一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，改善了现有技术中薄膜晶体管受到紫外光照射导致性能降低甚至失效，进而降低显示装置的显示性能的问题。一种阵列基板，包括衬底以及形成在所述衬底上的第一薄膜晶体管和第一电极，所述第一薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，且至少覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层未与所述源极和所述漏极交叠的区域，所述第一电极能够吸收紫外光。用于阵列基板、包含阵列基板的显示面板以及显示装置的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管是驱动电路的重要组成器件，在显示装置中具有广泛应用。薄膜晶体管主要包括栅极、有源层、源极和漏极。其中，有源层受到紫外光照射后，电学性质改变，从而造成薄膜晶体管的开关性能降低，尤其是有源层采用迁移率高、均匀性好的金属氧化物形成时，这种现象更为严重。具体的，例如在PLED(Polymer Light-emitting Diode，高分子发光二极管)显示装置中，PLED显示装置包括：阵列基板和封装基板，其中，如图1所示，阵列基板包括衬底10以及依次形成在衬底10上的薄膜晶体管、钝化层30，薄膜晶体管包括栅极200、栅极绝缘层201、有源层202、刻蚀阻挡层203、源极204和漏极205，有源层202采用金属氧化物例如IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)形成。上述PLED显示装置的阵列基板还包括在衬底上形成有发光层，目前多采用喷墨打印技术制备上述PLED显示装置的发光层，为了进一步优化喷墨打印工艺，一般会在形成发光层之前，对阵列基板进行紫外光清洗与改性。由于金属氧化物受到紫外光照射后具有稳定性差的缺点，当阵列基板进行紫外光清洗与改性时，有源层受到紫外光照射，电学特性变化，从而造成薄膜晶体管的开关性能降低，甚至导致薄膜晶体管失效，进而降低PLED显示装置的显示性能。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，改善了现有技术中薄膜晶体管受到紫外光照射导致性能降低甚至失效，进而降低显示装置的显示性能的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底以及形成在所述衬底上的第一薄膜晶体管和第一电极，所述第一薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，且至少覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层未与所述源极和所述漏极交叠的区域，所述第一电极能够吸收紫外光。另一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一项所述的阵列基板。再一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，该制作方法包括：在衬底上形成第一薄膜晶体管，包括形成栅极、有源层、源极和漏极；在形成有所述第一薄膜晶体管的衬底上形成第一电极，其中，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，且至少覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层未与所述源极和所述漏极交叠的区域，所述第一电极能够吸收紫外光。本专利技术的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板通过设置第一电极与第一薄膜晶体管的漏极电连接，且至少覆盖第一薄膜晶体管的有源层未与源极和漏极交叠的区域，由于第一电极能够吸收紫外光，则大部分照射到第一薄膜晶体管的有源层未与源极和漏极交叠的区域的紫外光被第一电极吸收，仅有少量紫外光透过第一电极照射到第一薄膜晶体管的有源层未与源极和漏极交叠的区域，这样极大避免紫外光照射到第一薄膜晶体管的有源层未与源极和漏极交叠的区域，从而有效改善了薄膜晶体管受到紫外光照射导致性能降低甚至失效，进而降低显示装置的显示性能的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图3为ITO的透射光谱图；图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；图5为图4步骤S01的示意图；图6为图4步骤S02的示意图；图7为图4步骤S03的示意图；图8为图4步骤S05的示意图；图9为形成第一薄膜晶体管的流程示意图。附图标记：10-衬底；21-第一薄膜晶体管；22-第二薄膜晶体管；200-栅极；201-栅极绝缘层；202-有源层；203-刻蚀阻挡层；204-源极；205-漏极；30-钝化层；40-第一电极；50-像素界定层；60-发光层；70-第二电极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术实施例中所述“上”、“下”以形成层结构的顺序为依据，在先形成的层结构即在下，在后形成的层结构即在上。一种阵列基板，如图2所示，包括衬底10以及形成在衬底10上的第一薄膜晶体管21和第一电极40，第一薄膜晶体管21包括栅极200、有源层202、源极204和漏极205，第一电极40与第一薄膜晶体管21的漏极204电连接，且至少覆盖第一薄膜晶体管21的有源层202未与源极204和漏极205交叠的区域，第一电极40能够吸收紫外光。上述阵列基板中，对于第一电极覆盖第一薄膜晶体管的面积不做限定，即第一电极可以仅覆盖第一薄膜晶体管的有源层未与源极和漏极交叠的区域，也可以覆盖第一薄膜晶体管，还可以覆盖第一薄膜晶体管和其他区域，只要满足第一电极至少覆盖第一薄膜晶体管的有源层未与源极和漏极交叠的区域即可。另外，第一电极的材料、厚度这里也不做限定，只要满足第一电极具有吸收紫外光的特性即可。上述阵列基板中，对于形成有源层的材料也不作限定，有源层可以是由硅基材料形成，例如非晶硅、多晶硅等材料，也可以是由非硅基材料形成，例如金属氧化物等材料，具体可以根据实际情况选取。需要说明的是，上述阵列基板可以用于形成LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示装置，也可以用于形成OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置。在上述阵列基板用于形成LCD显示装置的情况下，第一电极可以是像素电极，第一薄膜晶体管的漏极与第一电极电连接，从而通过第一薄膜晶体管向第一电极提供电压；在上述阵列基板用于形成OLED显示装置的情况下，第一电极可以作为阳极，也可以作为阴极，第一薄膜晶体管可以为驱动管，向第一电极提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底以及形成在所述衬底上的第一薄膜晶体管和第一电极，所述第一薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，且至少覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层未与所述源极和所述漏极交叠的区域，所述第一电极能够吸收紫外光。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底以及形成在所述衬底上的第一薄膜晶
体管和第一电极，所述第一薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏
极，其特征在于，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，
且至少覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层未与所述源极和所述漏极交
叠的区域，所述第一电极能够吸收紫外光。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极
覆盖所述第一薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一
电极的材料为氧化铟锡、氧化镓锌或氧化铟锌。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述
第一电极的厚度为30nm-300nm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述
第一电极对于波长小于300nm的紫外光的吸收率不低于90％。
6.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述
第一电极为阴极或阳极。
7.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包
括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体
管的栅极电连接，所述第一电极还至少覆盖所述第二薄膜晶体管的有
源层未与所述第二薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的漏极交
叠的区域。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极
还覆盖所述第二薄膜晶体管。
9.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，形成
所述有源层的材料为氧化物半导体材料。
10.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包
括形成在所述衬底上的钝化层、发光层和第二电极，其中，所述钝化
层形成在所述第一电极和所述第一薄膜晶体管之间，所述发光层、所
述第二电极依次形成在所述第一电极之上。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述
的阵列基板。
12.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈江博，王灿，王辉锋，宋文峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11