复合材料基厚膜电路稀土介质浆料及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种复合材料基厚膜电路稀土介质浆料及其制备工艺，其特征在于，它的配方包括微晶玻璃粉、稀土氧化物和无机粘接相有机溶剂载体，各原料重量配比为；微晶玻璃粉和稀土氧化物的重量之和为70-85％，无机粘接相有机溶剂载体为30-15％；微晶玻璃粉的配方包括SiO2、Na2O、B2O3、K2O、BaO、CaO、Co2O3、TiO2、P2O5、V2O5、Sb2O3、Cr2O3及稀土氧化物，各原料重量配比依次为20-55％，0-20％，0-20％，0-20％，1-10％，0-5％，0-5％，3-27％，0-5％，0-10％，0-5％，0-5％。本发明专利技术具有以下优点：介电范围宽、击穿强度高、绝缘性能好、相容性好、适用性广，耐热力强。与LED芯片基板、PTCR-xthm电热芯片厚膜电路电阻浆料、导电浆料湿润性相容性优良，匹配良好、热导率高、绿色环保、安全可靠。

【技术实现步骤摘要】
复合材料基厚膜电路稀土介质浆料及其制备工艺
本专利技术涉及电热材料
，更具体的是涉及一种复合材料基厚膜电路稀土介 质浆料及其制备工艺。
技术介绍
国际上，介质浆料多为通用型，配套应用于微电子领域，集成电路行业，制作电阻 器等元器件。专业用于LED产业、PTCR-xthm芯片领域大功率、高性能厚膜电路用系列稀土 介质浆料几乎没有，国外仅有的还存在着品种单一、性能差、成本高、质量不稳定等问题。岂 今为止，国内外还没有专业用于LED芯片、PTCR-xthm电热芯片领域的大功率厚膜电路用系 列稀土电子浆料及其制备工艺技术的文献、专利和成果的相关报道。研制一种适应性广，多 功能、低介电系数、宽介质带、大温度、低膨胀系数的稀土介质浆料，还需强化如下问题：适 用于高强度、大规格的低膨胀系数的稀土介质浆料的科学配方，系统的稀土厚膜电路用稀 土电子浆料规模化制备工艺方法；湿润性、兼容性和结合强度高介质浆料的规模化制备的 工装设备。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种击穿强度高、决缘性能 好、相容性强、适用性广，高功率密度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合材料基厚膜电路稀土介质浆料，其特征在于，它的配方包括微晶玻璃粉、稀土氧化物和无机粘接相有机溶剂载体，各原料重量配比为；微晶玻璃粉和稀土氧化物的重量之和为70‑85％，无机粘接相有机溶剂载体为30‑15％；微晶玻璃粉的配方包括SiO2、Na2O、B2O3、K2O、BaO、CaO、Co2O3、TiO2、P2O5、V2O5、Sb2O3、Cr2O3及稀土氧化物，各原料重量配比依次为20‑55％，0‑20％，0‑20％，0‑20％，1‑10％，0‑5％，0‑5％，3‑27％，0‑5％，0‑10％，0‑5％，0‑5％。

【技术特征摘要】
1. 一种复合材料基厚膜电路稀土介质浆料，其特征在于，它的配方包括微晶玻璃粉、 稀土氧化物和无机粘接相有机溶剂载体，各原料重量配比为；微晶玻璃粉和稀土氧化物的 重量之和为70-85%，无机粘接相有机溶剂载体为30-15% ;微晶玻璃粉的配方包括Si02、 Na20、B203、K20、BaO、CaO、C〇 203、Ti02、P205、V 205、Sb203、Cr2O 3 及稀土氧化物，各原料重量配 比依次为 20-55 %，0-20 %，0-20 %，0-20 %，1-10 %，0-5 %，0-5 %，3-27 %，0-5 %，0-10 %， 0-5%，0-5%。2. 根据权利要求1所述的复合材料基厚膜电路稀土介质浆料，其特征在于，所述有 机溶剂载体包括松油醇、丁基卡必醇醋酸酯、柠檬酸三丁酯、1.4-丁内酯、硝基纤维素、乙 基纤维素、氢化蓖麻油、卵磷脂，各原料重量配比依次为：0-85 %，0-85 %，0-20 %，2-20 %， 0· 1-5%，0-3%，1-6%，0· 1-5%，0· 1-5%。3. 根据权利要求1所述的复合材料基厚膜电路稀土介质浆料，其特征在于，稀土氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晨，王克政，
申请(专利权)人：王晨，王克政，
类型：发明
国别省市：广东;44