【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了，属于声表面波器件
，所述方法包括：将烘箱的温度稳定在160摄氏度，晶片将晶片放入所述烘箱中烘烤；烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至155摄氏度，再烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至150摄氏度，恒温保持1小时；将所述烘箱的温度降至120摄氏度，温度恒定10分钟后取出所述晶片。本专利技术通过将晶片的烘烤温度控制在150摄氏度至160摄氏度，使光刻胶达到流变状态，达到最大限度的保护线条作用，减缓侧向腐蚀的速度，实现厚膜细线条的目的，从而降低干刻或剥离的工艺复杂度，同时也降低了工艺成本。【专利说明】
本专利技术涉及,属于声表面波器件
。
技术介绍
目前，传统的声表面波器件的工艺有三种，一是湿法工艺，二是干刻工艺，三是剥离工艺。湿法工艺成本较低，但主要用于宽线条产品。当用于细线条产品时，由于侧向腐蚀较为严重，工艺很难实现，必须采用干刻或剥离工艺，造成成本很大。
技术实现思路
本专利技术提供了，以解决现有的湿法工艺存在的当用于细线条产品时侧向腐蚀较严重，增加干刻或剥离后工艺较复杂、成本较高的问题，为此本专利技术采用如下的技术方案: —种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法，包括: 将烘箱的温度稳定在160摄氏度，晶片将晶片放入所述烘箱中烘烤； 烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至155摄氏度，再烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至150摄氏度，恒温保持I小时； 将所述烘箱的温度降至120摄氏度，温度恒定10分钟后取出所述晶片。 本专利技术实施方式提供的技术方案通过将晶片的烘...
【技术保护点】
一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法，其特征在于，包括：将烘箱的温度稳定在160摄氏度，晶片将晶片放入所述烘箱中烘烤；烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至155摄氏度，再烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至150摄氏度，恒温保持1小时；将所述烘箱的温度降至120摄氏度，温度恒定10分钟后取出所述晶片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董启明，张敬钧，
申请(专利权)人：北京中讯四方科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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