本实用新型专利技术提供一种具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器，包括盒体、盒盖、并列设置在盒体中的至少一个半导体陶瓷芯片组件、左电极、右电极、以及左引出电极、右引出电极，半导体陶瓷芯片组件的左电极伸出端插入左引出电极下部的槽口，插至止口处进行焊接；还设置有与右电极数量相同的陶瓷遮断热脱离结构，陶瓷遮断板下端套有弹簧，还设置有拨块压制着设置在PCB板上的告警开关，PCB板还连接遥信接口；陶瓷遮断板覆盖有可焊金属层的端面与右电极伸出端、右引出电极的端面焊接牢固，确保弹簧被压缩。本实用新型专利技术釆用耐高温、无惧电弧、高绝缘陶瓷材料制成，并使用遮断技术，改进了结构的可靠性与安全性，整体工艺简单。
【技术实现步骤摘要】
一种具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器
本技术涉及一种大通流浪涌吸收保护器，特别涉及多片并联模块式大通流浪涌吸收保护器件(SPD)。
技术介绍
现有限压型浪涌保护器件具有特殊的非线性电压-电流特性。主要是由氧化锌(ZnO) MOV (Metal Oxide Varistors)构成。一旦发生异常状况时，比如遭遇雷击、电磁场干扰，电源开关频繁动作、电源系统故障，使得线路上电压突增，超过MOV的导通电压，就会进入导通区。此时电流(I)和电压(V)呈非线性关系，一般称之为非线性系数(NonlinearityParameter)，其值可达数十或上百。MOV阻抗会变低，仅有几个欧姆，让过电压形成突波电流流出，藉以保护所连接的电子产品或昂贵组件。 现有的大通流浪涌吸收保护器件采用2至6片的MOV芯片并联，瞬间保护动作电流可达几十千安至几百千安。这类大通流sro模块结构一般有顶部脱离与侧边脱离二种热脱离保护形式。顶脱式是:芯片引出电极一端焊接至共同使用的铜脚上，铜脚与外电路相通，另一端与弹片兼导线的铍青铜片用低温合金锡在MOV上部焊接，形成热脱离点，铍青铜片一端与压线框联接，与外电路相通，MOV芯片过热损坏时，热量通过与MOV紧贴的引出电极榕化热脱离点的低温合金锡，利用铍青铜片自身具有的弹性脱开焊接点，达到分断电路目的。侧边脱离式特点是:将铍青铜片二个作用改作二个零件，脱离铜片与弹簧。低温合金锡熔化时利用弹力从侧面顶开脱离铜片与MOV引出电极的连接，达到分断电路目的。第一种形式在MOV发热时间较长(温度尚未达到损坏)情况下，铍青铜片极易产生退火疲软现象，失去弹性，存在着脱离不了或分断距离过小。第二种形式很明显存在着分断距离过小，安全距离不够。在电源系统内阻较小条件下，MOV芯片一旦损坏击穿，巨大的断路电流会在分断间距过小的二端形成电流飞弧，瞬间产生的高温会熔化，碳化塑料零部件，引起火灾，造成事故，存在着安全隐患，无法满足产品安全要求。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的不足，本技术所要解决的技术问题是提供一种耐高温、无惧电弧、高绝缘的具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器。 为了解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案为: 本技术提供一种具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器，包括盒体、盒盖、并列设置在所述盒体中的至少一个半导体陶瓷芯片组件、贴合在半导体陶瓷芯片上的左电极、右电极、以及左引出电极、右引出电极，所述半导体陶瓷芯片组件的左电极伸出端插入所述左引出电极下部的槽口，插至止口处进行焊接； 还设置有与右电极数量相同的陶瓷遮断热脱离结构，每个陶瓷遮断热脱离结构包括陶瓷遮断板、弹簧、PCB板、告警开关； 所述陶瓷遮断板下端套有弹簧，还设有拨块压制着设置在PCB板上的告警开关，所述PCB板还连接遥信接口 ；所述陶瓷遮断板覆盖有可焊金属层的端面与右电极伸出端、右引出电极的端面焊接牢固，确保弹簧被压缩。 进一步地，半导体陶瓷芯片组件为半导体陶瓷单芯片组件或半导体陶瓷双芯片组件；半导体陶瓷芯片被左电极和右电极左右相贴合，形成半导体陶瓷单芯片组件；两个所述半导体陶瓷芯片之间贴合中间电极，作为右电极，另二侧面各贴合一左电极，形成半导体陶瓷双芯片组件。 进一步地，所述盒体设有形状大小相匹配的滑槽和腔体，用于安置陶瓷遮断板、弹簧、告警开关、PCB板。 进一步地，当陶瓷遮断板上覆盖的可焊金属层端面焊接的低温合金锡熔化时，弹簧回弹使陶瓷遮断板向上滑动，遮断电路分断时产生的电弧连接，切断与外电路连通。 进一步地，当陶瓷遮断板向上滑动，其下拨块离开告警开关，开关动作，遥信接口向外输出信号。 进一步地，所述陶瓷遮断板为薄片式形状。 更进一步地，所述陶瓷遮断板包括氧化铝陶瓷基板、碳化硅陶瓷基板、莫来石陶瓷基板或高岭土陶瓷基板等。 进一步地，所述陶瓷遮断板上端设有凸出指示端、下端设有拨块，用于拨动告警开关，还设有弹簧套脚用于套置弹簧，所述陶瓷遮断板根据安装需求设置孔、槽或者设置为符合安装需求的形状。 更进一步地，所述陶瓷遮断板滑动时，其上端设有的凸出指示端伸出至盒盖平面或高出盒盖平面。 进一步地，所述陶瓷遮断板根据需求用PCB板替代，并用PCB板上的铜泊形成微动开关电路。 本技术有益效果在于: 1、釆用耐高温，无惧电弧，高绝缘的陶瓷材料制成脱离装置，避免原塑料件高温变形引发事故； 2、使用遮断技术，克服了侧脱式开断间距过短的问题，改进了结构的可靠性与安全性； 3、本技术摒弃了又是导线又兼弹簧的顶脱式结构，釆用单独遮断结构、单独弹簧结构，整体安装工艺更容易，更简便； 4、本技术所涉及的MOV芯片工作具有独立性，多片并联MOV有单只或单组损坏时，对应的脱离机构动作，告警开关动作，其余仍能正常工作。 【附图说明】 图1是本技术大通流sro —个实施例的零件安装爆炸结构示意图； 图2-1是本技术大通流sro —个实施例中单芯片组件的结构示意图； 图2-2是本技术大通流sro —个实施例中双芯片组件的结构示意图； 图3是本技术大通流sro —个实施例中替代陶瓷遮断板的PCB板的示意图。【具体实施方式】 下面结合附图对本技术实施例作进一步说明。 如图1所示，本实施例涉及一种具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器，包括盒体1、盒盖12、并列设置在所述盒体I中的至少一个半导体陶瓷芯片组件、贴合在半导体陶瓷芯片2 (MOV芯片)上的左电极2-2、右电极2-1、以及左引出电极9、右引出电极8 ; 预制一:如图2-1所示，MOV芯片2被左电极2_2，右电极2_1左右相贴合，连成一体，形成单芯片组件；如图2-2所示，亦可釆用双芯片2a，2b之间贴合中间电极2-1，中间电极2-1作为右电极，另二面各贴合一左电极2-2，2-3，五个零件连成一体，形成双芯片组件，以适应不同数量芯片组装要求。 所述半导体陶瓷芯片组件的左电极2-2伸出端插入所述左引出电极9下部的槽口 9-1至9-6，插至止口处2-21进行焊接，从焊接面背面除去多余的左电极伸出端，依次按此要求焊接所需的半导体陶瓷芯片组件。 还设置有与右电极数量相同的陶瓷遮断热脱离结构，本实施例中右电极数量为三个，也设置了相应的三个陶瓷遮断热脱离结构，每个陶瓷遮断热脱离结构包括陶瓷遮断板3、弹簧5、PCB板4、告警开关4-1。 预制二:将三只告警开关4-1安装在PCB板4上，导线6 —端与PCB板相连，置入盒体1-1腔体底部，导线6另一端从1-6穿出，联接遥信接口 7，并将遥信接口 7固定在1-6端口中，便于外接告警。 所述陶瓷遮断板3下端3-3套有弹簧5，还设有拨块3_4压制着设置在PCB板4上的告警开关4-1 ;如图1、3所示，所述陶瓷遮断板3覆盖有可焊金属层3-1的端面与右电极2-1伸出端、右引出电极8的端面8-1用低温合金锡焊接牢固，确保弹簧5被压缩。 在本实施例中，所述盒体I设有形状大小相匹配的滑槽和腔体1-1，用于安置陶瓷遮断板3、弹簧5、告警开关4-1、PCB板4。二个接线框10置入盒体1_3，1-4腔体中，焊接好的芯片组件整体装入盒体1-5中本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器，包括盒体、盒盖、并列设置在所述盒体中的至少一个半导体陶瓷芯片组件、贴合在半导体陶瓷芯片上的左电极、右电极、以及左引出电极、右引出电极，所述半导体陶瓷芯片组件的左电极伸出端插入所述左引出电极下部的槽口，插至止口处进行焊接； 其特征在于：还设置有与右电极数量相同的陶瓷遮断热脱离结构，每个陶瓷遮断热脱离结构包括陶瓷遮断板、弹簧、PCB板、告警开关； 所述陶瓷遮断板下端套有弹簧，还设有拨块压制着设置在PCB板上的告警开关，所述PCB板还连接遥信接口；所述陶瓷遮断板覆盖有可焊金属层的端面与右电极伸出端、右引出电极的端面焊接牢固，确保弹簧被压缩。
【技术特征摘要】
1.一种具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器，包括盒体、盒盖、并列设置在所述盒体中的至少一个半导体陶瓷芯片组件、贴合在半导体陶瓷芯片上的左电极、右电极、以及左引出电极、右引出电极，所述半导体陶瓷芯片组件的左电极伸出端插入所述左引出电极下部的槽口，插至止口处进行焊接； 其特征在于:还设置有与右电极数量相同的陶瓷遮断热脱离结构，每个陶瓷遮断热脱离结构包括陶瓷遮断板、弹簧、PCB板、告警开关； 所述陶瓷遮断板下端套有弹簧，还设有拨块压制着设置在PCB板上的告警开关，所述PCB板还连接遥信接口 ；所述陶瓷遮断板覆盖有可焊金属层的端面与右电极伸出端、右引出电极的端面焊接牢固，确保弹簧被压缩。2.根据权利要求1所述的一种具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器，其特征在于:所述盒体设有形状大小匹配的滑槽和腔体，用于安置陶瓷遮断板、弹簧、告警开关、PCB 板。3.根据权利要求1所述的一种具有陶瓷遮断热脱离结构的大通流浪涌保护器，其特征在于:当陶瓷遮断板上覆盖的可焊金属层端面焊接的低温合金锡熔化时，弹...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽同，曾清隆，
申请(专利权)人：隆科电子惠阳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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