有机发光二极管显示器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法。该有机发光二极管显示器包括：基底；被设置在基底上并包括本征多晶半导体部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层；覆盖半导体层的栅绝缘层；被设置在栅绝缘层上并传输扫描信号的扫描线；和扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线；被连接到扫描线和数据线的薄膜晶体管；以及被连接到薄膜晶体管的有机发光二极管，其中本征多晶半导体部件被定位在扫描线附近的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光二极管(“0LED”)显示器及其制造方法。
技术介绍
有机发光二极管(“0LED”)显示器包括两个电极和被设置在它们之间的有机发光构件。从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发光构件中结合，以形成激子，并且随着激子释放能量，光被发射。 为了最小化在OLED显示器的制造方法中使用的掩模的数量，已经开发出了有源图案跳过(“APS”)方法，APS方法是一种制造OLED显示器的方法，其中半导体层不被蚀亥IJ，而是被保持在整个表面上，从而当形成半导体层时不使用掩模，使得掩模的数量可以被有效地减小。
技术实现思路
在有源图案跳过(“APS”)方法中，在预定方向上延伸的扫描线重叠下面的半导体，使得寄生电容产生，这样可能增加电阻-电容(“RC”)延迟。 本专利技术提供了通过最小化扫描线和半导体层之间的寄生电容减少了 RC延迟的有机发光二极管(“0LED”)显示器及其制造方法。 根据一个示例性实施例的OLED显示器包括:基底；被设置在基底上并包括本征多晶半导体部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层；覆盖半导体层的栅绝缘层；被设置在栅绝缘层上并传输扫描信号的扫描线；与扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线；被连接到扫描线和数据线的薄膜晶体管(“TFT”)；以及被连接到TFT的0LED，其中本征多晶半导体部件被定位在扫描线附近的区域。 在一个示例性实施例中，扫描线可以包括:被设置在栅绝缘层上的主扫描线、以及被设置在主扫描线上并接触主扫描线的辅助扫描线。 在一个示例性实施例中，数据线可以包括被设置在栅绝缘层上的辅助数据线、以及被设置在辅助数据线上并接触辅助数据线的主数据线。 在一个示例性实施例中，掺杂多晶半导体部件可以包括被设置在扫描线和数据线的交叉区域的交叉半导体部件，交叉半导体部件可以包括彼此分离并彼此面对的第一交叉半导体部件和第二交叉半导体部件。 在一个示例性实施例中，OLED显示器可以进一步包括被设置在交叉半导体部件和主扫描线上的交叉层间绝缘层图案，交叉层间绝缘层图案可以彼此绝缘主扫描线和主数据线。 在一个示例性实施例中，交叉层间绝缘层图案可以具有包括交叉的横向部件和纵向部件的交叉形状，横向部件可以接触主扫描线并被设置在主扫描线上，纵向部件可以重叠交叉半导体部件。 在一个示例性实施例中，辅助扫描线的分离部分可以通过在交叉区域的主扫描线被连接，辅助数据线的分离部分可以通过在交叉区域的主数据线被连接。 在一个示例性实施例中，本征多晶半导体部件可以被定位在主扫描线和辅助数据线的下方。 在一个示例性实施例中，掺杂多晶半导体部件可以进一步包括被设置在TFT处的晶体管半导体部件，晶体管半导体部件可以包括彼此分离并彼此面对的源区和漏区。 在一个示例性实施例中，OLED显示器可以进一步包括部分重叠晶体管半导体部件的晶体管层间绝缘层图案以及部分重叠晶体管半导体部件的源电极和漏电极。 在一个示例性实施例中,根据一个示例性实施例的制造OLED显示器的方法包括:在基底上顺序形成包括本征多晶半导体的半导体层、栅绝缘层和栅极层；掺杂半导体层，以提供掺杂多晶半导体部件和本征多晶半导体部件；在掺杂多晶半导体部件和栅极层上形成层间绝缘层图案；在栅极层和层间绝缘层图案上形成数据层；图案化数据层，以提供辅助扫描线和主数据线；以及图案化被设置在辅助扫描线和主数据线附近的区域的栅极层，以暴露本征多晶半导体部件。 在一个示例性实施例中，提供掺杂多晶半导体部件可以包括在辅助扫描线和主数据线的交叉区域设置交叉半导体部件。 在一个示例性实施例中，形成层间绝缘层图案可以包括在交叉区域设置交叉层间绝缘层图案。 在一个示例性实施例中，交叉半导体部件和本征多晶半导体部件可以通过图案化栅极层以限定栅极开口并通过栅极开口掺杂半导体层被设置。 在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步包括:在辅助扫描线下方设置主扫描线，并且可以在主数据线下方设置辅助数据线。 在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步提供:形成包括主扫描线和辅助扫描线的扫描线以及包括主数据线和辅助数据线的数据线，并将TFT连接到扫描线和数据线。 在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步包括:形成被连接到TFT 的 OLED。 根据一个示例性实施例，通过将本征多晶半导体部件定位在扫描线附近的区域，可以最小化扫描线和半导体层之间的寄生电容的产生，从而减少RC延迟。 另外，通过在扫描线和数据线的交叉区域形成层间绝缘层图案，扫描线和数据线可以绝缘并交叉。 此外，扫描线包括栅极线束的主栅线和数据线束的辅助栅线的双线束，数据线包括数据线束的主数据线和栅极线束的辅助数据线的双线束，使得扫描线和数据线的线束电阻可以被有效地降低。 【附图说明】 通过参考附图进一步详细描述示例性实施例，上述和其它实施例以及此公开的优点和特征将变得更显而易见，附图中: 图1示出了根据本专利技术的有机发光二极管(“0LED”)显示器的等效电路的示例性实施例。 图2是根据本专利技术的OLED显示器的一个像素的示例性实施例的平面图。 图3是沿图2的线II1-1II截取的剖视图。 图4是沿图2的线IV-1V截取的剖视图。 图5是沿图2的线V-V’和V’ -V截取的剖视图。 图6是沿图2的线V1-VI截取的薄膜晶体管的剖视图。 图7是沿图2的线VI1-VII截取的存储电容器的剖视图。 图8至图10是依次示出了根据本专利技术的OLED显示器的制造方法的示例性实施例的平面图。 【具体实施方式】 下面将参考其中示出了本专利技术的示例性实施例的附图更充分地描述本专利技术。如本领域技术人员将认识到的那样，所描述的示例性实施例可以以各种不同的方式修改，所有这些都不脱离专利技术的精神或范围。 为了使本专利技术的描述清楚，与描述无关的部件被省略，并且相同的附图标记贯穿附图被用来指代相同或相似的部件。 另外，为了更好地理解和易于描述，附图中所示的构成构件的尺寸和厚度被任意给出，本专利技术不限于所示出的尺寸和厚度。 在图中，为了清楚，层、膜、面板、区域等的厚度可能被夸大。在图中，为了更好地理解和易于描述，一些层和区域的厚度被夸大。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。 将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，下面讨论的“第一元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本文的教导。 本文使用的术语仅用于描述特定的实施例，并不旨在限制。如本文所用，单数形式的“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，除非上下文另有明确说明。“或”意味着“和/或”。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目的一个或多个的任意和所有组合。将进一步理解的是，当在申请文件中使用时，术语“包括”或“包含”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基底；被设置在所述基底上并包括本征多晶半导体部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层；覆盖所述半导体层的栅绝缘层；被设置在所述栅绝缘层上并传输扫描信号的扫描线；与所述扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线；被连接到所述扫描线和所述数据线的薄膜晶体管；和被连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管，其中所述本征多晶半导体部件被定位在所述扫描线附近的区域。

【技术特征摘要】
2013.08.06 KR 10-2013-00931781.一种有机发光二极管显不器，包括: 基底； 被设置在所述基底上并包括本征多晶半导体部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层； 覆盖所述半导体层的栅绝缘层； 被设置在所述栅绝缘层上并传输扫描信号的扫描线； 与所述扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线； 被连接到所述扫描线和所述数据线的薄膜晶体管；和 被连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管， 其中所述本征多晶半导体部件被定位在所述扫描线附近的区域。2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中 所述扫描线包括: 被设置在所述栅绝缘层上的主扫描线，和 被设置在所述主扫描线上并接触所述主扫描线的辅助扫描线。3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中 所述数据线包括: 被设置在所述栅绝缘层上的辅助数据线，和 被设置在所述辅助数据线上并接触所述辅助数据线的主数据线。4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中 所述掺杂多晶半导体部件包括被设置在所述扫描线和所述数据线的交叉区域的交叉半导体部件，并且 所述交叉半导体部件包括彼此分离并彼此面对的第一交叉半导体部件和第二交叉半导体部件。5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，进一步包括: 被设置在所述交叉半导体部件和所述主扫描线上的交叉层间绝缘层图案， 其中所述交叉层间绝缘层图案彼此绝缘所述主扫描线和所述主数据线。6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中 所述交叉层间绝缘层图案具有包括交叉的横向部件和纵向部件的交叉形状， 所述横向部件接触所述主扫描线并被设置在所述主扫描线上，并且 所述纵向部件重叠所述交叉半导体部件。7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中: 所述辅助扫描线的分离部分通过在所述交叉区域的所述主扫描线被连接，并且 所述辅助数据线的分离部分通过在所述交叉区域的所述主数据线被连接。8.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：金广海，崔宰凡，郑宽旭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR