薄膜图案形成方法技术

本发明专利技术是薄膜图案形成方法，在基板(1)的表面形成具有规定形状的薄膜图案(14)，基板(1)在薄膜图案形成区域预先形成有电极，上述薄膜图案形成方法构成为包含：使透射可见光的树脂制成的膜(2)紧贴在上述基板(1)上的步骤；对上述基板(1)上的薄膜图案形成区域(11)照射激光(L)，在上述膜(2)中形成与薄膜图案(14)相同形状的开口图案(21)的步骤；通过上述膜(2)的开口图案(21)，在上述基板(1)上的上述薄膜图案形成区域(11)形成薄膜图案(14)的步骤；以及剥离上述膜(2)的步骤。由此，能在电极预先形成于薄膜图案形成区域的基板的表面容易形成高精细的薄膜图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术是，在基板(1)的表面形成具有规定形状的薄膜图案(14)，基板(1)在薄膜图案形成区域预先形成有电极，上述构成为包含：使透射可见光的树脂制成的膜(2)紧贴在上述基板(1)上的步骤；对上述基板(1)上的薄膜图案形成区域(11)照射激光(L)，在上述膜(2)中形成与薄膜图案(14)相同形状的开口图案(21)的步骤；通过上述膜(2)的开口图案(21)，在上述基板(1)上的上述薄膜图案形成区域(11)形成薄膜图案(14)的步骤；以及剥离上述膜(2)的步骤。由此，能在电极预先形成于薄膜图案形成区域的基板的表面容易形成高精细的薄膜图案。【专利说明】
本专利技术涉及在基板的表面形成薄膜图案的，上述基板在薄膜图案形成区域预先形成有电极，特别是涉及能容易形成高精细的薄膜图案的。
技术介绍
作为现有的有如下方法:在使具有与规定图案对应的形状的开口的掩模相对于基板对位后使其紧贴在基板上，隔着上述掩模对于基板进行图案化成膜(例如参照专利文献I)。 现有技术文献_4] 专利文献 专利文献1:特开2003 - 73804号公报
技术实现思路
_6] 专利技术要解决的问题 在上述现有的中，所使用的掩模通常是利用蚀刻等方法在薄金属板中形成规定形状的开口而制成的。对于这样的金属掩模，当为了形成高精细的薄膜图案而缩小开口的间距时，该间距部分的结构强度下降，有时产生皱褶。当掩模产生皱褶时，不能使掩模相对于基板上的图案准确地对准，难以形成高精细的薄膜图案。 因此，应对这样的问题，本专利技术所要解决的技术问题是提供能容易形成高精细的薄膜图案的。 _9] 用于解决问题的方案 为了解决上述技术问题，本专利技术的是在基板的表面形成具有规定形状的薄膜图案，上述基板在薄膜图案形成区域预先形成有电极，上述包含:使透射可见光的树脂制成的膜紧贴在上述基板上的步骤；对上述基板上的薄膜图案形成区域照射激光，在上述膜中形成与薄膜图案相同形状的开口图案的步骤；通过上述膜的开口图案，在上述基板上的上述薄膜图案形成区域形成薄膜图案的步骤；以及剥离上述膜的步骤。 专利技术效果 根据本专利技术的，膜的开口图案通过在膜紧贴于基板的表面的状态下照射激光而形成，因此能高精度地形成。薄膜图案通过高精度地形成的开口图案而成膜，因此能容易形成高精细的薄膜图案。 【专利附图】【附图说明】 图1是示出适用本专利技术的的有机EL显示装置的制造方法的实施方式的说明图，是示出红色(R)有机EL层形成工序中的TFT基板的截面图。 图2是示出上述实施方式的绿色(G)有机EL层形成工序中的TFT基板的截面图。 图3是示出上述实施方式的蓝色(B)有机EL层形成工序中的TFT基板的截面图。 图4是示出上述实施方式的阴极电极形成工序中的TFT基板的截面图。 图5是示出上述R有机EL层形成工序的流程图。 图6是示出上述G有机EL层形成工序的流程图。 图7是示出上述B有机EL层形成工序的流程图。 图8是示出上述阴极电极形成工序的流程图。 附图标记说明 I...TFT 基板 11、11R、11G、IlB…有机EL层形成区域(薄膜图案形成区域) 12、12R、12G、12B...阳极电极 13…电极材料 14、14R、14G、14B...有机 EL 层(薄膜图案) 15、15R、15G、15B...阴极电极 16…透明基板 17…晶体管 18…绝缘膜 2 …膜 21…开口图案 3…相对基板 4…保护膜 5…粘接层 L…激光 【具体实施方式】 以下，参照图1?图8对将本专利技术的应用于在基板上形成有机EL层来制造有机EL显示装置的制造方法的实施方式进行说明。图1?4是示出本实施方式的形成工序中的TFT基板I的截面图，图5?8是示出本实施方式的形成工序的流程图。该有机EL显示装置的制造方法是在预先形成于TFT基板I的有机EL层形成区域(薄膜图案形成区域)11(11R、11G、11B)的阳极电极12 (12R、12G、12B)上依次形成具有规定形状的有机EL层(薄膜图案)14(14R、14G、14B)和阴极电极15 (15R、15G、15B)而制造有机EL显示装置的方法。构成为包含红色(R)有机EL层形成工序、绿色(G)有机EL层形成工序、蓝色⑶有机EL层形成工序以及阴极电极形成工序。 首先，参照图1、图5对R有机EL层形成工序进行说明。该R有机EL层形成工序是在TFT基板I的R有机EL层形成区域IlR依次蒸镀并形成R阳极电极12R的电极材料13、R有机EL层14R以及R阴极电极15R而形成R有机EL层14R的工序，如图5所示，构成为包含步骤SI?S9。 在步骤SI中，如图1 (a)所示，在TFT基板I的上方配置膜2。TFT基板I在包含玻璃等的透明基板16上层叠地形成按各有机EL层形成区域11R、11G、11B设置的晶体管17和多个绝缘膜18以及阳极电极1，利用有源矩阵驱动方式、无源矩阵驱动方式驱动。通过使用该TFT基板I，可制造顶部发光方式的有机EL显示装置。即，在本实施方式中所制造的有机EL显示装置的后述的相对基板3侧(参照图4(d))成为图像的显示侧。 上述膜2是透射可见光的树脂制成的膜，可使用例如厚度为10 μ m?30 μ m程度的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酰亚胺等的能进行紫外激光烧蚀的膜。该膜2例如由保持单元、辊保持，保持单元保持裁断为覆盖TFT基板I的整个面大小的状态的膜2，辊进行长条膜2的送出和卷绕，膜2配置于图1 (a)中的TFT基板I的上方，即分开地配置于TFT基板I的R阳极电极12R侧。 在步骤S2中，如图1(b)所示，使膜2紧贴在TFT基板I上。膜2能利用静电吸附等方法紧贴。该膜2相对于可见光是透明的，因此即使是膜2覆盖TFT基板I的表面的状态，显微镜、CXD照相机等摄像单元也能隔着膜2观察TFT的表面。 在步骤S3中，如图1(c)所示，在膜2的与R有机EL层形成区域IlR对应的部分形成开口图案21。首先，利用摄像单元隔着膜2观察TFT基板I的表面，检测TFT基板I上的R有机EL层形成区域IlR的位置。接着，对覆盖所检测的R有机EL层形成区域IlR的表面的膜2的部分照射激光L。作为在此使用的激光，例如能使用波长为400nm以下的准分子激光等，例如能使用KrF248nm的激光。利用这样的紫外线的激光L的光能，将膜2消融而除去，形成与R有机EL层形成区域I IR相同形状的开口图案21。用于驱动TFT基板I的R有机EL层14R(参照图1 (g))的R阳极电极12R从这样形成的膜2的开口图案21露出。此时，优选开口图案21以能遍及R阳极电极12R的整个面形成R有机EL层14R的方式，且以配置于R阳极电极12R的两侧的绝缘膜的一部分露出的方式形成。 在步骤S4中，如图1 (d)所示，从R阳极电极12R的表面除去杂质。在此所说的杂质例如包含在上述步骤S3中消融的膜2、R阳极电极12R等的残渣。当R有机EL层14R在这样的杂质附着于R阳极电极12R的表面的状态下成膜时，有可能R阳极电极12R的电阻上升，妨碍R有机EL层14R的驱动。另外，这样的杂质也有腐蚀有机EL层的物质，有可能缩短有机EL层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜图案形成方法，在基板的表面形成具有规定形状的薄膜图案，上述基板在薄膜图案形成区域预先形成有电极，上述薄膜图案形成方法的特征在于，包含：使透射可见光的树脂制成的膜紧贴在上述基板上的步骤；对上述基板上的薄膜图案形成区域照射激光，在上述膜中形成与薄膜图案相同形状的开口图案的步骤；通过上述膜的开口图案，在上述基板上的上述薄膜图案形成区域形成薄膜图案的步骤；以及剥离上述膜的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：工藤修二，水村通伸，梶山康一，哈尼·马赫·阿齐兹，梶山佳敬，
申请(专利权)人：株式会社V技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP