能够减小化学强化时的翘曲的玻璃板制造技术

本发明专利技术的目的在于提供能够有效地抑制化学强化后的翘曲、并且能够省略或简化化学强化前的研磨处理等的玻璃板。本发明专利技术涉及一种玻璃板，其中，在使横轴为深度且使纵轴为F/Si强度比的利用二次离子质谱分析装置(SIMS)得到的深度方向分布曲线上，一个面的深度0～20μm处的深度方向分布曲线的平均值大于另一个面的深度0～20μm处的深度方向分布曲线的平均值，且两者之比大于1.4。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的目的在于提供能够有效地抑制化学强化后的翘曲、并且能够省略或简化化学强化前的研磨处理等的玻璃板。本专利技术涉及一种玻璃板，其中，在使横轴为深度且使纵轴为F/Si强度比的利用二次离子质谱分析装置(SIMS)得到的深度方向分布曲线上，一个面的深度0～20μm处的深度方向分布曲线的平均值大于另一个面的深度0～20μm处的深度方向分布曲线的平均值，且两者之比大于1.4。【专利说明】能够减小化学强化时的翘曲的玻璃板
本专利技术涉及能够减小化学强化时的翘曲的玻璃板。
技术介绍
近年来，在手机或便携信息终端（PDA)等平板显示装置中，为了保护显示器并且 改善美观，以达到比图像显示部分更广的区域的方式将薄的板状保护玻璃配置于显示器的 正面。 对于这样的平板显示装置，要求轻量和薄型化，因此，要求显示器保护用途中使用 的保护玻璃也变薄。 但是，若使保护玻璃的厚度变薄，则强度降低，有时会由于使用时或携带时落下等 而导致保护玻璃自身破裂，存在不能发挥保护显示装置这样的本来的作用的问题。 因此，对于以往的保护玻璃而言，为了提高耐擦伤性，通过对利用浮法制造的浮法 玻璃进行化学强化而在表面形成压应力层，从而提高保护玻璃的耐擦伤性。 已报道过浮法玻璃在化学强化后会产生翘曲从而使平坦性受损（专利文献1? 3)。该翘曲是由于在浮法成形时不与熔融锡接触的玻璃面（以下也称为顶面）和与熔融锡 接触的玻璃面（以下也称为底面）中化学强化的进行程度不同而造成的。 化学强化的进行程度越强，则上述浮法玻璃的翘曲越大，因此，在为了适应对高耐 擦伤性的要求而开发的、上述表面压应力为600MPa以上且压应力层的深度为15 μ m以上的 化学强化浮法玻璃中，与以往的表面压应力（CS)为约500MPa且压应力层的深度（D0L)为 约10 μ m的化学强化浮法玻璃相比，翘曲的问题变得更为显著。 在专利文献1中公开了一种玻璃的强化方法，其中，通过在玻璃表面上形成Si02 膜后进行化学强化来调节化学强化时进入玻璃的离子的量。另外，在专利文献2和3中公 开了如下方法：通过将顶面侧的表面压应力设定为特定范围来减小化学强化后的翘曲。 另外，以往，为了减小上述翘曲的问题，采取如下的应对方法：减小由化学强化产 生的强化应力，或者通过对玻璃的至少一个面进行磨削处理或研磨处理等而将表面异质层 除去后进行化学强化。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :美国专利申请公开第2011/0293928号说明书 专利文献2 :国际公开第2007/004634号 专利文献3 :日本特开昭62-191449号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题 但是，在专利文献1所述的在玻璃表面上形成Si02膜后进行化学强化的方法中， 化学强化时的预热条件受到限制，并且存在Si02膜的膜质随条件发生变化而对翘曲产生影 响的可能性。另外，如专利文献2和3所述将顶面侧的表面压应力设定为特定范围的方法 中，从玻璃的强度的观点考虑存在问题。 另外，在化学强化前对玻璃的至少一个面进行磨削处理或研磨处理等的方法从提 高生产率的观点考虑存在问题，优选省略这些磨削处理或研磨处理等。 在化学强化后产生某种程度以上的翘曲的情况下，在印刷保护玻璃的黑框时，有 时在玻璃与工作台之间间隙变得过大而使玻璃无法吸附到工作台上。另外，在用于触控 面板一体型保护玻璃的情况下，在后续工序中有时以大型板的状态进行IT0(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物）等的成膜，此时，有时会产生下述不良情况：发生与药液处理槽、清洗 槽的气刀接触等输送异常，或者翘曲在ΙΤ0成膜中增大，基板周边部的ΙΤ0的成膜状态变得 不适当而发生剥离等。此外，在IXD(Liquid Crystal Display,液晶显示器）与粘贴有触控 面板的保护玻璃之间存在空间的类型的情况下，保护玻璃存在一定程度以上的翘曲时，有 时会产生亮度不均、牛顿环。 因此，本专利技术的目的在于提供能够有效地抑制化学强化后的翘曲、并且能够省略 或简化化学强化前的研磨处理等的玻璃板。 用于解决问题的手段 本专利技术人发现，通过对玻璃表面进行氟化处理，能够抑制在玻璃的一个面与另一 个面中产生化学强化进行程度的差异，能够减小化学强化后的翘曲，基于该发现完成了本 专利技术。 SP，本专利技术如下所述。 1. -种玻璃板，其中，在使横轴为深度且使纵轴为F/Si强度比的利用二次离子质 谱分析装置（SIMS)得到的深度方向分布曲线上，一个面的深度0?20 μ m处的深度方向分 布曲线的平均值大于另一个面的深度〇?20 μ m处的深度方向分布曲线的平均值，且两者 之比大于1. 4。以下，有时将上述平均值中较大的值称为Si、将较小的值称为S2。 2.如上述第1项所述的玻璃板，其为通过浮法制成的玻璃板。 3. -种玻璃板，其为通过浮法制成的玻璃板，其中，在使横轴为深度且使纵轴为 F/Si强度比的利用二次离子质谱分析装置（SIMS)得到的深度方向分布曲线上，顶面的深 度0?20 μ m处的深度方向分布曲线的平均值（ST)大于底面的深度0?20 μ m处的深度 方向分布曲线的平均值（SB)。如果与上述第1项关联地来说，则顶面的深度0?20μπι处 的深度方向分布曲线的平均值相当于Si，底面的深度0?20 μ m处的深度方向分布曲线的 平均值相当于S2。 4.如上述第3项所述的玻璃板，其中，顶面的深度0?20 μ m处的深度方向分布曲 线的平均值与底面的深度〇?20 μ m处的深度方向分布曲线的平均值之比为4. 74以上。 5.如上述第1?4项中任一项所述的玻璃板，其中，以使一个面的深度0?20 μ m 处的深度方向分布曲线的平均值（SJ除以另一个面的深度0?20 μ m处的深度方向分布 曲线的平均值（S2)而得到的值（S3)为1以上的方式定义S 3时，S3的常用对数大于0. 15且 小于7,即， S3 = 彡 1)，0· 15 < log(S3) < 7。 6.如上述第3项或第4项所述的玻璃板，其中，以使一个面的深度0?20 μ m处的 深度方向分布曲线的平均值（SD除以另一个面的深度0?20 μ m处的深度方向分布曲线 的平均值（s2)而得到的值（S3)为1以上的方式定义S3时，S 3的常用对数大于0且小于7， 即， S3 = (S3 彡 1)，0 < log (S3) < 7。 7. -种玻璃板，其中，在使横轴为深度且使纵轴为F/Si强度比的利用二次离子质 谱分析装置（SMS)得到的深度方向分布曲线上，至少一个面的深度0?20 μ m处的深度方 向分布曲线的平均值（SJ除以从同一方向观察到的深度50?70 μ m处的深度方向分布曲 线的平均值（S4)而得到的值大于1，即， S/S4 > 1。 8.如上述第7项所述的玻璃板，其中，至少一个面的深度0?20 μ m处的深度方向 分布曲线的平均值（SJ除以从同一方向观察到的深度50?70 μ m处的深度方向分布曲线 的平均值（S4)而得到的值（S1；/S4)为2. 1以上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃板，其中，在使横轴为深度且使纵轴为F/Si强度比的利用二次离子质谱分析装置(SIMS)得到的深度方向分布曲线上，一个面的深度0～20μm处的深度方向分布曲线的平均值大于另一个面的深度0～20μm处的深度方向分布曲线的平均值，且两者之比大于1.4。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈畑直树，中川浩司，山中一彦，渡边邦夫，谷井史朗，井川信彰，小林大介，宫下纯一，加藤亮祐，仁平敏史，世良洋一，林泰夫，府川真，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP