薄膜晶体管及其制造方法技术

一种薄膜晶体管，其包括基板以及形成在基板上的栅极、半导体层、源极电极和漏极电极。所述源极电极与漏极电极分别在不同的光刻制程中形成。本发明专利技术的漏极电极和源极电极之间的沟道的宽度不会受到同一光刻制程中的掩模的图案加工精度的制约，可以做的更小。本发明专利技术还提供一种薄膜晶体管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种薄膜晶体管，其包括基板以及形成在基板上的栅极、半导体层、源极电极和漏极电极。所述源极电极与漏极电极分别在不同的光刻制程中形成。本专利技术的漏极电极和源极电极之间的沟道的宽度不会受到同一光刻制程中的掩模的图案加工精度的制约，可以做的更小。本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制造方法。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
传统的底栅式薄膜晶体管一般包括基板、依次形成在该基板上的栅极、栅极绝缘 层、半导体层以及源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极之间形成有沟道。通常，如果 该沟道的宽度太宽，会造成薄膜晶体管的整体尺寸过大，从而影响像素的开口率，因此为了 提高开口率，需要减小薄膜晶体管的尺寸，所以也必须将沟道的宽度做小。 -般情况下，源极电极和漏极电极是采用同样的金属层构造，然后利用一道光刻 制程加工该金属层形成所述源极电极、漏极电极以及沟道。但是由于所形成的沟道的宽度 会受到光刻制程中的掩模的图案加工精度的制约，会具有一定的宽度而无法做到更短，所 以无法提高开口率。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种不受光刻加工精度制约，沟道宽度较小的薄膜晶体管 及其制造方法。 -种薄膜晶体管，其包括基板以及形成在基板上的栅极、半导体层、源极电极和漏 极电极。所述源极电极与漏极电极分别在不同的光刻制程中形成。 -种薄膜晶体管的制造方法，其包括以下几个步骤： 提供一个基板，并在该基板上形成栅极以及半导体层； 利用一道光刻制程形成漏极电极； 利用另一道光刻制程形成源极电极。 上述的中，漏极电极以及源极电极是采用两道光刻制程 分别形成，而传统工艺中，漏极电极和源极电极是极采用同一光刻制程加工同一金属层而 形成，因此相对于传统工艺，本专利技术的漏极电极和源极电极之间的沟道的宽度主要由漏极 电极和源极电极之间的间隙所决定，不会受到同一光刻制程中的掩模的图案加工精度的制 约，因此可以做的更小。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术第一实施方式中的薄膜晶体管的截面示意图。 图2为本专利技术第二实施方式中的薄膜晶体管的截面示意图。 图3为本专利技术第三实施方式中的薄膜晶体管的截面示意图。 主要元件符号说明_ 【权利要求】1. 一种薄膜晶体管，其包括基板以及形成在基板上的栅极、半导体层、源极电极和漏极 电极，其特征在于：所述源极电极与漏极电极分别在不同的光刻制程中形成。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述源极电极为铟锡氧化物薄膜，同 时所述源极电极还作为所述薄膜晶体管的像素电极。3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述漏极电极为金属材料构成。4. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述漏极电极为铟锡氧化物薄膜以 及积层在该铟锡氧化物薄膜上的金属材料构成。5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述半导体层由非晶质氧化半导体 材料构成。6. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管还具有一栅极绝缘 层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极形成在所述基板的表面，所述半导体层形成在栅极绝缘 层上并位于栅极的正上方，所述漏极电极形成在栅极绝缘层上并且延伸覆盖在半导体层的 一侧上表面上，所述源极电极形成在栅极绝缘层上并且延伸覆盖在半导体层的另一侧上表 面上。7. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述源极电极和漏极电极之间形成 有沟道，所述半导体层形成在该沟道中，并且分别延伸至所述漏极电极和所述源极电极的 上表面。8. -种薄膜晶体管的制造方法，其包括以下几个步骤： 提供一个基板，并在该基板上形成栅极以及半导体层； 利用一道光刻制程形成漏极电极； 利用另一道光刻制程形成源极电极。9. 如权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：形成漏极电极的方法为： 形成一金属层和一光致抗蚀剂层，再以一道掩膜的图案对该光致抗蚀剂层进行曝光显影， 从而形成一预定图案，对该金属层进行蚀刻，然后移除该光致抗蚀剂层，形成漏极电极。10. 如权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：形成源极电极的方法 为：形成一透明导电膜和一光致抗蚀剂层；再以一道掩膜的图案对该光致抗蚀剂层进行曝 光显影，从而形成一预定图案，对该透明导电膜进行蚀刻，然后移除该光致抗蚀剂层，形成 源极电极。11. 一种薄膜晶体管的制造方法，其包括以下几个步骤： 提供一个基板，并在该基板上形成栅极； 利用一道光刻制程形成漏极电极； 利用另一道光刻制程形成源极电极； 在漏极电极与源极电极之间的沟道中形成半导体层，并且半导体层分别延伸至漏极电 极和源极电极的上表面。【文档编号】H01L29/06GK104282767SQ201310281010【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年7月5日 优先权日:2013年7月5日 【专利技术者】安生健二 申请人:业鑫科技顾问股份有限公司, 新光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其包括基板以及形成在基板上的栅极、半导体层、源极电极和漏极电极，其特征在于：所述源极电极与漏极电极分别在不同的光刻制程中形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：安生健二，
申请(专利权)人：业鑫科技顾问股份有限公司，新光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71