普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系统技术方案

本发明专利技术提供一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系统，包括：信号上升沿检测单元比较SIM_DATA信号和一预设的参考电平；当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，信号上升沿检测单元输出低或高电平，触发上拉信号产生单元驱动输出高电平，从而上拉电路单元将SIM_DATA信号拉高至高电平。本发明专利技术使用普通SIM卡控制器就可以支持低阻抗SIM卡。只需在SIM_DATA信号上增加本发明专利技术的系统，并不改动原有普通SIM卡电路，当终端不需要支持低阻抗SIM卡功能时，可不贴装本发明专利技术系统从而降低成本，因此有利于多种机型共用一种PCB板的量产复用策略，即工板策略。本发明专利技术电路简单，成本低，功耗小，易于推广。

【技术实现步骤摘要】
普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系统
本专利技术涉及SIM卡，特别涉及一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系统。
技术介绍
在现有技术中，普通SIM卡控制器只支持普通SIM卡。如图1所示，其是普通SIM卡的电路原理图。在图1中，D1～D4是释放静电器件（ESD器件），用以防止SIM电路被静电击穿，而SIM电路均由VSIM供电。进一步的，R1是上拉电阻，按照SIM卡一致性测试电气特性要求，R1必须大于3K以上。根据SIM规范，在Guardtime期间，普通SIM卡控制器不再驱动SIM_DATA信号，而靠R1为SIM_DATA信号提供上拉，也就是说，如果SIM_DATA信号传输的最后一个比特是低，则R1负责将SIM_DATA信号拉高至高电平。进一步的，普通SIM卡规范要求SIM_DATA的Guardtime上升时间小于1000ns。但是，由于手机中SIM_DATA信号上的寄生电容很大，其中所述寄生电容包括：ESD器件电容、PCB（印刷电路板）走线电容，以及SIM卡连接器、SIM卡及SIM卡控制器引脚电容，通常情况下，假如SIM_DATA信号传输的最后一个比特是低，即IO上位低电平，则SIM_DATA信号上的寄生电容会轻易超过40pF，从而导致SIM_DATA的Guardtime上升时间超过100ns。由于低阻抗SIM卡规范要求SIM_DATA的Guardtime上升时间要小于100ns，而SIM卡一致性测试电气特性要求，当IO上为低电平时，通过R1灌入电流小于1mA，因此不能直接减小IO上的上拉电阻来减小SIM_DATA的Guardtime上升时间，因此普通SIM卡传统电路无法安全通过低阻抗SIM卡测试。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系统，以解决现有普通SIM卡控制器不支持低阻抗SIM卡的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，包括：信号上升沿检测单元；上拉信号产生单元，与所述信号上升沿检测单元连通；上拉电路单元，与所述上拉信号产生单元连通。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统中，所述信号上升沿检测单元包括：快速比较器和VCC电源，其中，所述快速比较器由所述VCC电源供电；所述快速比较器的阳极输入一预设的参考电平，阴极输入SIM_DATA信号；所述上拉信号产生单元包括：反向非门和VSIM电源，其中，所述反向非门由所述VSIM电源供电；所述上拉电路单元包括：肖特基二极管和第二电阻，其中，所述肖特基二极管与所述第二电阻串接。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统中，所述信号上升沿检测单元包括：快速比较器和VCC电源，其中，所述快速比较器由所述VCC电源供电；所述快速比较器的阴极输入一预设的参考电平，阳极输入SIM_DATA信号；所述上拉信号产生单元包括：缓冲驱动门和VSIM电源，其中，所述缓冲驱动门由所述VSIM电源供电；所述上拉电路单元包括：肖特基二极管和第二电阻，其中，所述肖特基二极管与所述第二电阻串接。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统中，所述信号上升沿检测单元包括：第三电阻和第一高速NPN三极管，其中，所述第三电阻与所述第一高速NPN三极管导通；所述上拉信号产生单元包括：第四电阻和第二高速NPN三极管，其中，所述第四电阻与所述第二高速NPN三极管导通；所述上拉电路单元包括：第二电阻。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统中，所述信号上升沿检测单元包括：第三电阻、第一高速NPN三极管和第四电阻，其中，所述第三电阻、第四电阻分别与所述第一高速NPN三极管导通；所述上拉信号产生单元包括：高速P沟道MOS管；所述上拉电路单元包括：第二电阻。同时，本专利技术还提供一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，包括：超低压电平转换单元，所述超低压电平转换单元的输入级由VCC电源供电，输出级由VSIM电源供电；上拉电路单元，与所述超低压电平转换单元连通。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统中，所述上拉电路单元包括：肖特基二极管和第二电阻，其中，所述肖特基二极管与所述第二电阻串接。同时，本专利技术还提供一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，使用所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系统，包括：信号上升沿检测单元比较SIM_DATA信号和一预设的参考电平；当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，信号上升沿检测单元输出低或高电平，触发上拉信号产生单元驱动输出高电平，从而上拉电路单元将SIM_DATA信号拉高至高电平。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法中，所述信号上升沿检测单元包括：快速比较器和VCC电源；所述上拉信号产生单元包括：反向非门和VSIM电源；所述上拉电路单元包括：肖特基二极管和第二电阻；信号上升沿检测单元比较SIM_DATA信号和一预设的参考电平的步骤包括：快速比较器比较SIM_DATA信号和一预设的参考电平；当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，信号上升沿检测单元输出低电平，触发上拉信号产生单元驱动输出高电平，从而上拉电路单元将SIM_DATA信号拉高至高电平的步骤包括：当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，快速比较器输出低电平，触发反向非门输出高电平，从而上拉电路单元将SIM_DATA信号拉高至高电平。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法中，所述信号上升沿检测单元包括：快速比较器和VCC电源；所述上拉信号产生单元包括：缓冲驱动门和VSIM电源；所述上拉电路单元包括：肖特基二极管和第二电阻；信号上升沿检测单元比较SIM_DATA信号和一预设的参考电平的步骤包括：快速比较器比较SIM_DATA信号和预设的参考电平；当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，信号上升沿检测单元输出高电平，触发上拉信号产生单元驱动输出高电平，从而上拉电路单元将SIM_DATA信号拉高至高电平的步骤包括：当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，快速比较器输出高电平，触发缓冲驱动输出高电平，从而上拉电路单元将SIM_DATA信号拉高至高电平。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法中，所述信号上升沿检测单元包括：第三电阻和第一高速NPN三极管；所述上拉信号产生单元包括：第四电阻和第二高速NPN三极管；所述上拉电路单元包括：第二电阻；当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，信号上升沿检测单元输出低电平，触发上拉信号产生单元驱动输出高电平，从而上拉电路单元将SIM_DATA信号拉高至高电平的步骤包括：当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，导通第一高速NPN三极管，并触发导通第二高速NPN三极管驱动输出高电平，从而上拉电路单元将SIM_DATA信号拉高至高电平。进一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法中，所述信号上升沿检测单元包括：第三电阻、高速NPN三极管和第四电阻；所述上拉信号产生单元包括：高速P沟道MOS管；所述上拉电路单元包括：第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，其特征在于，包括：信号上升沿检测单元；上拉信号产生单元，与所述信号上升沿检测单元连通；上拉电路单元，与所述上拉信号产生单元连通。

【技术特征摘要】
1.一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，其特征在于，包括：信号上升沿检测单元；上拉信号产生单元，与所述信号上升沿检测单元连通；上拉电路单元，与所述上拉信号产生单元连通；其中，所述信号上升沿检测单元包括：快速比较器和VCC电源，其中，所述快速比较器由所述VCC电源供电；所述快速比较器的阳极输入一预设的参考电平，阴极输入SIM_DATA信号；所述上拉信号产生单元包括：反向非门和VSIM电源，其中，所述反向非门由所述VSIM电源供电，所述快速比较器的输出端与所述反向非门的输入端连接；所述上拉电路单元包括：肖特基二极管和第二电阻，其中，所述肖特基二极管与所述第二电阻串接，所述肖特基二极管与所述反向非门的输出端连接。2.一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，其特征在于，包括：信号上升沿检测单元；上拉信号产生单元，与所述信号上升沿检测单元连通；上拉电路单元，与所述上拉信号产生单元连通；其中，所述信号上升沿检测单元包括：快速比较器和VCC电源，其中，所述快速比较器由所述VCC电源供电；所述快速比较器的阴极输入一预设的参考电平，阳极输入SIM_DATA信号；所述上拉信号产生单元包括：缓冲驱动门和VSIM电源，其中，所述缓冲驱动门由所述VSIM电源供电，所述快速比较器的输出端与所述缓冲驱动门的输入端连接；所述上拉电路单元包括：肖特基二极管和第二电阻，其中，所述肖特基二极管与所述第二电阻串接，所述肖特基二极管与所述缓冲驱动门的输出端连接。3.一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，其特征在于，包括：信号上升沿检测单元；上拉信号产生单元，与所述信号上升沿检测单元连通；上拉电路单元，与所述上拉信号产生单元连通；其中，所述信号上升沿检测单元包括：第三电阻和第一高速NPN三极管，其中，所述第三电阻与所述第一高速NPN三极管的基极连接；所述上拉信号产生单元包括：第四电阻和第二高速PNP三极管，其中，所述第四电阻与所述第二高速PNP三极管的基极连接，所述第四电阻与所述第一高速NPN三极管的集电极连接；所述上拉电路单元包括：第二电阻，所述第二电阻与所述第二高速PNP三极管的集电极连接。4.一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，其特征在于，包括：信号上升沿检测单元；上拉信号产生单元，与所述信号上升沿检测单元连通；上拉电路单元，与所述上拉信号产生单元连通；其中，所述信号上升沿检测单元包括：第三电阻、第一高速NPN三极管和第四电阻，其中，所述第三电阻与所述第一高速NPN三极管的基极连接，第四电阻与所述第一高速NPN三极管的集电极相连；所述上拉信号产生单元包括：高速P沟道MOS管，所述高速P沟道MOS管的栅极与所述第一高速NPN三极管的集电极连接，所述高速P沟道MOS管的源极与所述第四电阻连接；所述上拉电路单元包括：第二电阻，所述第二电阻与所述高速P沟道MOS管的漏极连接。5.一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，其特征在于，包括：超低压电平转换单元，所述超低压电平转换单元的输入级由VCC电源供电，输出级由VSIM电源供电；上拉电路单元，与所述超低压电平转换单元连通；所述上拉电路单元包括：肖特基二极管和第二电阻，其中，所述肖特基二极管与所述第二电阻串接，所述肖特基二极管与所述超低压电平转换单元连通。6.一种普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，使用如权利要求1所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系统，其特征在于，包括：信号上升沿检测单元比较SIM_DATA信号和一预设的参考电平；当所述SIM_DATA信号高于预设的参考电平时，信号上升沿检测单元输出低或高电平，触发上拉信号产生单元驱动输出高电平，从而上拉电路单...

【专利技术属性】
技术研发人员：范团宝，石珊珊，
申请(专利权)人：联芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31