一种使用热管的压接式IGBT封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种使用热管的压接式IGBT封装结构，由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成，多个子单元并行设置；所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖；所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置，所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组，其下端插入底座；所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间，其下端位于碟簧组和底座之间。本实用新型专利技术中芯片可被有效保护，同时由于使用了热管，功能上实现了双面散热，整体热阻较小；热管的引入，使得虽然单面硬接触，但散热路径依然很好，兼顾了芯片保护和较小的热阻。整体结构具有实现压接式IGBT短路失效、高可靠性等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种使用热管的压接式IGBT封装结构，其特征在于：所述封装结构由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成，多个子单元并行设置；所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖；所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置，所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组，其下端插入底座；所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间，其下端位于碟簧组和底座之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文广，韩荣刚，张朋，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网智能电网研究院，
类型：新型
国别省市：北京;11