一种改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺，其包括以下步骤：步骤A：覆盖膜预贴，通过预贴治具及预帖台面将覆盖膜穿过第一定位孔分别预帖到铜片基板的正反面；步骤B：废料冲切，在废料冲切模具上设置有废料冲切定位销，在铜片基板上设置有第二定位孔，并在第二定位孔的周边设置溢胶区，所述覆盖膜上设置有供所述废料冲切刀具定位销穿过的预留孔；步骤C：外形冲切工艺冲切成所需的产品外形，所述外形冲切刀模上设置有外形冲切定位销，所述外形冲切定位销与所述第二定位孔配合定位。本发明专利技术的工艺能够有效防止覆盖膜偏位，进而降低次品率，提高生产效率，并提高生产效益。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺，其包括以下步骤：步骤A：覆盖膜预贴，通过预贴治具及预帖台面将覆盖膜穿过第一定位孔分别预帖到铜片基板的正反面；步骤B：废料冲切，在废料冲切模具上设置有废料冲切定位销，在铜片基板上设置有第二定位孔，并在第二定位孔的周边设置溢胶区，所述覆盖膜上设置有供所述废料冲切刀具定位销穿过的预留孔；步骤C：外形冲切工艺冲切成所需的产品外形，所述外形冲切刀模上设置有外形冲切定位销，所述外形冲切定位销与所述第二定位孔配合定位。本专利技术的工艺能够有效防止覆盖膜偏位，进而降低次品率，提高生产效率，并提高生产效益。【专利说明】一种改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺
本专利技术涉及FPC制造
，具体涉及一种改善电集片外型冲切覆盖膜偏位的工艺。
技术介绍
电子行业内的电集片一般是在铜片的上下面贴合PI覆盖膜(聚酰亚胺薄膜一PolyimideFilm)，并对两层PI覆盖膜压合烘烤后，通过刀模冲切出所需的电集片外型(半成品)，经过外形冲切后的电集片半成品再进行后续一系列工艺最终才能制成成品。而电集片在进行压合烘烤处理时，PI覆盖膜与铜片之间的胶液会因挤压、受热而溢出至定位孔内，溢出的胶液在定位孔侧壁凝固后会导致定位孔尺寸和轴心位置发生偏差，进而致使在外型冲切时，定位孔与冲切治具的定位销套位出现偏差，使得PI覆盖膜与铜片边缘偏位，造成后续工艺进行时无法达到所需工艺要求，以致产品出现大量尺寸不良，直接影响了生产效率和公司经济效益。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有电集片在加工过程中容易出现定位孔尺寸发生变化，外形冲切治具上的定位销与该定位孔配合不精确，容易产生偏差，导致产品次品率较高，生产效率低，并影响经济效益的弊端，进而提供一种改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺。 为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是: 一种改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺，其包括以下步骤: 步骤A:覆盖膜预贴，通过预贴治具及预帖台面将所述覆盖膜分别预帖到铜片基板的正反面，所述覆盖膜和所述铜片基板上分别设置有与所述预帖治具上的预帖定位销位置对应的第一定位孔；所述铜片基板的正反面均预帖有覆盖膜后，通过压合工艺和烘烤工艺将所述覆盖膜与所述铜片基板紧密贴合； 步骤B:废料冲切，采用废料冲切模具和冲床将所述步骤A中制成的电集片半成品上的废料去除，所述废料冲切模具上设置有废料冲切定位销，所述铜片基板上设置有与所述废料冲切定位销配合的第二定位孔，所述第二定位孔的周边设置有用于存放所述步骤A中压合工艺时溢胶的溢胶区；所述第二定位孔与所述第一定位孔间隔布置，所述覆盖膜上设置有供所述废料冲切刀具定位销穿过的预留孔； 步骤C:外形冲切工艺，采用外形冲切刀模和冲床将步骤B中制成的电集片半成品冲切成所需的产品外形，所述外形冲切刀模上设置有外形冲切定位销，所述外形冲切定位销与所述第二定位孔配合定位。 优选的，在所述步骤A之前的所述铜片基板上成型有所述第二定位孔，所述覆盖膜上设置的所述预留孔的孔径大于所述第二定位孔的孔径，所述预留孔的孔径与所述第二定位孔的孔径之差适于在压合工艺和烘烤工艺时所述铜片基板与所述覆盖膜之间的胶液溢流至所述第二定位孔周边的非覆盖区，所述非覆盖区形成所述溢胶区。 优选的，所述步骤B中的所述预留孔和所述第二定位孔均为圆形孔，并同轴设置。 优选的，所述第一定位孔和所述第二定位孔成型在所述铜片基板的废料区，且所述第二定位孔所在的废料区在所述步骤C中被切除。 优选的，所述第一定位孔靠近所述第二定孔设置，且所述第一定位孔设置在所述第二定位孔所在的废料区上。 优选的，所述第一定位孔和所述第二定位孔的孔边缘距离所述铜片基板的裁切边沿大于或等于I毫米。 优选的，在所述步骤A中进行覆盖膜预帖时，所述预帖台面的温度为55-60度。 采用上述技术方案，本专利技术至少包括如下有益效果: 本专利技术的改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺通过在铜片基板上设置用于覆盖膜定位的第一定位孔，和用于废料冲切及外形冲切的第二定位孔，并在第二定位孔的周边位置设置溢胶区，当覆盖膜在压合工艺和烘烤工艺时第二定位孔周边溢出的胶液积存在溢胶区上，该溢流出的胶液不会溢流至第二定位孔的侧壁上，进而有效避免了胶液凝固后对第二定位孔尺寸的影响，有效避免了第二定位孔的定位尺寸发生变化，进而确保后续的废料冲切工艺和外形冲切工艺具有较为准确的定位，以保证产品质量，降低废品率，进而提闻生广效益。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术的电集片的结构层示意图； 图2为本专利技术的电集片放置在在废料冲切模具上的结构示意图； 图3为图2中的待切除废料的电集片的左上角的局部放大图； 图4为本专利技术的外形冲切刀模的结构示意图； 图5为本专利技术的电集片未进行外形冲切时的结构示意图； 图6为本专利技术的电集片进行外形冲切工艺后的结构示意图。 其中:1.覆盖膜，11.预留孔，2.铜片基板，21.第一定位孔，22.第二定位孔，23.溢胶区，3.废料冲切模具，4.外形冲切刀模，41.外形冲切定位销， 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 一种改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺，其包括以下步骤: 步骤A:覆盖膜预贴，参见图1，通过预贴治具及预帖台面将所述覆盖膜I分别预帖到铜片基板2的正反面，进行覆盖膜预帖时，所述预帖台面的温度为55-60度，以提高预帖质量；贴膜时首先撕掉下层覆盖膜I上的离型纸，并将覆盖膜I的胶面朝上，所述覆盖膜I上的自带胶为热熔胶，所述覆盖膜I的本体材料为聚酰亚胺薄膜(PolyimideFilm)，也即俗称PI覆盖膜，所述覆盖膜I套入预帖治具上的定位销内，然后将铜片基板2的也套入定位销内，最后将上层覆盖膜I的离型纸撕掉，胶面朝下套入预帖治具的定位销内，所述覆盖膜I和所述铜片基板2上分别设置有与所述预帖治具上的预帖定位销位置对应的第一定位孔21 ;所述铜片基板2的正反面均预帖有覆盖膜I后，通过压合工艺和烘烤工艺将所述覆盖膜I与所述铜片基板2紧密贴合； 步骤B:废料冲切，参见图2、图3，采用废料冲切模具3和冲床将所述步骤A中制成的电集片半成品上的废料去除(图2中阴影部分所示区域)，所述废料冲切模具3上设置有废料冲切定位销，所述铜片基板2上设置有与所述废料冲切定位销配合的第二定位孔22，所述第二定位孔22的周边设置有用于存放所述步骤A中压合工艺时溢胶的溢胶区23 ;所述第二定位孔22与所述第一定位孔21间隔布置，所述覆盖膜I上设置有供所述废料冲切刀具定位销穿过的预留孔11 ;废料冲切完成后即转入有机焊料防护OSP(OrganicSolderability)工艺进行防氧化处理,此工艺为本领域公知且较为成熟的技术，本实施例中不再赘述； 步骤C:外形冲切工艺，参见图4-6，采用外形冲切刀模4和冲床将步骤B中制成的电集片半成品冲切成所需的产品外形，所述外形冲切刀模4上设置有外形冲切定位销41，所述外形冲切定位销41与所述第二定位孔22配合定位。 本实施例的的改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺通过在铜片基板上设置用于覆盖膜定位的第一定位孔，和用于废料冲切及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善电集片外型冲切时覆盖膜偏位的工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：覆盖膜预贴，通过预贴治具及预帖台面将所述覆盖膜分别预帖到铜片基板的正反面，所述覆盖膜和所述铜片基板上分别设置有与所述预帖治具上的预帖定位销位置对应的第一定位孔；所述铜片基板的正反面均预帖有覆盖膜后，通过压合工艺和烘烤工艺将所述覆盖膜与所述铜片基板紧密贴合；步骤B：废料冲切，采用废料冲切模具和冲床将所述步骤A中制成的电集片半成品上的废料去除，所述废料冲切模具上设置有废料冲切定位销，所述铜片基板上设置有与所述废料冲切定位销配合的第二定位孔，所述第二定位孔的周边设置有用于存放所述步骤A中压合工艺时溢胶的溢胶区；所述第二定位孔与所述第一定位孔间隔布置，所述覆盖膜上设置有供所述废料冲切刀具定位销穿过的预留孔；步骤C：外形冲切工艺，采用外形冲切刀模和冲床将步骤B中制成的电集片半成品冲切成所需的产品外形，所述外形冲切刀模上设置有外形冲切定位销，所述外形冲切定位销与所述第二定位孔配合定位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王春生，
申请(专利权)人：苏州安洁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32