本发明专利技术涉及一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括磁控溅射真空腔室(简称溅射室)和等离子体气相沉积真空腔室(简称沉积室)，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为：真空腔室是通过闸板阀(104)连接，连接顺序为：第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)，工件挂架台(103)在溅射室(120)和沉积室(130)中可被电机带动旋转，该工件挂架台可以通过磁力推杆(109)在腔室轨道上传送，在待镀膜的工件先放置到工件挂架台上，并依次进入第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)的镀膜程序，该镀膜程序由PLC实现自动控制。该设备主要是用来对工件的表面实现等离子体溅射镀膜和气相沉积镀膜来替代传统的水电镀。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括磁控溅射真空腔室(简称溅射室)和等离子体气相沉积真空腔室(简称沉积室)，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为：真空腔室是通过闸板阀(104)连接，连接顺序为：第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)，工件挂架台(103)在溅射室(120)和沉积室(130)中可被电机带动旋转，该工件挂架台可以通过磁力推杆(109)在腔室轨道上传送，在待镀膜的工件先放置到工件挂架台上，并依次进入第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)的镀膜程序，该镀膜程序由PLC实现自动控制。该设备主要是用来对工件的表面实现等离子体溅射镀膜和气相沉积镀膜来替代传统的水电镀。【专利说明】一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统【
】本专利技术涉及一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，尤其是指磁控溅射和等离子体气相沉积是在一个彼此连接的真空室系统中，采用等离子体技术完成的物理干法镀膜替代水电镀的系统。【
技术介绍
】水电镀由于所造成的高污染、能耗高，并造成大量的水资源的浪费，已经被国家及各级地方政府所命令限制发展。在此背景下，人们迫切需要寻找一种替代传统水电镀的表而处理方法，使我们的传统水电镀行业进行技术升级。国内外在真空镀膜工艺、膜层检测上均取得了很多进展。目前不能替代水电镀的重要原因是:在高分子材料、玻璃材料、金属、陶瓷材料的表面只进行磁控溅射真空镀膜后，由于溅射薄膜的厚度有限，在其表面会不可避免的存在大量的针孔，因此这种工艺不能解决镀膜后的耐腐蚀问题、以及结合力问题。至于目前有些个别公司所采用的磁控溅射后的等离子体沉积工艺，由于在两个镀膜工艺之间还有一个暴露空气过程，因此就不可避免的带来表面污染和表面氧化，这个污染层也会大大影响膜材与基材表面(如金属、塑料、陶瓷、玻璃灯)的附着力。鉴于此，本专利技术采用磁控溅射和等离子体气相沉积是在一个完整的真空室系统中一次完成的设备和工艺，其中间过程是不暴露大气的物理干法镀膜来替代水电镀的新技术。其优点是:1)避免了只有磁控溅射所带来的针孔问题；2)避免了间断镀膜所造成的薄膜表面氧化问题；3)解决了镀膜后的不耐腐蚀问题；4)提高了薄膜与基底材料的结合力。【
技术实现思路
】为了达到上述目的，本专利技术的目的在于提供一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括溅射室和沉积室，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为:真空腔室是通过闸板阀(104)连接，连接顺序为:第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)，工件挂架台(103)在溅射室(120)和沉积室(130)中可被电机带动旋转，该工件挂架台可以通过磁力推杆(109)在腔室轨道上传送，在待镀膜的工件先放置到工件挂架台上，并依次进入第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)的镀膜程序，该镀膜程序由PLC实现自动控制。所述的一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括溅射室和沉积室，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为:真空腔室是通过闸板阀(104)连接，连接顺序为:第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)，两个预真空室还分别设有真空室门(101)和放气阀门(102)。所述的一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括溅射室和沉积室，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为:该系统所包括的溅射室(120)，其溅射靶电极(121)是放置在腔室的周围，在其中心是放置工件挂架台(103)，工件挂架台上设有偏压，溅射室的真空壁上采用水冷，在真空室壁上还设有氩气进入孔。所述的一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括溅射室和沉积室，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为:该系统所包括的溅射室(120)，其数量可为一个，如要溅射多种材料，就采用可为多个真空室，在同一个溅射室，是采用同一种溅射材料。所述的一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括溅射室和沉积室，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为:该系统所包括的沉积室(130)，其等离子体电极(131)也是放置在腔室的周围，等离子体电极是采用介质阻挡的放电电极结构形式，在其中心也是放置工件挂架台，在该沉积室壁上设有反应气体和氩气的混合进气孔，该沉积室的真空壁外围采用加热带加热。所述的一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括溅射室和沉积室，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为:该系统工件挂架台可以通过磁力推杆(109)在腔室轨道上传送，在传送过程中真空腔室之间的闸板阀是要打开，待从一个腔室传送到另一个腔室后闸板阀关闭。所述的一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括溅射室和沉积室，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为:该系统镀膜的工件先放置到工件挂架台上，并依次进入第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)的镀膜程序，该镀膜程序由PLC实现自动控制。本专利技术的主要用途是:在高分子材料、玻璃、以及金属和陶瓷材料表面再镀一层质量好的功能薄膜，替代目前所普遍采用的水电镀。【【专利附图】【附图说明】】图1为专利技术实施例一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统正面结构剖视示意图。图2为本专利技术实施例一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统俯视结构剖视示意图。 【具体实施方式】 : 一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，包括多组等离子体放电单元和两个预真空室，请参阅图1和图2，真空腔室是通过闸板阀(104)连接，连接顺序为:第一预真空室(I 10)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)，工件挂架台(103)在溅射室(120)和沉积室(130)中可被电机带动旋转，该工件挂架台可以通过磁力推杆(109)在腔室轨道(107)上传送。 该系统所包括的溅射室(120)，其溅射靶电极(121)是放置在腔室的周围，在其中心是放置工件挂架台(103)，工件挂架台(103)与真空壳体之间设有偏压，溅射室(120)的真空壁上采用水冷，在真空室壁上还设有氩气进入孔；溅射室(120)，其数量可为一个，也可以多个，如要溅射多种材料，就采用可为多个真空室，在同一个溅射室，是采用同一种溅射材料。 沉积室(130)，其等离子体电极(131)也是放置在腔室的周围，等离子体电极是采用介质阻挡的放电电极结构形式，在其中心也是放置工件挂架台(103)，在该沉积室壁上设有反应气体和氩气的混合进气孔，该沉积室的真空壁外围采用加热带加热。 系统工件挂架台(103)可以通过磁力推杆(109)在腔室轨道(107)上传送，在传送过程中真空腔室之间的闸板阀(104)是要打开，待从一个腔室传送到另一个腔室后闸板阀(104)关闭。 系统镀膜的工件先放置到工件挂架台上，并依次进入第一预真空室(110)-溅射室(120)-沉积室(130)-第二预真空室(140)的镀膜程序，该镀膜程序由PLC实现自动控制。 在真空壳体的外部放置，真空抽气泵(108本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型的等离子体镀膜替代水电镀系统，主要包括溅射室和沉积室，以及分别与这两个室相连接的两个预真空室，其特征为：真空腔室是通过闸板阀(104)连接，连接顺序为：第一预真空室(110)‑溅射室(120)‑沉积室(130)‑第二预真空室(140)，工件挂架台(103)在溅射室(120)和沉积室(130)中可被电机带动旋转，该工件挂架台可以通过磁力推杆(109)在腔室轨道上传送，在待镀膜的工件先放置到工件挂架台上，并依次进入第一预真空室(110)‑溅射室(120)‑沉积室(130)‑第二预真空室(140)的镀膜程序，该镀膜程序由PLC实现自动控制。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘玮，王守国，
申请(专利权)人：刘玮，王守国，
类型：发明
国别省市：北京;11
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