【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种衬底,其包括单晶硅区域,所述区域包括:第一表面,其是单晶硅的晶面;以及第二表面,其是单晶硅的晶面;其中所述第一表面和第二表面以135°或125.3°的角度彼此相遇,所述角度是通过单晶硅所占据的空间测量的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:V·科森科,E·L·麦克拜恩,C·E·乌佐,P·蒙纳德吉米,S·萨瓦斯蒂奥科,
申请(专利权)人:伊文萨斯公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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