【技术实现步骤摘要】
移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置
本专利技术属于显示
,具体涉及一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管液晶显示装置)实现一帧画面显示的基本原理是通过栅极(gate)驱动从上到下依次对每一行像素输入一定宽度的方波进行选通,再通过源极(source)驱动每一行像素所需的信号依次从上往下输出。目前制造这样一种结构的显示器件通常是栅极驱动电路和源极驱动电路通过COF(ChipOnFilm,覆晶薄膜)或COG(ChipOnGlass,芯片直接固定在玻璃上)工艺制作在玻璃面板上的,但是当分辨率较高时,栅极驱动电路和源极驱动电路的输出均较多,驱动电路的长度也将增大,这将不利于模组驱动电路的压焊(Bonding)工艺。为了克服以上问题,现有显示器件的制造采用GOA(GateDriveOnArray)电路的设计,相比现有的COF或COG工艺,其不仅节约了成本,而且可以做到面板两边对称的美观设计,同时也可省去栅极驱动电路的Bonding区域以及外围布线空间,从而实现了显示装置窄边框的设计,提高了显示装置的产能和良率。但是现有的GOA电路的设计也存在着一定的问题,如图1所示,现有的GOA电路中的薄膜晶体管管(TFT)的个数较多,故占用空间较大,现有电路只能通过第四晶体管M4对信号输出端OUTPUT进行放电,因此第四晶体管M4的尺寸很大,占用空间较大,而且第四晶体管M4的控制极电压作为该移位寄存器单元下面某级移位寄存器单元的输出,因此第四晶体管M ...
【技术保护点】
一种移位寄存器单元,其特征在于,包括:输入模块、上拉模块、下拉控制模块、下拉模块、复位模块以及放电模块;所述输入模块,连接信号输入端、复位模块以及上拉控制节点,用于根据信号输入端输入的信号控制上拉控制节点的电位,所述上拉控制节点为所述输入模块与所述上拉模块的连接点;所述上拉模块,连接所述上拉控制节点、第一时钟信号端口以及信号输出端,用于根据所述上拉控制节点的电位和所述第一时钟信号端口输入的时钟信号的控制将信号输出端输出的信号上拉为高电平;所述下拉控制模块,连接所述下拉控制节点、上拉控制节点以及第二时钟信号端口,用于根据上拉控制节点的电平控制下拉模块的开启,所述下拉控制节点为所述下拉控制模块与下拉模块的连接点;所述下拉模块,连接下拉控制节点和低电平信号,用于在所述下拉模块开启时,通过所述低电平信号将所述信号输出端输出的信号下拉为低电平;所述放电模块包括放电电容,所述放电电容的第一端连接存上拉模块和上拉控制节点,第二端连接输出信号复位输入端,用于根据所述输出信号复位输入端输入的信号控制放电电容维持上拉控制节点的电位,所述信号输出端通过上拉模块和放电电容进行放电;所述复位模块,连接复位信号输 ...
【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元,其特征在于,包括:输入模块、上拉模块、下拉控制模块、下拉模块、复位模块以及放电模块;所述输入模块,连接信号输入端、复位模块以及上拉控制节点,用于根据信号输入端输入的信号控制上拉控制节点的电位,所述上拉控制节点为所述输入模块与所述上拉模块的连接点;所述输入模块包括第一晶体管;所述第一晶体管的第一极连接其控制极和信号输入端,第二极连接上拉控制节点和所述复位模块;所述上拉模块,连接所述上拉控制节点、第一时钟信号端口以及信号输出端,用于根据所述上拉控制节点的电位和所述第一时钟信号端口输入的时钟信号的控制将信号输出端输出的信号上拉为高电平;所述下拉控制模块,连接所述下拉控制节点、上拉控制节点以及第二时钟信号端口,用于根据上拉控制节点的电平控制下拉模块的开启,所述下拉控制节点为所述下拉控制模块与下拉模块的连接点;所述下拉模块,连接下拉控制节点和低电平信号,用于在所述下拉模块开启时,通过所述低电平信号将所述信号输出端输出的信号下拉为低电平;所述放电模块包括放电电容,所述放电电容的第一端连接上拉模块和上拉控制节点,第二端连接输出信号复位输入端,用于根据所述输出信号复位输入端输入的信号控制放电电容维持上拉控制节点的电位,所述信号输出端通过上拉模块和放电电容进行放电;所述复位模块,连接复位信号输入端和上拉控制节点,用于通过上拉复位信号输入端输入的信号将上拉控制节点的电平拉低;所述复位模块包括第八晶体管;所述第八晶体管的第一极连接上拉控制节点,第二极接低电平信号,控制极接复位信号输入端。2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,上拉模块包括第二晶体管和存储电容;所述第二晶体管的第一极连接第一时钟信号端口,第二极连接存储电容的第二端和信号输出端,控制极连接上拉控制节点;所述存储电容的第一端连接上拉控制节点和放电电容的第一端。3.根据权利要求2所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述下拉控制模块包括第三晶体管和第四晶体管;所述第三晶体管的第一极连接其控制极和第四晶体管的第二极,第二极连接第四晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:张元波,韩承佑,林允植,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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