DBC基板制造技术

本发明专利技术公开了一种DBC基板，包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的金属层，金属层包括2个第一IGBT芯片焊接区、2个第二IGBT芯片焊接区、2个FRD芯片焊接区以及键合区，IGBT芯片焊接区和FRD芯片焊接区对称分布于键合区的两侧，位于键合区一侧的IGBT芯片焊接区和FRD芯片沿纵向排列，键合区包括发射极引线键合区和栅极引线键合区，栅极引线键合区的顶端与第一IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切，栅极引线键合区的底端与第二IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切。本发明专利技术的DBC基板兼容栅极在IGBT芯片中间位置和四角位置两种芯片。

【技术实现步骤摘要】
DBC基板
本专利技术属于电子制造领域，特别涉及一种DBC基板及应用该DBC基板的电子器件。
技术介绍
对于功率型电子器件封装而言，基板除具备基本的布线(电互连)功能外，还要求具有较高的导热、绝缘、耐热、耐压能力与热匹配性能。因此，常用的MCPCB (金属核印刷电路板)难以满足功率型器件的封装散热要求；而对于LTCC和HTCC基板(低温或高温共烧陶瓷基板)而言，由于内部金属线路层采用丝网印刷工艺制成，易产生线路粗糙、对位不精准等问题。以DBC (直接键合铜-陶瓷基板)和DPC (直接镀铜-陶瓷基板)为代表的金属化陶瓷基板在导热、绝缘、耐压与耐热等方面性能优越，已成为功率型器件封装的首选材料，并逐渐得到市场的认可。 直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065°C?1083°C范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液，DBC技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成CuAlO2或CuAl2O4相，另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。直接敷铜陶瓷基板由于同时具备铜的优良导电、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DBC基板，包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的金属层，所述的金属层包括2个第一IGBT芯片焊接区、2个第二IGBT芯片焊接区、2个FRD芯片焊接区以及键合区，所述的第一IGBT芯片焊接区、第二IGBT芯片焊接区和FRD芯片焊接区对称分布于所述键合区的两侧，位于所述键合区一侧的第一IGBT芯片焊接区、第二IGBT芯片焊接区和FRD芯片沿纵向排列，且第二IGBT芯片焊接区位于第一IGBT芯片焊接区和FRD芯片之间，其特征在于：所述的键合区包括发射极引线键合区和栅极引线键合区，所述的栅极引线键合区的顶端与所述第一IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切，所述的栅极引线键合区的底端与第二IGB...

【技术特征摘要】
1.一种DBC基板，包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的金属层，所述的金属层包括2个第一 IGBT芯片焊接区、2个第二 IGBT芯片焊接区、2个FRD芯片焊接区以及键合区，所述的第一 IGBT芯片焊接区、第二 IGBT芯片焊接区和FRD芯片焊接区对称分布于所述键合区的两侧，位于所述键合区一侧的第一 IGBT芯片焊接区、第二 IGBT芯片焊接区和FRD芯片沿纵向排列，且第二 IGBT芯片焊接区位于第一 IGBT芯片焊接区和FRD芯片之间，其特征在于:所述的键合区包括发射极引线键合区和栅极引线键合区，所述的栅极引线键合区的顶端与所述第一 IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切，所述的栅极引线键合区的底端与第二 IGBT芯片焊接区的中心所在的水...

【专利技术属性】
技术研发人员：任杰，王豹子，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61