTC浆料的工业化生产具有重要实用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于非线性负温度系数(NTC)热敏电阻的应用领域，特别是涉及低方阻非线性NTC电阻浆料的制备方法。
技术介绍
热敏电阻是一类开发时间早、发展相对成熟的温度敏感电子元器件。热敏电阻由大都由半导体陶瓷材料组成，利用的工作原理是温度引起电阻降低，其中非线性NTC(Negative Temperature Coefficient)热敏电阻,泛指负温度系数很大的电阻器,其电阻温度系数一般是-2%?-6% /K，是金属电阻的10倍，是硅温度传感器的5倍左右，由于它的这个突出的特点而广泛应用于各种电子器件设备中。NTC热敏电阻是由Mn、Co、N1、Cu、Fe等过渡金属氧化物烧结而成，可广泛应用于需要温度补偿、温度控制、温度测量等高密度组装的电子电路中[l]Macklen E D.Thermistors, Electrochemical Publicat1ns.Scotlad:Ltd.，Ayr, 1979.。 传统的片式NTC热敏电阻生产时大多采用压片、轧膜及流延法等方成型后烧结，其中烧结温度大多在1000°c以上、烧结时间较长、工艺较为复杂，相比之下，采用厚膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锰钴铜体系非线性负温度系数(NTC)厚膜电子浆料的制备方法，其特征在于，包括以下的步骤：步骤1，确定锰钴铜NTC材料体系，按mol配方Mn1.1～1.85Co0.5～0.95Cu0.6～0.9，乙酸将锰、硝酸钴、硫酸铜的混合物中加入4～8L的去离子水，得到初始的反应溶液；步骤2，制备NTC陶瓷的反应前驱物，包括以下子步骤，步骤2.1，在30～60℃及200rpm的搅拌速度下，将碳酸钾溶液滴加到乙酸锰、硝酸钴与硫酸铜的混合溶液中，充分反应；步骤2.2，对步骤2.1所得沉淀用去离子水反复清洗至PH值在7～8之间，然后过滤在100℃烘干，并过100目筛；步骤2.3，将步骤2.2中的所得的过筛物料...

【技术特征摘要】
1.一种锰钴铜体系非线性负温度系数(NTC)厚膜电子浆料的制备方法，其特征在于，包括以下的步骤: 步骤I，确定锰钴铜NTC材料体系，按mo I配方Mn1.卜U5Coa5UCUoa9,乙酸将锰、硝酸钴、硫酸铜的混合物中加入4?8L的去离子水，得到初始的反应溶液； 步骤2，制备NTC陶瓷的反应前驱物，包括以下子步骤， 步骤2.1，在30?60°C及200rpm的搅拌速度下，将碳酸钾溶液滴加到乙酸锰、硝酸钴与硫酸铜的混合溶液中，充分反应； 步骤2.2，对步骤2.1所得沉淀用去离子水反复清洗至PH值在7?8之间，然后过滤在100°C烘干，并过100目筛； 步骤2.3，将步骤2.2中的所得的过筛物料在600?1000°C煅烧I?2小时，得到NTC陶瓷的反应前驱物； 步骤3，轧制NTC浆料，包括以下子步骤， 步骤3.1，将步骤2.3得到的NTC陶瓷的反应前驱物粉碎，加入NTC粉质量3%?20%的预制的玻璃粉，行星球磨4h，转速451rpm，NTC与玻璃粉混合物料:去离子水:玛瑙球(质量比)=1:1: 3，得到的球磨混合物在100°C烘干过100目筛备用； 步骤3.2，在步骤3.1得到球磨混合物中加入其质量15%?30%的预制...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞锦标，张力平，韩玉成，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52