【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路
,尤其涉及一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器。
技术介绍
多层瓷介电容器由于其体积小、损耗低、可靠性高等优点广泛应用于各个领域,是铝电解、钽电解等电解电容器较好替代品。但由于制造工艺水平的限制,产品尺寸很难做大,导致单只产品的电容量相对电解电容器没有优势。为了提高多层瓷介电容器的电容量,目前,较多的做法是将多只陶瓷电容器芯片进行水平或垂直堆叠,焊接各种引出端,不包封或者采用模压包封。如CN201984955U、CN102592823A、CN202695133U、CN201984956U、CN202633053U等。这样做存在的问题是多只芯片之间互相接触,导致在焊接引出端的过程中很容易产生应力,并最终会影响产品的安装以及使用。因此,当下需要迫切解决的一个技术问题就是:如何能够创新的提出一种有效的措施,以解决现有技术存在的问题,满足实际应用的更多需求。
技术实现思路
针对上述问题中存在的不足之外,本专利技术提供一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器,具有较强的耐机械应力以及热应力。为了解决上述问题,本专利技术提供一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器,包括:引出线(1)、基板(2)、瓷介电容器芯片(3)、基板上的金属化过孔(4)和铜箔(5),其中,所述瓷介电容器芯片(3)包括多个芯片,所述基板(2)上平行涂覆两条平行的铜箔 ...
【技术保护点】
一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器,其特征在于,包括引出线(1)、基板(2)、瓷介电容器芯片(3)、基板上的金属化过孔(4)和铜箔(5),其中,所述瓷介电容器芯片(3)包括多个芯片,所述基板(2)上平行涂覆两条平行的铜箔(5),所述瓷介电容器芯片(3)等距垂直排列在基板(2)上,基板(2)两面的电容器芯片(3)通过金属化过孔(4)相连,引出线(1)采用CP线,引出线(1)一段垂直弯曲一部分,以勾住基板的金属化过孔(4),弯曲部分往下一部分引线直接焊接在铜箔(5)上,所述瓷介电容器芯片(3)、引出线(1)与基板(2)套上外壳,并灌封进导热硅胶,最后使用外壳盖封住灌封料。
【技术特征摘要】
1.一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器,其特征在于,
包括引出线(1)、基板(2)、瓷介电容器芯片(3)、基板上的金属化过孔
(4)和铜箔(5),其中,所述瓷介电容器芯片(3)包括多个芯片,所述
基板(2)上平行涂覆两条平行的铜箔(5),所述瓷介电容器芯片(3)等
距垂直排列在基板(2)上,基板(2)两面的电容器芯片(3)通过金属
化过孔(4)相连,引出线(1)采用CP线,引出线(1)一段垂直弯曲一
部分,以勾住基板的金属化过孔(4),弯曲部分往下一部分引线直接焊接
在铜箔(5)上,所述瓷介电容器芯片(3)、引出线(1)与基板(2)套
上外壳,并灌封进导热硅胶,最后使用外壳盖封住灌封料。
2.如权利要求1所述的多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容
器,其特征在于,所述基板为PCB板或铝基板。
3.如权利要求2所述的多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容
器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜红炎,姜志清,吴胜琴,李凯,孙淑英,
申请(专利权)人:北京元六鸿远电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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