阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。阵列基板的引线包括透明导电层和位于透明导电层下方的至少两个金属层。其中，透明导电层和其中一个金属层电性连接，且相邻的两个金属层之间形成有绝缘层，并电性连接，使得引线具有至少两层导通通道。并设置至少一个金属层的端部被绝缘层包覆，避免其与环境接触，有效降低引线被腐蚀出现电性导通不良的风险，多层导通通道和至少一个金属层的端部被绝缘层包覆的设计，能够大大提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD的主体结构为对盒的阵列基板和彩膜基板，在阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶分子。在阵列基板上形成有横纵交叉的栅线和数据线，限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)和像素电极，在薄膜晶体管上覆盖有钝化层。TFT的漏电极和像素电极电性连接，源电极和数据线电性连接，栅电极和栅线电性连接。数据线上传输的像素电压通过薄膜晶体管输出至像素电极，像素电极与公共电极配合，形成驱动液晶分子偏转的驱动电场，实现特定灰阶的显示。TFT-LCD的非显示区域包括引线区域，所述引线区域包括多条引线，所述引线用于连接驱动芯片，为栅线和数据线提供所需的信号。为了方便后续的测试，实际工艺中，引线的端部是封闭连接的，如图1所示，以对所有的栅线或数据线施加相同的信号，方便对薄膜晶体管的电学特性等进行测试。在测试完成后，再沿直线L切割基板，使得引线之间断开。然而，切割基板后会使得引线的端部直接暴露在环境中。由于制造显示装置的环境不是严格的干燥环境，环境中存在的水汽或者其他物质会导致引线的腐蚀，大大降低了产品良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决引脚导线的端部暴露在环境中，会被水汽或者其他物质腐蚀，大大降低了产品良率的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供阵列基板，包括引线区域，所述引线区域包括多条引线，所述引线包括第一透明导电层，所述第一透明导电层用于与芯片引脚电性连接，所述引线还包括：至少两个金属层，位于所述第一透明导电层下方，所述第一透明导电层与其中一个金属层电性连接；其中，相邻的两个金属层之间形成有绝缘层，且相邻的两个金属层电性连接，至少一个金属层的端部被绝缘层包覆。如上所述的阵列基板，优选的是，所述引线包括两个金属层；其中一个金属层的端部被绝缘层包覆。如上所述的阵列基板，优选的是，所述引线还包括：第二透明导电层，位于所述两个金属层下方；所述第一透明导电层包覆所述两个金属层的侧面，并与所述第二透明导电层电性连接。如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板还包括显示区域，所述显示区域包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极由栅金属形成，源电极和漏电极由源漏金属形成；像素电极，由透明导电材料形成；所述引线的两个金属层分别为栅金属层和源漏金属层。如上所述的阵列基板，优选的是，所述引线的第一透明导电层与像素电极由同一透明导电膜层形成；所述引线的栅金属层与薄膜晶体管的栅电极由同一栅金属膜层形成；所述引线的源漏金属层与薄膜晶体管的源电极和漏电极由同一源漏金属膜层形成。如上所述的阵列基板，优选的是，所述显示区域还包括：公共电极，由透明导电材料形成；所述引线的第二透明导电层与所述公共电极由同一透明导电膜层形成，其中，所述像素电极为狭缝电极，所述公共电极为板状电极。如上所述的阵列基板，优选的是，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述引线的源漏金属层位于第一透明导电层和栅金属层之间，所述第一透明导电层和源漏金属层之间形成有第一绝缘层，所述源漏金属层和栅金属层之间形成有第二绝缘层；所述第一绝缘层中形成有第一过孔，露出源漏金属层；所述第二绝缘层中形成有第二过孔，露出栅金属层；所述第一透明导电层填充所述第一过孔与源漏金属层电性接触；所述源漏金属层填充所述第二过孔与栅金属层电性接触；所述第二透明导电层位于栅金属层下方，与栅金属层直接电性接触，所述第一透明导电层包覆在源漏金属层和栅金属层的侧面，与第二透明导电层电性接触。本专利技术还提供一种显示装置，其包括阵列基板，所述阵列基板采用如上所述的阵列基板。本专利技术还提供一种如上所述的阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括引线区域，所述制作方法包括：在一衬底基板上形成多条引线，所述引线位于所述引线区域；形成所述引线的步骤包括：在所述衬底基板上形成第一透明导电层，所述第一透明导电层用于与芯片引脚电性连接，其特征在于，形成所述引线的步骤还包括：在所述第一透明导电层的下方形成至少两个金属层，所述第一透明导电层与其中一个金属层电性连接；其中，相邻的两个金属层之间形成有绝缘层，且相邻的两个金属层电性连接，至少一个金属层的端部被绝缘层包覆。如上所述的制作方法，优选的是，所述引线包括两个金属层；其中一个金属层的端部被绝缘层包覆。如上所述的阵列基板，优选的是，形成所述引线的步骤还包括：在所述两个金属层的下方形成第二透明导电层；所述第一透明导电层包覆所述两个金属层的侧面，与所述第二透明导电层电性连接。如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板还包括显示区域，所述制作方法还包括：在所述衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极由栅金属形成，源电极和漏电极由源漏金属形成；在所述衬底基板上形成像素电极，所述像素电极由透明导电材料形成；所述薄膜晶体管和像素电极位于所述显示区域，所述引线的两个金属层分别为栅金属层和源漏金属层。如上所述的阵列基板，优选的是，形成所述引线的步骤包括：在所述衬底基板上形成第一透明导电膜层，对所述第一透明导电膜层进行构图工艺同时形成所述引线的第一透明导电层和像素电极；在所述衬底基板上形成栅金属膜层，对所述栅金属膜层进行构图工艺同时形成所述引线的栅金属层和薄膜晶体管的栅电极；在所述衬底基板上形成源漏金属膜层，对所述源漏金属膜层进行构图工艺所述引线的源漏金属层和薄膜晶体管的源电极、漏电极。如上所述的阵列基板，优选的是，形成所述引线的步骤还包括：在所述衬底基板上形成第二透明导电膜层，对所述第二透明导电膜层进行构图工艺同时形成所述引线的第二透明导电层和公共电极，其中，所述像素电极为狭缝电极，所述公共电极为板状电极。如上所述的阵列基板，优选的是，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述制作方法包括：在所述衬底基板上形成第二透明导电膜层，对所述第二透明导电膜层进行构图工艺形成所述引线的第二透明导电层和板状公共电极；在形成有所述引线的第二透明导电层的衬底基板上形成栅金属膜层，对所述栅金属膜层进行构图工艺形成所述引线的栅金属层和薄膜晶体管的栅电极；在形成有所述引线的栅金属层的衬底基板上形成第二绝缘层，对所述第二绝缘层进行构图工艺形成第二过孔，露出栅金属层；在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成源漏金属膜层，对所述源漏金属膜层进行构图工艺所述引线的源漏金属层，以及薄膜晶体管的源电极和漏电极；在形成有所述引线的源漏金属层的衬底基板上形成第一绝缘层，对所述第一绝缘层进行构图工艺形成第一过孔，露出源漏金属层；在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成第一透明导电膜层，对所述第一透明导电膜层进行构图工艺形成所述引线的第一透明导电层和狭缝像素电极。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，阵列基板的引线包括透明导电层和位于透明导电层下方的至少两个金属层。其中，透明导电层和其中一个金属层电性连接，且相邻的两个金属层之间形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括引线区域，所述引线区域包括多条引线，所述引线包括第一透明导电层，所述第一透明导电层用于与芯片引脚电性连接，其特征在于，所述引线还包括：至少两个金属层，位于所述第一透明导电层下方，所述第一透明导电层与其中一个金属层电性连接；其中，相邻的两个金属层之间形成有绝缘层，且相邻的两个金属层电性连接，至少一个金属层的端部被绝缘层包覆。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括引线区域，所述引线区域包括多条引线，所述引线包括第一透明导电层，所述第一透明导电层用于与芯片引脚电性连接，其特征在于，所述引线还包括：至少两个金属层，位于所述第一透明导电层下方，所述第一透明导电层与其中一个金属层电性连接；其中，相邻的两个金属层之间形成有第二绝缘层，且相邻的两个金属层电性连接，至少一个金属层的端部被第二绝缘层包覆，所述第一透明导电层与位于其下方的金属层之间具有第一绝缘层，所述第一透明导电层与位于其下方的金属层电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述引线包括两个金属层；其中一个金属层的端部被绝缘层包覆。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述引线还包括：第二透明导电层，位于所述两个金属层下方；所述第一透明导电层包覆所述两个金属层的侧面，并与所述第二透明导电层电性连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括显示区域，所述显示区域包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极由栅金属形成，源电极和漏电极由源漏金属形成；像素电极，由透明导电材料形成；所述引线的两个金属层分别为栅金属层和源漏金属层。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述引线的第一透明导电层与像素电极由同一透明导电膜层形成；所述引线的栅金属层与薄膜晶体管的栅电极由同一栅金属膜层形成；所述引线的源漏金属层与薄膜晶体管的源电极和漏电极由同一源漏金属膜层形成。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域还包括：公共电极，由透明导电材料形成；所述引线的第二透明导电层与所述公共电极由同一透明导电膜层形成，其中，所述像素电极为狭缝电极，所述公共电极为板状电极。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述引线的源漏金属层位于第一透明导电层和栅金属层之间，所述第一透明导电层和源漏金属层之间形成有第一绝缘层，所述源漏金属层和栅金属层之间形成有第二绝缘层；所述第一绝缘层中形成有第一过孔，露出源漏金属层；所述第二绝缘层中形成有第二过孔，露出栅金属层；所述第一透明导电层填充所述第一过孔与源漏金属层电性接触；所述源漏金属层填充所述第二过孔与栅金属层电性接触；所述第二透明导电层位于栅金属层下方，与栅金属层直接电性接触，所述第一透明导电层包覆在源漏金属层和栅金属层的侧面，与第二透明导电层电性接触。8.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1-7任一项所述的阵列基板。9.一种权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括引线区域，所述制作方法包括：在一衬底基板上形成多条引线，所述引线位于所述引线区域；形成所述引线的步骤包括：在所述衬底基板上形成第一透明导电层，所述第一透明导电层用于与芯片引脚电性连接，其特征在于，形成所述引线的步骤还包括：在所述第一透明导电层的下方形...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯博，马禹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11