【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为200810142934. 3、申请日为2004年3月5日、专利技术名称为液 晶显示器件及其制作方法的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种。例如,本专利技术涉及具有由薄膜晶体 管(在下文中被称为TFT)构成其电路的以液晶显示屏板(panel)为典型的电光器件,以及 其上搭载了这样的电光器件作为其部件的电子器具。
技术介绍
近年来,利用在具有绝缘表面的衬底上形成的半导体薄膜(厚度为几至几百nm左 右)来构成薄膜晶体管(TFT)的技术受人关注。薄膜晶体管被广泛地应用于电子器件诸如 IC(集成电路)、电光器件等,并且特别迫切需要将其开发作为图像显示器件的开关元件。 长期以来,液晶显示器件作为图像显示器件是众所周知的。因有源矩阵型液晶显 示器件比无源矩阵型液晶显示器件更能显示高清晰图像,所以有源矩阵型液晶显示器件被 广泛利用。在有源矩阵型液晶显示器件中,通过驱动以矩阵形式排列的像素电极,从而在显 示屏幕上形成显示图案。更具体地说,因为在选择的像素电极和一个相应于这一选择的像 素电极的对面的电极(opposingelec ...
【技术保护点】
一种器件,包括:第一衬底;在所述第一衬底上的第一氮化硅膜;在所述第一氮化硅膜上的开关元件;电连接到所述开关元件的像素电极;在所述第一衬底上的柱状的隔离物;在所述像素电极和所述柱状的隔离物上的第一定向膜;在所述第一定向膜上的液晶;在所述液晶上的第二定向膜;在所述第二定向膜上的第二氮化硅膜;在所述第二氮化硅膜上的第二衬底;以及在所述第一衬底和所述第二衬底之间的密封材料,其中所述密封材料涂画为封闭环状,其中所述液晶被所述密封材料围住,其中所述液晶与所述密封材料相接触,以及其中所述密封材料不溶解于所述液晶。
【技术特征摘要】
2003.03.07 JP 2003-623061. 一种器件,包括: 第一衬底; 在所述第一衬底上的第一氮化硅膜; 在所述第一氮化硅膜上的开关元件; 电连接到所述开关元件的像素电极; 在所述第一衬底上的柱状的隔离物; 在所述像素电极和所述柱状的隔离物上的第一定向膜; 在所述第一定向膜上的液晶; 在所述液晶上的第二定向膜; 在所述第二定向膜上的第二氮化硅膜; 在所述第二氮化硅膜上的第二衬底;以及 在所述第一衬底和所述第二衬底之间的密封材料, 其中所述密封材料涂画为封闭环状, 其中所述液晶被所述密封材料围住, 其中所述液晶与所述密封材料相接触,以及 其中所述密封材料不溶解于所述液晶。2. 如权利要求1所述的器件,其中所述密封材料包括丙烯酸光固化树脂。3. 如权利要求1所述的器件,其中所述密封材料包括填充物。4. 如权利要求1所述的器件,其中所述开关元件是反交错型薄膜晶体管。5. 如权利要求1所述的器件,其中所述开关元件是沟道蚀刻型薄膜晶体管。6. 如权利要求1所述的器件,其中所述开关元件的激活层包括微晶半导体膜。7. 如权利要求1所述的器件,其中所述开关元件的激活层包括非晶硅膜。8. 如权利要求1所述的器件,其中所述开关元件的激活层包括有机半导体膜。9. 如权利要求1所述的器件,其中所述柱状的隔离物包括有机树脂材料,所述有机树 脂材料包含以下的至少一个:丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺酰胺和环氧。10. 如权利要求1所述的器件,其中所述柱状的隔离物包括以下的至少一个:氧化硅、 氮化硅和氧化氮化硅。11. 如权利要求1所述的器件,其中所述第一衬底是玻璃衬底。12. 如权利要求1所述的器件,还包括在所述开关元件上的保护膜。13. 如权利要求1所述的器件,其中所述器件是液晶面板,所述液晶面板包括20到80 英寸的屏幕。14. 一种制造液晶显示器件的方法,包括以下步骤: 在第一衬底上形成第一氮化娃膜; 在所述第一氮化硅膜上形成开关元件; 形成电连接到所述开关元件的像素电极; 在所述第一衬底上形成柱状的隔离物; 在所述像素电极和所述柱状的隔离物上形成第一定向膜; 在第二衬底上形成第二氮化硅膜; 在所述第二氮化硅膜上形成第二定向膜; 在所述第一衬底和所述第二衬底的任一个上将密封材料涂画为封闭环状; 在被所述密封材料围住的区域上滴注液晶; 在减压的情况下,将所述第一衬底和所述第二衬底粘合在一起; 在粘合所述第一衬底和所述第二衬底之后初步固定所述密封材料;以及 在初步固定所述密封材料之后固定所述密封材料, 其中所述液晶与所述密封材料相接触,以及 其中所述密封材料不溶解于所述液晶。15. 如权利要求14所述的制造液晶显示器件的方法,其中所述密封材料的粘度为 40~400Pa · S016. ...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,高山彻,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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